СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО ИНДИКАТОРА Российский патент 1997 года по МПК H05B33/10 

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к разработке и изготовлению устройств отображения информации и может быть использовано при производстве тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов.

Известен способ изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора, имеющего сэндвич-структуру с люминофором, заключенным между двумя диэлектрическими слоями, причем с целью предотвращения дефектообразования на межфазной границе между вторым диэлектрическим слоем и люминофором наносится пленка оксида алюминия, позволяющая увеличить светоотдачу и предотвратить диэлектрический пробой [1]
Недостатком этого способа является низкий процент выхода годных электролюминесцентных ячеек из-за проникновения и замыкания металла верхнего электрода в сквозные поры и микроотверстия, образующиеся в диэлектрической пленке и пленке люминофора в процессе осаждения этих пленок из-за прилипания к поверхности подложки микрочастиц пыли и частиц осаждаемых материалов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому способу является способ изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора, имеющего сэндвич-структуру с люминофором, заключенным между двумя диэлектрическими слоями, причем с целью увеличения процента выхода годных в качестве второго диэлектрического слоя используют чередующиеся диэлектрические слои из различных материалов [2] Однако и в этом способе не устраняется полностью замыкание электродов электролюминесцентных ячеек через образующиеся в процессе осаждения диэлектрика и пленок люминофора сквозные микроотверстия и поры.

Задача изобретения увеличение процента выхода годных электролюминесцентных ячеек за счет устранения замыкания электродов через сквозные поры и микроотверстия в пленках диэлектрика и люминофора.

В известном способе [2] изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора, использующем для изоляции люминофора чередующиеся диэлектрические слои, перед осаждением каждого чередующегося слоя производят гидромеханическую отмывку. При гидромеханической отмывке происходит удаление и перемещение пылевидных микрочастиц, приводящих к образованию микроотверстий, а также происходит инициирование скрытых пор и микроотверстий в нижележащих диэлектрических и люминесцентном слоях. Эти поры и микроотверстия заполняются материалом последующих чередующихся диэлектрических слоев. При осаждении металлических пленок не происходит замыкания верхних и нижних электродов индикатора.

Пример. Были изготовлены индикаторы имеющие сэндвич-структуру с люминофором ZnS:Mn, где в качестве чередующихся диэлектрических слоев использовали пленки BaTaO и PrMnO. В первом случае при осаждении чередующихся диэлектрических слоев из 22000 электролюминесцентных ячеек было обнаружено до 100 закороченных ячеек. Во втором случае перед осаждением каждого из чередующихся слоев проводили гидромеханическую отмывку, при этом замыкания электродов ячеек не наблюдалось.

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано при производстве тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Сущность изобретения: в известном способе изготовления электролюминесцентного индикатора, имеющего сэндвич-структуру с люминофором, заключенным между двумя диэлектрическими слоями с использованием в качестве второго диэлектрического слоя чередующихся диэлектрических слоев из разных материалов, перед осаждением каждого из чередующихся диэлектрических слоев проводится гидромеханическая отмывка.

Способ изготовления тонкопленочного электролюминесцентного индикатора, включающий получение сэндвич-структуры с люминофором, заключенным между двумя диэлектрическими слоями, причем в качестве второго диэлектрического слоя осаждают чередующиеся диэлектрические слои из разных материалов, отличающийся тем, что перед осаждением каждого из чередующихся диэлектрических слоев производят удаление и перемещение пылевидных микрочастиц, инициируя скрытые поры и микроотверстия путем гидромеханической обработки поверхности слоев.