УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Российский патент 1995 года по МПК C30B11/00 

Описание патента на изобретение RU2039852C1

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплава, преимущественно методом направленной кристаллизации.

Наиболее близким к заявляемому по технической сущности является устройство для выращивания монокристаллов из расплава, содержащее камеру роста, в которой установлен нагреватель, контейнер с держателем и привод перемещения контейнера, включающий ходовой винт и ходовую гайку. Нагреватель выполнен в виде верхних и нижних полувитков, полностью охватывающих контейнер с держателем, установленным на направляющих роликах, закрепленных относительно нагревателя и расположенных в горячей зоне.

Недостаток известного устройства наличие роликов в направлении перемещения контейнера, расположенных в горячей зоне, которое приводит к снижению равномерности перемещения контейнера вследствие прихватывания роликов к направляющим, что резко снижает качество выращиваемых кристаллов.

Цель изобретения повышение качества выращиваемых кристаллов.

Указанная цель достигается тем, что в устройстве для выращивания монокристаллов из расплава, содержащем кристаллизационную камеру, в корпусе которой установлен нагреватель, контейнер с держателем и привод перемещения контейнера, включающий ходовой винт и ходовую гайку, нагреватель имеет Ω -образную форму, а держатель контейнера закреплен на ходовой гайке и размещен в прорези нагревателя. Другим отличием устройства является то, что оно дополнительно снабжено, по меньшей мере, одним нагревателем, имеющем Ω-образную форму и установленным вдоль направления движения контейнера.

На фиг.1 схематически изображено заявляемое устройство; на фиг. 2 разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 разрез Б-Б на фиг. 1.

Устройство содержит кристаллизационную камеру, корпус которой состоит из двух частей: нижней стационарной 1 и верхней съемной 2. В нижней части 2 корпуса камеры установлен нагреватель 3, помещенный в экранную теплоизоляцию 4. Пластинчатый держатель 5 несет на себе контейнер 6 с шихтой.

Держатель 5 закреплен через керамическую тепловую и электрическую развязку 7 и пальцы 8 на ходовой гайке 9, перемещаемой ходовым винтом 10. Ограничение от вращения ходовой гайки 9 относительно оси винта 10, а следовательно, и контейнера 6 производится направляющими планками 11, закрепленными на две нижней части корпуса 1 рабочей камеры. Привод вращения ходового винта 10 осуществляется от двигателя 12 через червячную пару 13 и 14.

Предлагаемая схема кристаллизационной камеры позволяет также использовать несколько нагревателей Ω -образной формы, устанавливаемых вдоль направления движения контейнера. В этом случае кроме выращивания кристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации могут быть реализованы варианты многозонной очистки кристаллов и выращивание кристаллов с последующим отжигом.

Устройство работает следующим образом.

Верхняя съемная часть 2 корпуса кристаллизационной камеры поднимается при помощи подъемника (не показан). Снимаются крышки экранной теплоизоляции 4, и контейнер 6 с шихтой устанавливается на держатель 5, который предварительно должен быть помещен в исходное положение (на фиг. 1 крайнее левое) установки контейнера 6 на держателе 5. Крышки экранной теплоизоляции 4 возвращаются на место, и съемная часть 2 корпуса кристаллизационной камеры опускается подъемником на стационарную часть 1 корпуса камеры и крепится к последней специальными замками (не показаны).

После герметизации корпуса кристаллизационной камеры осуществляется откачка вакуума либо напуск газа (в зависимости от технологического процесса).

Включается питание нагревателя 3, и после выхода тепловой зоны кристаллизационной камеры на заданный режим включается двигатель 12 привода перемещения контейнера 6. Вращающий момент от двигателя 12 через червячную пару 13 и 14 передается на ходовой винт 10, который, вращаясь, перемещает ходовую гайку 9.

Ходовая гайка 9 при помощи пальцев 8 и развязки 7 перемещает держатель 5, несущий на себе контейнер 6 с шихтой, который, перемещаясь вдоль оси кристаллизационной камеры, вводится в зону нагревателя 3 и шихта расплавляется. Планки 11 направляют пальцы 8 и препятствуют боковому перемещению контейнера 6.

Дальнейшее перемещение контейнера 6 с расплавленной шихтой вдоль оси кристаллизационной камеры на рабочей скорости приводит к выводу контейнера 6 из рабочей зоны нагревателя 3, и в результате постепенного снижения температуры расплава при выходе контейнера 6 из нагревателя 3 происходит кристаллизация монокристалла. Выращенный монокристалл остывает в приемной части экранной теплоизоляции 4.

