Изобретение относится к области технологической обработки полупроводниковых пластин в вакууме, а более конкретно к способам охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме.
Известен способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме путем использования теплопроводящего вещества, взаимодействующего с полупроводниковой пластиной и подложкодержателем [1] В качестве теплопроводящего вещества используется газообразный гелий.
Недостатком аналога является малая эффективность охлаждения.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме путем использования теплопроводящего вещества, взаимодействующего с полупроводниковой пластиной и подложкодержателем [2] В качестве теплопроводящего вещества используется серебряная паста.
Недостатком прототипа является также малая эффективность охлаждения ввиду того, что фактическая площадь контакта меньше номинальной.
В основу изобретения положена задача повысить эффективность охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме.
Эта задача решается тем, что в качестве теплопроводящего вещества используют легкоплавкий металл, галлий, который в жидком виде располагают в поддоне, без дополнительного крепления, а между пластинами и поддоном располагают тонкую теплопроводящую резиновую прокладку.
Введение в способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме легкоплавкого металла галлия, поддона и теплопроводящей резиновой прокладки обеспечивает условия, при которых фактическая площадь контакта становится равной номинальной, что и позволяет повысить эффективность охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме.
Сопоставительный анализ заявляемого способа охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме и прототипа показывает, что предлагаемое техническое решение соответствует критерию изобретения "новизна".
Сравнение заявляемого решения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники, позволило выявить в нем совокупность признаков, отличающих заявляемое техническое решение от прототипа, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию "существенные отличия".
На фиг.1 представлена схема устройства охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме с легкоплавким металлом галлием и поддоном; на фиг.2 схема устройства охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме с легкоплавким металлом галлием, поддоном и тонкой теплопроводящей резиновой прокладкой.
Устройство, реализующее способ (фиг. 1), содержит полупроводниковую пластину 1, подложкодержатель 2. Между пластиной 1 и подложкодержателем 2 располагается поддон 3 с легкоплавким металлом, галлием 4. Между пластиной 1 и поддоном 3 расположена тонкая теплопроводящая резиновая прокладка 5 (фиг. 2). Диаметр поддона 3 выполнен больше, чем диаметр пластины 1.
Способ реализуется следующим образом.
Полупроводниковую пластину 1 (фиг.1) помещают на поддон 3 с галлием 4 и осуществляют теплопередачу от подложкодержателя 2 к пластине 1. Так как жидкий галлий покрыт сверху окисной пленкой то смачивания материала пластины 1 с галлием 4 не происходит.
Для полного устранения вероятности смачивания между пластиной 1 и жидким галлием 4 помещают теплопроводящую резиновую прокладку 5 (фиг.2). Процесс осуществляют при температуре не менее, чем температура плавления галлия, т. е. 29,8oС.
Применение предлагаемого способа охлаждения повышает эффективность охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме за счет того, что фактическая площадь контакта становится равной номинальной, а сам галлий обладает высокой теплопроводностью.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОДЛОЖЕК В ВАККУМЕ | 1993 |
|
RU2089654C1 |
СИСТЕМА ОХЛАЖДЕНИЯ ПОДЛОЖЕК В ВАКУУМЕ | 1993 |
|
RU2089662C1 |
СПОСОБ НАПУСКА ГАЗА В ВАКУУМНУЮ КАМЕРУ | 1993 |
|
RU2073745C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОДЛОЖЕК В ВАКУУМЕ | 1993 |
|
RU2046838C1 |
ПЬЕЗОПРИВОД | 1993 |
|
RU2086417C1 |
КАТОДНЫЙ УЗЕЛ | 1993 |
|
RU2089661C1 |
КАТОДНЫЙ УЗЕЛ ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ | 1992 |
|
RU2074904C1 |
КАТОДНЫЙ УЗЕЛ | 1993 |
|
RU2089658C1 |
КАТОДНЫЙ УЗЕЛ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ | 1993 |
|
RU2089660C1 |
УСТРОЙСТВО КАТОДНОГО УЗЛА ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ | 1993 |
|
RU2089659C1 |
Использование: изобретение относится к области технологической обработки полупроводниковых пластин в вакууме, а более конкретно к способам охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме. Сущность: в качестве теплопроводящего вещества используют легкоплавкий металл галлий, который в жидком виде располагают в поддоне, без дополнительного крепления, а между пластинами и поддоном располагают тонкую теплопроводящую резиновую прокладку. 2 ил.
Способ охлаждения полупроводниковых пластин в вакууме, включающий размещение между подложкодержателем и полупроводниковой пластиной теплопроводящего вещества, отличающийся тем, что теплопроводящее вещество размещают в поддоне, расположенном между пластиной и подложкодержателем, диаметр поддона выбирают больше диаметра пластины, а в качестве теплопроводящего вещества используют галлий в жидком виде.
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Ивановский Г.Ф., Петров В.И | |||
Ионоплазменная обработка материалов | |||
- М.: Радио и связь, 1986, с.194, рис.4.15, кр.3 | |||
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Там же, с.194 | |||
Очаг для массовой варки пищи, выпечки хлеба и кипячения воды | 1921 |
|
SU4A1 |
Авторы
Даты
1997-03-27—Публикация
1993-04-26—Подача