СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ПЛОТНЫХ МОДИФИКАЦИЙ НИТРИДА БОРА Российский патент 1995 года по МПК C01B21/64 

Описание патента на изобретение RU2034779C1

Изобретение относится к производству алмазных и алмазоподобных поликристаллических материалов, в частности теплопроводного диэлектрического материала на основе плотных модификаций нитрида бора (ВN), который может быть использован для изготовления теплоотводов, применяемых в теплонагруженных узлах электронных приборов.

Известен способ получения материала на основе плотных модификаций нитрида бора, характеризующийся высоким выходом годных (неразрушенных поликристаллов. По этому способу субмикронный порошок вюрцитного нитрида бора (ВNв) спекают в условиях термодинамической стабильности сфалеритной модификации (BNсф) при давлениях и температурах, обеспечивающих частичное превращение ВNв в BNсф. Высокие прочностные характеристики получаемых поликристаллов (трещиностойкость 16-18 МПа˙м1/2, напряжение разрушения 8,5-10,5 ГПа) обусловлены структурными особенностями двухфазного материала [1]
Недостатком указанного способа является то, что он не обеспечивает получение материала с высокой теплопроводностью. Так, теплопроводность поликристаллов при комнатной температуре составляет около 25 Вт/(м˙К).

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ получения поликристаллов на основе плотной модификации нитрида бора (BNсф) путем воздействия высоких давлений и температур, соответствующих области стабильности плотной модификации, на исходный пиролитический нитрид бора графитоподобной гексагональной структуры (BNг). При относительно длительном до 1020 с термобарическом воздействии на исходный пиролитический материал плотностью 1,8-2,28 г/см3 и чистотой 99,99 мас. в результате фазового превращения ВNг получают поликристаллы BNсф, теплопроводность которых в максимуме температурной зависимости примерно при 100оС превышает 250-260 Вт/(м˙К). При комнатной температуре поликристаллы имеют теплопроводность на 50-100 Вт/(м˙К) ниже максимальных значений [2]
Недостатком этого способа являются невысокая теплопроводность целевого материала и малый выход годных поликристаллов из-за их разрушения при декомпрессии аппарата высокого давления (АВД). Малая прочность поликристаллов обусловлена низким уровнем трещиностойкости однофазного материала, в данном случае равном 11 МПа˙м1/2.

Целью изобретения является повышение теплопроводности целевого материала при его высоком выходе.

Это достигается тем, что в качестве исходного используют пиролитический нитрид бора, содержащий не менее 10 мас. ромбоэдрического нитрида бора (BNр), а процесс проводят при давлении 7-9,5 ГПа и температуре 1800-2400оС в течение 40-90 с.

Использование пиролитического BN, содержащего ромбоэдрическую фазу, позволяет при относительно кратковременном термобарическом воздействии получать целевой материал с теплопроводностью от 450 до 670 Вт/(м˙К), соответствующей комнатной температуре. Кроме того, при превращении фаз BNг и BNр, содержащихся в пиролитическом BN, формируется высокопрочная двухфазная структура на основе BNв и BNсф, что в итоге приводит к существенному увеличению выхода годных поликристаллов.

Установлено, что BNг превращается в BNсф по прямому диффузионному механизму, в то время как BNр преобразуется в BNсф по схеме альтернативного метастабильного поведения через образование промежуточного метастабильного BNв, причем переход BNр в BNв происходит бездиффузионным мартенситным путем при температурах менее 1800оС. При более высоких температурах для образующейся фазы BNсф характерно субструктурное состояние с низким тепловым сопротивлением. Поэтому величина теплопроводности поликристаллов коррелирует с ее содержанием в материале.

При осуществлении способа использовали пиролитический нитрид бора, плотность которого зависела от содержания фазы BNр и изменялась при этом в пределах 2,10-2,27 г/см3.

