ГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ЛОКАЛЬНОГО ПОКРЫТИЯ Российский патент 1995 года по МПК C25D5/02 

Описание патента на изобретение RU2049828C1

Изобретение относится к гальваномеханике и может быть использовано для нанесения локальных покрытий, например, на корпуса микросхем и полупроводниковых приборов.

Известен гальванический способ нанесения локального покрытия, включающий протекание электролита сверху вниз из сопла, которое является анодом, до приемной полости, подвод обрабатываемого изделия сбоку к струе электролита до касания с ней и пропускание электрического тока через электролит от анода к изделию [1]
Однако этот способ имеет ограниченный диапазон применения, так как предполагает наличие на изделиях выступающих участков, на которые можно осуществить осаждение металла.

Известен гальванический способ нанесения локального покрытия, включающий установку обрабатываемого изделия на маскирующий элемент, расположенный над соплом для струйной подачи электролита, прижим маскирующего элемента к изделию с определенным усилием подачи электролита в виде вертикальной струи на обрабатываемые участки поверхности изделия и пропускание электрического тока через электролит от анода к изделию [2]
Однако подобный способ нанесения покрытия требует приложения усилия для прижима маски, что может привести к деформации изделий. Кроме того этот способ не позволяет получить заметной разницы по толщине слоя металла, осажденного в центре и по краям обрабатываемого участка, так как условия осаждения при прокачке электролита на всем незакрытом маской участке изделия практически одинаковы.

Целью изобретения является исключение деформации покрываемых изделий путем устранения необходимости использования маскирующего элемента, а также обеспечение возможности нанесения покрытий со значительной разницей между толщиной слоя осажденного металла в центре и по краям покрываемого участка.

Эта цель достигается тем, что изделие устанавливают над соплом, через которое вертикально вытекает электролит над напором, обеспечивающим высоту струи, меньшую, чем расстояние от сопла до поверхности изделия, затем изделие опускают до касания его поверхностью струи электролита и вновь поднимают до уровня, при котором за счет сил смачивания и поверхностного натяжения электролита обеспечивается существование устойчивого столба электролита между соплом и изделием и пропускают электрический ток между анодом и обрабатываемым изделием. При необходимости получения значительной разницы между толщиной осажденного слоя металла в центре и по краям пятна, изделие в ходе гальванического процесса постепенно отодвигают от сопла, но предельное расстояние при этом не должно превышать уровня, обеспечивающего неразрывность струи электролита.

На чертеже изображено устройство, с помощью которого может быть реализован предлагаемый способ.

Приняты следующие обозначения: 1 изделие, 2 сопло, 3 анод, 4 гальваническая ванна, 5 насос, 6 емкость с электролитом.

Гальваническая ванна 4 содержит установленный на дне анод 3 и сопло 2, сообщающиеся с напорным отсеком ванны. Изделие 1 установлено над соплом 2 и может перемещаться в вертикальном направлении. Насос 5 соединен всасывающим патрубком с емкостью 6 с электролитом, а выходным с ванной 4.

Устройство работает следующим образом.

С помощью насоса 5 из емкости с электролитом 6 в напорный отсек гальванической ванны 4 накачивается электролит с такой производительностью, что верхняя граница электролита в напорном отсеке находится на уровне, превышающем уровень сопла 2. Сопло и напорный отсек гальванической ванны 4 образуют сообщающиеся сосуды и поэтому электролит вытекает из сопла в виде струи и стекает обратно по соплу в емкость с электролитом. С помощью подъемного устройства изделие 1 опускают вниз до касания его поверхностью верхней точки струи электролита и снова поднимают вверх. При этом струя электролита как бы "повисает" на изделии за счет сил смачивания и поверхностного натяжения электролита. При этом площадь пятна электролита на поверхности изделия перестает зависеть от колебаний напорна электролита в сопле, а граница пятна локализуется. Изделие фиксируют на уровне, при котором обеспечивается существование устойчивого столба электролита между поверхностью изделия и соплом, пропускают между анодом и изделием электрический ток до получения требуемой толщины покрытия в месте контакта поверхности изделия со струей электролита.

При необходимости получения значительной разницы между толщиной осажденного слоя металла в центре и по краям пятна изделие в ходе гальванического процесса постепенно отодвигают от сопла, но максимальное расстояние не должно превышать уровня, обеспечивающего неразрывность струи электролита. Увеличение расстояния между соплом и поверхностью изделия ухудшает условия перемешивания электролита по краям пятна, что приводит к уменьшению скорости осаждения в этих местах, в то время как в центре пятна обмен электролита остается интенсивным и скорость осаждения практически неизменна. В результате, толщина слоя осажденного в центре пятна металла существенно больше, чем по краям.

