СПОСОБ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН В ВАКУУМЕ Российский патент 1997 года по МПК H01L21/306 

Описание патента на изобретение RU2076390C1

Изобретение относится к области технологической обработки полупроводниковых пластин в вакууме, а более конкретно к способам охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме.

Известен способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме путем использования теплопроводящего вещества, взаимодействующего с полупроводниковой пластиной и подложкодержателем [1] В качестве теплопроводящего вещества используется газообразный гелий.

Недостатком аналога является малая эффективность охлаждения.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме путем использования теплопроводящего вещества, взаимодействующего с полупроводниковой пластиной и подложкодержателем [2] В качестве теплопроводящего вещества используется серебряная паста.

Недостатком прототипа является также малая эффективность охлаждения ввиду того, что фактическая площадь контакта меньше номинальной.

В основу изобретения положена задача повысить эффективность охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме.

Эта задача решается тем, что в качестве теплопроводящего вещества используют легкоплавкий металл, галлий, который в жидком виде располагают в поддоне, без дополнительного крепления, а между пластинами и поддоном располагают тонкую теплопроводящую резиновую прокладку.

Введение в способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме легкоплавкого металла галлия, поддона и теплопроводящей резиновой прокладки обеспечивает условия, при которых фактическая площадь контакта становится равной номинальной, что и позволяет повысить эффективность охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме.

Сопоставительный анализ заявляемого способа охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме и прототипа показывает, что предлагаемое техническое решение соответствует критерию изобретения "новизна".

Сравнение заявляемого решения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники, позволило выявить в нем совокупность признаков, отличающих заявляемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенные отличия".

На фиг.1 представлена схема устройства охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме с легкоплавким металлом галлием и поддоном; на фиг.2 схема устройства охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме с легкоплавким металлом галлием, поддоном и тонкой теплопроводящей резиновой прокладкой.

Устройство, реализующее способ (фиг. 1), содержит полупроводниковую пластину 1, подложкодержатель 2. Между пластиной 1 и подложкодержателем 2 располагается поддон 3 с легкоплавким металлом, галлием 4. Между пластиной 1 и поддоном 3 расположена тонкая теплопроводящая резиновая прокладка 5 (фиг. 2). Диаметр поддона 3 выполнен больше, чем диаметр пластины 1.

Способ реализуется следующим образом.

Полупроводниковую пластину 1 (фиг.1) помещают на поддон 3 с галлием 4 и осуществляют теплопередачу от подложкодержателя 2 к пластине 1. Так как жидкий галлий покрыт сверху окисной пленкой то смачивания материала пластины 1 с галлием 4 не происходит.

Для полного устранения вероятности смачивания между пластиной 1 и жидким галлием 4 помещают теплопроводящую резиновую прокладку 5 (фиг.2). Процесс осуществляют при температуре не менее, чем температура плавления галлия, т. е. 29,8oС.

Применение предлагаемого способа охлаждения повышает эффективность охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме за счет того, что фактическая площадь контакта становится равной номинальной, а сам галлий обладает высокой теплопроводностью.

Похожие патенты RU2076390C1

название год авторы номер документа
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОДЛОЖЕК В ВАККУМЕ 1993
  • Вологиров А.Г.
  • Ивашов Е.Н.
  • Кондрашов П.Е.
  • Оринчев С.М.
  • Слепцов В.В.
  • Степанчиков С.В.
RU2089654C1
СИСТЕМА ОХЛАЖДЕНИЯ ПОДЛОЖЕК В ВАКУУМЕ 1993
  • Вологиров А.Г.
  • Ивашов Е.Н.
  • Оринчев С.М.
  • Слепцов В.В.
  • Степанчиков С.В.
RU2089662C1
СПОСОБ НАПУСКА ГАЗА В ВАКУУМНУЮ КАМЕРУ 1993
  • Вологиров А.Г.
  • Ивашов Е.Н.
  • Кондрашов П.Е.
  • Оринчев С.М.
  • Слепцов В.В.
  • Степанчиков С.В.
RU2073745C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОДЛОЖЕК В ВАКУУМЕ 1993
  • Ивашов Евгений Николаевич
  • Кондрашов Павел Евгеньевич
  • Оринчев Сергей Михайлович
  • Степанчиков Сергей Валентинович
RU2046838C1
ПЬЕЗОПРИВОД 1993
  • Василенко Н.В.
  • Григорьев И.Ю.
  • Ивашов Е.Н.
  • Степанчиков С.В.
RU2086417C1
КАТОДНЫЙ УЗЕЛ 1993
  • Ивашов Е.Н.
  • Кондрашов П.Е.
  • Оринчев С.М.
  • Слепцов В.В.
  • Степанчиков С.В.
RU2089661C1
КАТОДНЫЙ УЗЕЛ ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ 1992
  • Ивашов Евгений Николаевич
  • Кондрашов Павел Евгеньевич
  • Оринчев Сергей Михайлович
  • Слепцов Владимир Владимирович
  • Степанчиков Сергей Валентинович
RU2074904C1
КАТОДНЫЙ УЗЕЛ 1993
  • Ивашов Е.Н.
  • Кондрашов П.Е.
  • Оринчев С.М.
  • Слепцов В.В.
  • Степанчиков С.В.
RU2089658C1
КАТОДНЫЙ УЗЕЛ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ 1993
  • Ивашов Е.Н.
  • Кондрашов П.Е.
  • Оринчев С.М.
  • Слепцов В.В.
  • Степанчиков С.В.
RU2089660C1
УСТРОЙСТВО КАТОДНОГО УЗЛА ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ 1993
  • Ивашов Е.Н.
  • Кондрашов П.Е.
  • Оринчев С.М.
  • Слепцов В.В.
  • Степанчиков С.В.
RU2089659C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 076 390 C1

Реферат патента 1997 года СПОСОБ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН В ВАКУУМЕ

Использование: изобретение относится к области технологической обработки полупроводниковых пластин в вакууме, а более конкретно к способам охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме. Сущность: в качестве теплопроводящего вещества используют легкоплавкий металл галлий, который в жидком виде располагают в поддоне, без дополнительного крепления, а между пластинами и поддоном располагают тонкую теплопроводящую резиновую прокладку. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 076 390 C1

Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме, включающий размещение между подложкодержателем и полупроводниковой пластиной теплопроводящего вещества, отличающийся тем, что теплопроводящее вещество размещают в поддоне, расположенном между пластиной и подложкодержателем, диаметр поддона выбирают больше диаметра пластины, а в качестве теплопроводящего вещества используют галлий в жидком виде.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1997 года RU2076390C1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Ивановский Г.Ф., Петров В.И
Ионоплазменная обработка материалов
- М.: Радио и связь, 1986, с.194, рис.4.15, кр.3
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Там же, с.194
Очаг для массовой варки пищи, выпечки хлеба и кипячения воды 1921
  • Богач Б.И.
SU4A1

RU 2 076 390 C1

Авторы

Вологиров А.Г.

Григорьев И.Ю.

Ивашов Е.Н.

Кондрашов П.Е.

Оринчев С.М.

Слепцов В.В.

Степанчиков С.В.

Даты

1997-03-27Публикация

1993-04-26Подача