ДАТЧИК ДЕФОРМАЦИИ Российский патент 1997 года по МПК H01L29/84 

Изобретение относится к устройствам, используемым в измерительной технике, для измерения деформаций, вибраций, колебательных процессов.

Тензодатчики из конденсированных в вакууме пленок германия имели коэффициент тензочувствительности от 38 до 50. Тензодатчики из вырожденного арсенида галлия при хорошей температурной стабильности имели коэффициент тензочувствительности приблизительно 40 [1]
Тензорезистор из поликристаллической пленки антимонида индия n-типа проводимости на слюдяной подложке, имеющий концентрацию носителей заряда 10¹⁶-10¹⁷ см^-3 при комнатной температуре, имел тензочувствительность 20.40 [2]
Имеющиеся тензорезисторы отличаются незначительной тензочувствительностью.

Техническим результатам является повышение тензочувствительности.

Предлагаемый датчик деформации, содержащий тензорезистор, выполненный из поликристаллической пленки антимонида индия n-типа проводимости на слюдяной подложке, дополнительно содержит источник белого света, установленный с возможностью облучения пленки антимонида индия освещенностью 1000-1500 лк.

Датчик работает следующим образом.

Поликристаллическая пленка антимонида индия n-типа проводимости на слюдяной подложке приклеивается клеем ВФ-2 к деформируемому объекту, и при облучении ее белым светом освещенностью 1000-1500 лк во время работы тензорезистора тензочувствительность возрастает в 1,5-2 раза.

Использование: в измерительной технике. Сущность: датчик содержит тензорезистор, представляющий собой поликристаллическую пленку антимонида индия n-типа проводимости толщиной 1-5 мкм с концентрацией носителей заряда 10¹⁶ - 10¹⁷ см^-3. Такие пленки обладают повышенной тензочувствительностью (S= 20-40), что связано с изменением потенциальных барьеров на границе кристаллитов. Кроме тензорезистора, датчик содержит источник белого света. Под действием интегрального излучения при освещенности 1000-1500 лк величина тензочувствительности возрастает в 1,5-2,0 раза (S=40-80) за счет добавки концентрации неравновесных носителей заряда.

Датчик деформации, содержащий тензорезистор, выполненный из поликристаллической пленки антимонида индия n-типа проводимости на слюдяной подложке, отличающийся тем, что датчик дополнительно содержит источник белого света, установленный с возможностью облучения пленок антилюнида индия освещенностью 1000 1500 лк.