Изобретение относится к конструированию и изготовлению датчиков давления, включающих полупроводниковый чувствительный элемент, выполненный по планарной микроэлектронной технологии и техники анизотропного травления.
Известны конструкции датчиков давления, содержащие полупроводниковый чувствительный элемент, установленный на основании корпуса через стеклянный пьедестал, токопроводы, герметично проходящие через корпус и электрически контактирующие с чувствительным элементом посредством тонких проволочек, присоединенных микросваркой [1]
В таких конструкциях снижены механические напряжения в чувствительном элементе за счет согласования значений термических коэффициентов линейного расширения материалов чувствительного элемента, стеклянного пьедестала и корпуса.
Наиболее близким техническим решением, выбранным в качестве прототипа является конструкция датчика давления, содержащая полупроводниковый чувствительный элемент, установленный на основание корпуса через стеклянный пьедестал, токопроводы, герметично проходящие через корпус и электрически контактирующие с чувствительным элементом посредством тонких проволочек присоединенных микросваркой, крышку, защищающую полупроводниковый чувствительный элемент от внешних механических воздействий [2]
Недостатком известной конструкции датчика давления является относительно большая длина тонких коммутационных проволочек между полупроводниковым чувствительным элементом и токопроводами, что снижает надежность сварного соединения при механических воздействиях, относительно большая сложность конструкции, относительно большая сложность и трудоемкость сборки датчика в целом.
К недостаткам этой конструкции можно отнести жесткую связь полупроводникового чувствительного элемента с корпусом датчика, что несмотря, на наличие стеклянного пьедестала, в определенных случаях может привести к дополнительной погрешности от монтажных и термомеханических напряжений, передаваемых от корпуса датчика на полупроводниковый чувствительный элемент.
Целью изобретения является увеличение надежности конструкции датчика давления при механических воздействиях, уменьшение дополнительной погрешности от монтажных и термомеханических напряжений, упрощение конструкции и снижение трудоемкости при изготовлении датчика в целом.
Указанная цель достигается тем, что в датчик давления, содержащий полупроводниковый упругий чувствительный элемент с тензорезисторами и контактными площадками, жестко соединенный со стеклянной или кремниевой пластиной с образованием полости между ними, и крышку, введена герметично закрепленная между корпусом и крышкой эластичная подвеска, выполненная в виде гофрированной мембраны, на которой смонтированы металлизированные токоведущие дорожки, контактные площадки и выходные контакты, при этом полупроводниковый чувствительный элемент жестко закреплен по контуру на мембране, его контактные площадки соединены пайкой с контактными площадками мембраны, а в крышке и пластине выполнены отверстия.
Применение эластичной гофрированной мембраны, содержащей гибкий печатный кабель и выполняющей одновременно функции токопроводов, тонких коммутационных проволочек и опорного элемента позволяет полностью развязать узел чувствительного элемента от корпуса датчика и тем самым исключить влияние монтажных и термомеханических напряжений на полупроводниковый чувствительный элемент, увеличить надежность при механических действиях и упростить конструкцию датчика, снизить трудоемкость изготовления, за счет применения групповой технологии поверхностного монтажа при установке полупроводникового чувствительного элемента на эластичную мембрану.
На фиг. 1 представлен разрез конструкции датчика абсолютного, избыточного или разности давлений. На фиг. 2 представлен вид сверху со снятой крышкой.
Датчик давления содержит полупроводниковый чувствительный элемент 1 с тензорезисторами, соединенный с методом электростатического сращивания с кремниевой или стеклянной пластиной 2, с образованием полости 3 и установленный методом поверхностного монтажа на герметично закрепленную между корпусом 4 и крышкой 5 эластичную гофрированную мембрану 6, содержащую токоведущие дорожки 7. На металлизированной поверхности эластичной мембраны 6 химическим методом сформированы контактные площади 8, электрически контактирующие с контактными площадками полупроводникового чувствительного элемента через паяное соединение 9, токоведущие дорожки 7, выходные контакты 10 для внешней электрической коммутации.
Для измерения избыточного и разности давлений в пластине 2 и крышке 5 выполнены отверстия 11 диаметром D для передачи опорного или атмосферного давления на другую сторону полупроводникового чувствительного элемента 1, при этом надмембранная 12 и подмембранная 13 полости загерметизированы друг от друга по периметру полупроводникового чувствительного элемента 1 эластичным компаундом 14, например, СИЭЛ.
Принцип работы датчика основан на использовании тензорезистивного эффекта. Измеряемое давление изгибает упругий чувствительный элемент 1, что приводит в деформации расположенных на нем тензорезисторов, включенных в мостовую схему, на выходе которой регистрируется электрический сигнал, прямопропорциональный приложенному измеряемому давлению.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 2009 |
|
RU2392592C1 |
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ | 1998 |
|
RU2141103C1 |
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ КНИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2015 |
|
RU2609223C1 |
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ | 1993 |
|
RU2106610C1 |
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1990 |
|
SU1771272A1 |
Датчик давления | 1977 |
|
SU746217A1 |
МУЛЬТИПЛИКАТИВНЫЙ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) | 2003 |
|
RU2247342C1 |
ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ТОЧНОСТИ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА С ЖЕСТКИМ ЦЕНТРОМ | 2012 |
|
RU2507490C1 |
Датчик давления с интегральным преобразователем температуры пониженного энергопотребления | 2019 |
|
RU2730890C1 |
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ | 1994 |
|
RU2083965C1 |
Использование: изобретение относится к датчикам давления, включающих полупроводниковый чувствительный элемент, выполненный по планарной микроэлектронной технологии, и может быть применено для измерения абсолютного, избыточного и разности давлений. Изобретение направлено на увеличение надежности конструкции при механических воздействиях, уменьшение дополнительной погрешности от монтажных и термомеханических напряжений, упрощение конструкции и снижение трудоемкости при изготовлении датчика давления. Сущность изобретения: датчик давления содержит полупроводниковый чувствительный элемент 1 с тензорезисторами, соединенный с кремниевой или стеклянной пластиной 2, герметично соединенные корпус 4 и крышку 5, в пространстве между которыми размещается герметично закрепленная эластичная гофрированная мембрана 6, имеющая металлические токоведущие дорожки 7 и контактные площадки 8, соединенные пайкой с контактными площадками полупроводникового чувствительного элемента 1. Новым в конструкции датчика является наличие эластичной мембраны 6, на которой методом поверхностного монтажа установлен полупроводниковый чувствительный элемент 1, полностью развязанный от корпуса датчика. 2 ил.
Датчик давления, содержащий корпус, полупроводниковый упругий чувствительный элемент с тензорезисторами и контактными площадками, жестко соединенный с кремниевой или стеклянной пластиной с образованием полости между ними, и крышку, герметично соединенную с корпусом, отличающийся тем, что в него выведена герметично закрепленная между корпусом и крышкой эластичная подвеска, выполненная в виде гофрированной мембраны, на поверхности которой сформированы металлизированные токоведущие дорожки, контактные площадки и выходные контакты, при этом упругий чувствительный элемент жестко закреплен по контуру на мембране, его контактные площадки соединены пайкой с контактными площадками мембраны, а в крышке и пластине выполнены отверстия.
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Патент ФРГ N 3436440, кл | |||
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Патент ГДР N 225501, кл | |||
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1997-06-20—Публикация
1995-04-26—Подача