После полного остывания до комнатной температуры выращенный монокристалл вместе с контейнером извлекается из кристаллизационной камеры при помощи подъема счетной части 2 корпуса кристаллизационной камеры.

Изобретение обеспечило повышение качества выращиваемых кристаллов. Как показали испытания, использование изобретения приводит к улучшению качества монокристаллов за счет повышения равномерности перемещения контейнера, благодаря отсутствию в горячей зоне роликов, на которых в прототипе осуществлялось перемещение держателя контейнера.

Похожие патенты RU2039852C1

название год авторы номер документа
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ВЕЩЕСТВ 1991
  • Багдасаров Х.С.
  • Антонов Е.В.
  • Сытин В.Н.
  • Трофимов А.С.
  • Федоров Е.А.
RU2061803C1
УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ 2005
  • Каневский Владимир Михайлович
  • Раевский Владимир Леонидович
  • Сытин Владимир Николаевич
  • Семенов Владимир Борисович
RU2344205C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА 1994
  • Бабинцева Н.И.
  • Жаринский А.С.
  • Коган А.Я.
  • Семенов В.Б.
  • Сытие В.Н.
RU2085625C1
Устройство для выращивания монокристаллов из расплава 1980
  • Лубе Э.Л.
  • Багдасаров Х.С.
  • Федоров Е.А.
SU864847A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ 1991
  • Багдасаров Х.С.
  • Жаворонкин В.С.
  • Семенов В.Б.
  • Трофимов А.С.
  • Федоров Е.А.
RU2019585C1
Способ контроля процесса кристаллизации из расплава 1987
  • Лубе Э.Л.
SU1533371A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ В ПЕЧИ С ДВУХЗОННЫМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ НАГРЕВОМ 1993
  • Соболев Б.П.
  • Станишевский Э.Я.
  • Семенков Ю.В.
  • Кисельков М.П.
  • Зубова Е.Н.
  • Жмурова З.И.
  • Кривандина Е.А.
RU2038356C1
Способ выращивания кристаллов методом Вернейля и установка для его осуществления 1990
  • Циглер Игорь Николаевич
  • Чиркина Клавдия Павловна
  • Царев Владислав Михайлович
  • Гусев Владимир Иванович
  • Каргин Иван Иванович
SU1820925A3
Устройство для выращивания монокристаллов из расплава 1985
  • Станишевский Эрменгельд Янович
  • Севастьянов Борис Константинович
  • Семенков Юрий Владимирович
  • Лифшиц Илья Ефимович
  • Чиркин Анатолий Петрович
  • Васильев Ян Владимирович
SU1707089A1
Устройство для выращивания кристаллов 1983
  • Станишевский Э.Я.
  • Севастьянов Б.К.
  • Старостин Ю.А.
  • Зубова Е.Н.
  • Чиркин А.П.
  • Циглер И.Н.
SU1172316A1

Иллюстрации к изобретению RU 2 039 852 C1

Реферат патента 1995 года УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА

Использование: в области выращивания монокристаллов, преимущественно методом направленной кристаллизации. Сущность изобретения: устройство содержит камеру роста, размещенный в ней один или несколько нагреватель -образной формы, контейнер с держателем и привод перемещения контейнера с ходовым винтом и гайкой. Держатель контейнера закреплен на гайке привода и размещен в прорези нагревателя. Дополнительный контейнер (контейнеры) устанавливается вдоль направления движения контейнера. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Формула изобретения RU 2 039 852 C1

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА, содержащее камеру роста, размещенные в ней нагреватель и контейнер с держателем и привод перемещения контейнера, включающий ходовой винт с гайкой, отличающееся тем, что нагреватель имеет Ω -образную форму, а держатель контейнера закреплен на гайке привода перемещения контейнера и размещен в прорези нагревателя. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно дополнительно снабжено по меньшей мере одним нагревателем, имеющим W -образную форму и установленным вдоль направления движения контейнера.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года RU2039852C1

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов 1981
  • Богдасаров Х.С.
  • Ильин Н.А.
  • Старостин Ю.А.
  • Резников Ф.П.
  • Суходольский В.В.
  • Елисеев А.А.
  • Емельянов И.А.
  • Федоров Е.А.
SU1031256A1
Способ обработки медных солей нафтеновых кислот 1923
  • Потоловский М.С.
SU30A1

RU 2 039 852 C1

Авторы

Станишевский Э.Я.

Семенков Ю.В.

Соболев Б.П.

Вистинь Л.Л.

Кисельков М.П.

Даты

1995-07-20Публикация

1991-11-11Подача