Образец в виде диска диаметром 8,9 мм, толщиной 2 мм, вырезанного из пластины пиролитического материала, размещали в центральной части графитового нагревателя, отделяя от теплоизолирующих пирофиллитовых прокладок графитовыми дисками толщиной 2 мм. Полученную таким образом сборку высотой 12 мм помещали в контейнер из литографского камня и создавали в ней необходимое давление и температуру с помощью АВД и прессового оборудования.

Количественный фазовый анализ образцов исходного и целевого материалов осуществляли рентгеновским методом. Теплопроводность определяли нестационарным методом бегущего теплового импульса с применением измерителя типа ИТ-02 Ц.

Выход годных (неразрушенных) поликристаллов устанавливали в сериях экспериментов, включающих по 60-80 идентичных опытов.

Электросопротивление образцов измеряли с использованием универсального вольтметра-электрометра В7-30. При этом установлено, что величина удельного электросопротивления целевого материала лежит в пределах 2,4˙1013-4,1˙1015 Ом˙см, что соответствует свойствам хорошего диэлектрика.

П р и м е р. Пиролитический нитрид бора, содержащий 39 мас. BNр, подвергали воздействию давления 7 ГПа и температуры 2100оС в течение 40 с. После охлаждения реакционного объема и снятия давления получили поликристалл состава 70 мас. BNсф и 30 мас. BNв, теплопроводность которого составила 450 Вт/(м˙К). Выход годных поликристаллов в серии идентичных опытов составил 77% Относительная стойкость АВД соответствовала при этом нормативному показателю, т.е. 100%
Аналогично описанному были осуществлены серии опытов с применением пиролитического нитрида бора, содержащего различное количество фазы BNр. Результаты измерений в сравнении с данными по прототипу и анализу приведены в таблице.

Получение двухфазного поликристалла на основе BNсф и BNв возможно при любом содержании BNр более 10 мас. в исходном пиролитическом материала (примеры 1-6). Причем в зависимости от параметров процесса, включая время р, Т-воздействия, реализуется любое соотношение плотных модификаций нитрида бора в целевом материале.

При содержании BNр менее 10 мас. (пример 7) ни при каких параметрах процесса, даже наиболее неблагоприятных с точки зрения кинетики превращения BNв в BNсф, в материале не удается сохранить необходимое количество вюрцитной фазы. В результате формируется преимущественно однофазная непрочная структура BNсф, сходная со структурой материала по прототипу, что приводит к резкому падению выхода годных поликристаллов.

Предпочтительно использование пиролитического нитрида бора с содержанием BNр до 60 мас. (примеры 1-4, целесообразней 2-3). При номинальных эксплуатационных параметрах, обеспечивающих удовлетворительную стойкость АВД, применение такого исходного материала позволяет получать целевой материал с теплопроводностью 450-670 Вт/(м˙К) и достигать при этом выход годных поликристаллов до 77%
Материал с преобладающим содержанием BNв, что наблюдается при временах р, Т-воздействия менее 40 с (пример 6), имеет низкую теплопроводность. При содержании BNсф более 90 мас. когда используется исходный материал с менее 10 мас. BNр (пример 7) снижается выход годных поликристаллов, а при длительных более 90 с временах процесса резко снижается стойкость АВД.

Таким образом изобретение позволяет получать целевой материал с теплопроводностью 450-670 Вт/(м˙К) с выходом годных поликристаллов до 77%