Похожие патенты RU2049828C1

название год авторы номер документа
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ГАЛЬВАНИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ ЗАДАННОЙ ТОЛЩИНЫ 1991
  • Ковалков Н.В.
  • Кульков А.А.
  • Горовой Б.Н.
  • Ермолин И.К.
RU2036982C1
Способ автоматического контроля толщины гальванопокрытий 1990
  • Ковалков Николай Васильевич
  • Гладштейн Михаил Борисович
  • Фомченков Владимир Петрович
  • Кульков Александр Анатольевич
SU1772221A1
Способ измерения площади катода в гальванической ванне 1986
  • Ковалков Николай Васильевич
  • Гладштейн Михаил Борисович
  • Прохоренков Павел Александрович
SU1439161A1
Способ контроля толщины покрытия изделий в гальванической ванне 1980
  • Ковалков Николай Васильевич
  • Гладштейн Михаил Борисович
  • Круглов Владимир Васильевич
SU987376A1
Устройство для измерения площади детали в гальванической ванне 1987
  • Ковалков Николай Васильевич
  • Гладштейн Михаил Борисович
  • Фомченков Владимир Петрович
  • Тарабукин Александр Николаевич
SU1458446A1
Устройство управления процессом нанесения гальванического покрытия заданной толщины 1991
  • Ревин Алексей Геннадьевич
  • Ковалков Николай Васильевич
  • Кульков Александр Анатольевич
SU1813814A1
Способ определения площади деталей в гальванической ванне 1986
  • Ковалков Николай Васильевич
  • Гладштейн Михаил Борисович
  • Прохоренков Павел Александрович
SU1414879A1
Устройство стабилизации скорости осаждения металла в гальванической ванне 1986
  • Ковалков Николай Васильевич
  • Гладштейн Михаил Борисович
  • Фомченков Владимир Петрович
  • Ревин Алексей Геннадьевич
SU1357469A1
Способ измерения площади катода 1986
  • Ковалков Николай Васильевич
  • Гладштейн Михаил Борисович
  • Прохоренков Павел Александрович
SU1439160A1
Устройство для контроля массы осажденного металла 1990
  • Гладштейн Михаил Борисович
  • Ковалков Николай Васильевич
  • Фомченков Владимир Петрович
  • Кульков Александр Анатольевич
SU1778200A1

Иллюстрации к изобретению RU 2 049 828 C1

Реферат патента 1995 года ГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ЛОКАЛЬНОГО ПОКРЫТИЯ

Сущность изобретения: изделие устанавливают над соплом, через которое вертикально подают электролит под напором, обеспечивающим высоту струи, меньшую, чем расстояние от сопла до поверхности изделия, затем изделие опускают до касания его поверхностью струи электролита и вновь поднимают до уровня, при котором за счет сил смачивания и поверхностного натяжения электролита обеспечивается существование устойчивого столба электролита между соплом и изделием; при необходимости получения значительной разницы между толщиной осажденного слоя металла в центре и по краям пятна изделие в ходе гальванического процесса постепенно отодвигают от сопла, но предельное расстояние не должно превышать уровня, обеспечивающего неразрывность струи электролита. 1 з. п. ф-лы, 1 ил.

Формула изобретения RU 2 049 828 C1

1. ГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ЛОКАЛЬНОГО ПОКРЫТИЯ, включающий подачу электролита в виде вертикальной струи на обрабатываемые участки поверхности изделия и пропускание электрического тока через электролит от анода к изделию, при этом изделие располагают над соплами, предназначенными для подачи электролита, отличающийся тем, что перед началом процесса осаждения покрытия задают напор струи, обеспечивающий ее высоту, меньшую, чем расстояние от сопла до поверхности изделия, затем опускают изделие до соприкосновения его поверхности со струей электролита, а потом вновь поднимают до уровня, при котором за счет сил смачивания и поверхностного натяжения электролита обеспечивается существование устойчивого столба электролита между соплом и изделием. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для получения значительной разницы между толщиной осажденного слоя в центре и по краям покрываемого участка поверхности изделие в ходе гальванического процесса постепенно отодвигают от сопла, но предельное расстояние не должно превышать уровня, обеспечивающего неразрывность струи электролита.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года RU2049828C1

Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Установка для локального гальванопокрытия 1981
  • Лукьянчиков Виктор Егорович
  • Байдалинов Илья Владимирович
  • Селиванов Михаил Яковлевич
SU953013A2
Видоизменение пишущей машины для тюркско-арабского шрифта 1923
  • Мадьяров А.
  • Туганов Т.
SU25A1
Устройство для видения на расстоянии 1915
  • Горин Е.Е.
SU1982A1

RU 2 049 828 C1

Авторы

Ермолин И.К.

Ковалков Н.В.

Кульков А.А.

Горовой Б.Н.

Воробьева Л.Г.

Михайлов В.М.

Даты

1995-12-10Публикация

1991-11-22Подача