Изобретение относится к технологии получения монокристаллических эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа А4B6 на изолирующих монокристаллических подложках из фторида бария и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводниковых пленочных фоточувствительных элементов, работающих при комнатной температуре в диапазоне длин волн 7-8,5 мкм.
Известен способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев твердых растворов A4B6, в частности Pb1-xSnxTe (х=0,17), состоящий из испарения вышеуказанного материала с последующей конденсацией на сколах фторида бария. Эпитаксиальные слои обладали фоточувствительностью при температуре Т=77 К вплоть до длины волны λ = 10 мкм [1]
К недостаткам этого известного способа получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев следует отнести отсутствие фоточувствительности при комнатной температуре.
В качестве прототипа выбран способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов A4B6, в частности РbSxSe1-x, фоточувствительных при комнатной температуре в диапазоне длин волн 1-3,5 мкм [2] В этом способе эпитаксиальные слои получены в квазизамкнутом объеме в вакууме путем испарения материалов с различным содержанием сульфида свинца с последующей конденсацией на подложках из фторида бария.
К недостаткам этого способа получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев следует отнести отсутствие фоточувствительности при комнатной температуре в диапазоне длин волн 7-8,5 мкм.
Соответствие критерию "новизна" предлагаемого способа обеспечивается тем, что для испарения берут материал состава (Pb1-x Snx Te1-y+$$$ Sey)1-z (InTe)z, где 0,29 ≅ x ≅ 0,31, 0,24 ≅ Y ≅ 0,26, 0,012 ≅ Z ≅ 0,017, δ
Сравнение заявляемого решения с известными решениями в данной области техники не позволило выявить в них признаки, отличающие заявляемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенные отличия".
Технический результат достигается за счет совокупного действия всех существенных признаков.
Сущность предложенного способа заключается в следующем. На изолирующие подложках из фторида бария методом горячей стенки в квазизамкнутом объеме выращены эпитаксиальные слои составов (Pb1-x Snx Te1-y+$$$ Sey)1-z (InTe)z, где 0,29 ≅ x ≅ 0,31, 0,24 ≅ Y ≅ 0,26, 0,012 ≅ Z ≅ 0,017, 10-4≅δ≅10-3. обладающие фоточувствительностью при комнатной температуре в диапазоне длин волн 7-8,5 мкм. Температура источника пара составляла 508 ± 2 o C, температура подложки 457 ± 2 o C. Время выращивания эпитаксиального слоя не менее 10 мин и зависит от необходимости получения слоя определенной толщины.
Примеры. Выращены эпитаксиальные слои из материалов источника пара (Рb1-x Snx Te1-y+$$$ Sey)1-z (InTe)z, состав которых вольт-ваттная чувствительность при комнатной температуре с точностью ± 0,005 В/Вт и длина волны δ с точностью ± 0,05 мкм, при которой наблюдается максимальная фоточувствительность, приведены в нижеследующей таблице.
На чертеже приведена типичная спектральная зависимость фотопроводимости при комнатной температур для эксперимента N 7.
Таким образом, использование в методе горячей стенки в качестве испаряемого материала (Pb1-x Snx Te1-y+$$$ Sey)1-z (InTe)z, где 0,29 ≅ x ≅ 0,31, 0,24 ≅ Y ≅ 0,26, 0,012 ≅ Z ≅ 0,017, 10-4≅δ≅10-3, позволяет получать эпитаксиальные слои, фоточувствительные при комнатной температуре в диапазоне длин волн 7-8,5 мкм.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НЕПРЕРЫВНОГО ВОЛОКНА ИЗ РАСПЛАВА БАЗАЛЬТОВЫХ ГОРНЫХ ПОРОД | 1992 |
|
RU2102342C1 |
| Применение слоистого полупроводникового кристалла селенида индия в качестве тензодатчика при исследовании деформации твердеющей смеси | 1989 |
|
SU1758511A1 |
| ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР | 1991 |
|
RU2031486C1 |
| ВАННАЯ ПЕЧЬ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ РАСПЛАВА ИЗ ГОРНЫХ ПОРОД | 1992 |
|
RU2017691C1 |
| Преобразователь давления | 1985 |
|
SU1303860A1 |
| Способ струнной резки полупроводниковых кристаллов | 1989 |
|
SU1689089A1 |
| СЫРЬЕВАЯ СМЕСЬ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕПЛОИЗОЛЯЦИОННОГО МАТЕРИАЛА | 1992 |
|
RU2081095C1 |
| СТЕКЛО ДЛЯ СТЕКЛОВОЛОКНА | 1992 |
|
RU2039019C1 |
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОСТАТОЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ | 2005 |
|
RU2310183C2 |
| Способ определения температуры объекта и устройство для его осуществления | 1990 |
|
SU1804599A3 |
Использование: в электронной промышленности для получения полупроводниковых пленочных фоточувствительных элементов, а именно технология получения монокристаллических эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа А4B6 на изолирующих монокристаллических подложках из фторида бария. Сущность изобретения: способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа A4B6 включает в себя испарение материала при температуре испарителя 508 ± 2oC и его осаждение на монокристаллическую подложку из фторида бария, находящегося при температуре 457±2oC в квазизамкнутом объеме в вакууме. Для испарения берут материал состава (Pb1-xSnxTe1-y+$$$Sey)1-z (InTe)z, где 0,29 меньше/равно х меньше равно 0,31, 0,24 меньше/равно y меньше/равно 0,26, 0,012 меньше/равно z меньше/равно 0,016, 10-4 меньше/равно δ меньше/равно 10-3. 1 ил., 1 табл.
Способ получения фоточувствительных эпитаксиальных слоев легированных твердых растворов типа A4B6, включающий испарение материала при температуре испарителя (508+2)oC и его осаждение на монокристаллическую изолирующую подложку из фторида бария, находящуюся при температуре (457+2)oC в квазизамкнутом объеме в вакууме, отличающийся тем, что для испарения используют материал состава
(Pb1-xSnxTe1-y+δ )1-z(InTe)z
где 0,29 ≅ х ≅ 0,31;
0,24 ≅ у ≅ 0,26;
0,012 ≅ z ≅ 0,017;
10-4≅ δ ≅ 10-3
| Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
| Logolhelis E.M | |||
| Holloway H | |||
| Photoconductivity in Epitaxial PbSnTe | |||
| J.appe | |||
| Контрольный висячий замок в разъемном футляре | 1922 |
|
SU1972A1 |
| Зубчатое колесо со сменным зубчатым ободом | 1922 |
|
SU43A1 |
| Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
| Патент США N 4154631, кл | |||
| Раздвижной паровозный золотник с подвижными по его скалке поршнями между упорными шайбами | 1922 |
|
SU148A1 |