Похожие патенты RU2034779C1

название год авторы номер документа
ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАГРЕВАТЕЛЯ УСТРОЙСТВА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ 1994
  • Ивахненко Сергей Алексеевич[Ua]
  • Терентьев Сергей Александрович[Ua]
  • Виноградов Сергей Александрович[Ua]
  • Доценко Василий Михайлович[Ua]
RU2084422C1
ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТЕЙНЕРА АППАРАТА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ 1991
  • Доценко Василий Михайлович[Ua]
  • Давыдов Николай Алексеевич[Ua]
  • Виноградов Сергей Александрович[Ua]
  • Ивахненко Сергей Алексеевич[Ua]
  • Ляшенко Александр Федорович[Ua]
  • Мельник Виталий Иванович[Ua]
  • Чипенко Георгий Владимирович[Ua]
  • Якименко Валерьян Дмитриевич[Ua]
RU2050182C1
НАПОЛНИТЕЛЬ ШИХТЫ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТЕЙНЕРОВ АППАРАТОВ ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ И ТЕМПЕРАТУРЫ 1996
  • Боримский А.И.
  • Нагорный П.А.
  • Сороченко Т.А.
RU2107051C1
РАСТВОРИТЕЛЬ УГЛЕРОДА ДЛЯ СИНТЕЗА АЛМАЗОВ 1994
  • Боримский Александр Иванович[Ua]
  • Нагорный Петр Арсеньевич[Ua]
RU2073641C1
ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТЕЙНЕРА АППАРАТА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ 1994
  • Доценко Василий Михайлович[Ua]
  • Ляшенко Александр Федорович[Ua]
  • Давыдов Николай Алексеевич[Ua]
  • Виноградов Сергей Александрович[Ua]
  • Ивахненко Сергей Алексеевич[Ua]
RU2078747C1
РАСТВОРИТЕЛЬ ДЛЯ СИНТЕЗА ТЕРМОСТОЙКИХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ АЛМАЗОВ 1994
  • Боримский А.И.
  • Нагорный П.А.
RU2061654C1
СПОСОБ КОНТРОЛЯ И УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ СИНТЕЗА АЛМАЗОВ 1989
  • Новиков Николай Васильевич[Ua]
  • Пинк Руслан Леонидович[Ua]
  • Зиненко Владимир Николаевич[Ua]
RU2032617C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РАСТВОРИТЕЛЯ ДЛЯ СИНТЕЗА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ АЛМАЗОВ 1994
  • Боримский А.И.
  • Нагорный П.А.
RU2061655C1
СВЯЗКА АБРАЗИВНОГО ИНСТРУМЕНТА 1996
  • Шепелев Анатолий Александрович[Ua]
  • Рубан Феодосий Григорьевич[Ua]
  • Черных Валентина Петровна[Ua]
RU2101164C1
ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТЕЙНЕРА АППАРАТА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ 2003
  • Боримский Иван Александрович
RU2277074C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 034 779 C1

Реферат патента 1995 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ПЛОТНЫХ МОДИФИКАЦИЙ НИТРИДА БОРА

Использование: в производстве теплопроводного диэлектрического материала на основе плотных модификаций нитрида бора, который может быть использован в электронной технике. Сущность: способ получения поликристаллов на основе плотных модификаций нитрида бора включает воздействие высоких давлений (7,0 - 9,5 ГПа) и температур (1800 - 2400°С) в течение 40 - 90 с на исходной пиролитический нитрид бора, содержащий не менее 10 мас,% ромбоэдрического нитрида бора. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 034 779 C1

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ПЛОТНЫХ МОДИФИКАЦИЙ НИТРИДА БОРА путем воздействия высоких давлений и температур, соответствующих области стабильности плотных модификаций, на исходной пиролитический нитрид бора, отличающийся тем, что, с целью повышения теплопроводности целевого материала и его выхода, в качестве исходного используют пиролитический нитрид бора, содержащий не менее 10 мас. ромбоэдрического нитрида бора, а процесс проводят при давлении 7,0 9,5 ГПа и температуре 1800 2400oС в течение 40 90 с.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года RU2034779C1

Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Патент США N 4188194, кл
Способ запрессовки не выдержавших гидравлической пробы отливок 1923
  • Лучинский Д.Д.
SU51A1

RU 2 034 779 C1

Авторы

Шульженко Александр Александрович[Ua]

Петруша Игорь Андреевич[Ua]

Гажа Георгий Павлович[Ua]

Свирид Александр Андреевич[Ua]

Шарупин Борис Николаевич[Ru]

Потехин Сергей Михайлович[Ru]

Маметьев Роберт Юсупович[Ru]

Лиоренцевич Евгений Алексеевич[Ru]

Даты

1995-05-10Публикация

1989-07-17Подача