ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИНДИКАТОР Российский патент 1996 года по МПК H05B33/02 

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при конструировании и изготовлении тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

Известен тонкопленочный электролюминесцентный индикатор, имеющий обычную конструкцию: на стеклянную подложку нанесен прозрачный электрод из оксида индия-олова, слой люминофора, заключенный между двумя диэлектрическими пленками и пленка алюминия, нанесенная на поверхность верхней диэлектрической пленки [1] Недостатком известного тонкопленочного электролюминесцентного индикатора является недостаточно высокая электрическая прочность электролюминесцентных ячеек из-за образования бугорков на границе раздела пленки алюминия и пленки диэлектрика, при температурных обработках в процессе напыления пленки алюминия. Появление бугорков приводит к росту напряженности электрического поля и пробою электролюминесцентных ячеек при меньших значениях электрического напряжения.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому решению является тонкопленочный электролюминесцентный индикатор, в котором с целью увеличения электрической прочности электролюминесцентных ячеек предлагается между алюминиевым электродом и верхней диэлектрической пленкой дополнительно создавать тонкую диэлектрическую пленку, например, из оксида алюминия [2] Однако такая конструкция индикатора имеет недостатки, связанные с увеличением рабочего напряжения из-за увеличения толщины второго диэлектрика. Уменьшение же толщины второго диэлектрика на величину толщины дополнительной диэлектрической пленки оксида алюминия приведет к уменьшению пробивного напряжения.

Задача изобретения увеличение электрической прочности электролюминесцентных ячеек тонкопленочного электролюминесцентного индикатора.

Эта задача решается следующим образом. В известной конструкции тонкопленочного электролюминесцентного индикатора между алюминиевым электродом и дополнительной диэлектрической пленкой вводится тонкий слой иттрия [2] Результаты экспериментов показали, что введение тонкого слоя иттрия толщиной от 5 до 50 нм способствует увеличению электрической прочности на 30-40 При этом толщину второго диэлектрического слоя возможно уменьшить на толщину дополнительной диэлектрической пленки без уменьшения пробивного напряжения.

Пример. Были изготовлены электролюминесцентные индикаторы известной конструкции (между алюминиевым электродом и верхней диэлектрической пленкой располагалась дополнительная диэлектрическая пленка оксида алюминия толщиной 0,1 мкм) и были изготовлены индикаторы по предложенному техническому решению (с дополнительной пленкой иттрия между пленкой алюминия и пленкой оксида алюминия).

Результаты сравнения приведены в таблице.

При толщине пленки иттрия менее 5 нм эффекта увеличения пробивного напряжения не наблюдалось. При толщине пленки иттрия более 50 нм увеличивалось поверхностное сопротивление пленки алюминия, что увеличивало тепловые потери в индикаторе и не являлось желательным. Из данных таблицы следует что, введение дополнительной пленки иттрия приводит к увеличению электрической прочности на 30-40%

Использование: в области оптоэлектроники, при конструировании и изготовлении тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Сущность изобретения: предлагается конструкция электролюминесцентного индикатора, в котором между алюминиевым электродом и дополнительной диэлектрической пленкой располагается слой иттрия толщиной 5 нм- 50 нм, что позволяет на 30-40% повысить электрическую прочность индикатора.1 табл.

Тонкопленочный электролюминесцентный индикатор, имеющий между верхним алюминиевым электродом и вторым диэлектрическим слоем дополнительную диэлектрическую пленку, отличающийся тем, что между дополнительной диэлектрической пленкой и алюминиевым электродом размещается тонкий слой иттрия толщиной 5 -50 нм.