МИКРОТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР Российский патент 1999 года по МПК H01L35/18 H01L35/28 

Описание патента на изобретение RU2130216C1

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике, в частности к конструктивному изготовлению микротермоэлектрогенератора.

В применяемых термоэлектрических генераторах ЭДС возникает за счет разности энергии электронов в контактирующих материалах, разности энергии Фержи и наличия эффекта фононного увлечения. Значения термоЭДС в пленках и кристаллах p-In Sb 200-500 мкВ/К в диапазоне температур 100-300 К.

Микротермоэлектрогенератор изготовлен на основе перекристаллизованной пленки антимонида индия n - типа проводимости на слюдяной подложке и представляет собой монокристаллическую матрицу с низкоомными включениями двухфазной системы p - InSb + In, который отличается тем, что за счет этих включений неоднородностей в пленке на границе матрица - неоднородность в нем возникает аномально высокое значение термоЭДС, равное 700-800 мкВ/К в области температур 100-340 К.

Пленка n - InSb, полученная термической перекристаллизацией в вакууме слюдяной подложки, представляет монокристаллическую матрицу n - InSb стехиометрического состава с низкоомными включениями двухфазной системы p - InSb + In. Микротермоэлектрогенератор изготавливают из такой пленки, для чего на нее напыляют индиевые токовые контакты, к которым припаиваются эвтектическим сплавом In - Sb тонкие медные проволочки для измерения ЭДС. Один конец пленки поддерживается при температуре T1, а второй при температуре T2.

Температуры T1 и T2 измеряются хромельалюмелиевыми термопарами, имеющими полусферические головки, которые плотно прижимаются к поверхности пленки в местах контакта. Разность температур при измерениях в диапазоне 100-340 К составляла 15-20 К, ЭДС 10-12 мВ, а термоЭДС 700-800 мкВ/К.

Похожие патенты RU2130216C1

название год авторы номер документа
ПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ 1998
  • Зюзин С.Е.
  • Никольский Ю.А.
RU2148791C1
ФОТОРЕЗИСТОР 1995
  • Никольский Юрий Анатольевич
RU2095887C1
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА 2005
  • Каминский Владимир Васильевич
  • Голубков Александр Васильевич
  • Казанин Михаил Михайлович
  • Павлов Игорь Владимирович
  • Соловьев Сергей Михайлович
  • Шаренкова Наталия Викторовна
RU2303834C2
ДАТЧИК ДЕФОРМАЦИИ 1993
  • Никольский Юрий Анатольевич
RU2087052C1
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА САМАРИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО АТОМАМИ СЕМЕЙСТВА ЛАНТАНОИДОВ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 2012
  • Каминский Владимир Васильевич
RU2548062C2
ЭЛЕМЕНТ ОПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ 2000
  • Никольский Ю.А.
  • Донцова В.В.
RU2207638C2
МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ КОМПОЗИТ 2016
  • Аронзон Борис Аронович
  • Маренкин Сергей Фёдорович
  • Новодворский Олег Алексеевич
  • Федорченко Ирина Валентиновна
RU2633538C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОДИОДА НА АНТИМОНИДЕ ИНДИЯ 2006
  • Астахов Владимир Петрович
  • Гиндин Павел Дмитриевич
  • Ежов Виктор Петрович
  • Карпов Владимир Владимирович
  • Соловьева Галина Сергеевна
RU2313854C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МАЛОДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ГАЛЛИЯ 2013
  • Ежлов Вадим Сергеевич
  • Мильвидская Алла Георгиевна
  • Молодцова Елена Владимировна
RU2534106C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРУПНОГАБАРИТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АНТИМОНИДА ИНДИЯ 2012
  • Ежлов Вадим Сергеевич
  • Мильвидская Алла Георгиевна
  • Молодцова Елена Владимировна
  • Колчина Галина Петровна
  • Меженный Михаил Валерьевич
  • Резник Владимир Яковлевич
RU2482228C1

Реферат патента 1999 года МИКРОТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР

Миrротермоэлектрогенератор на основе перекристаллизованной пленки n-InSb на слюдяной подложке представляет собой монокристаллическую матрицу n-InSb с низкоомными включениями двухфазной системы р-InSb+In. За счет этих включений - неоднородностей в пленке на границе матрица - неоднородность возникает аномально высокая термоЭДС, равная 700-800 мкВ/К в области температур 100-340 К.

Формула изобретения RU 2 130 216 C1

Микротермоэлектрогенератор на основе пленки антимонида индия, отличающийся тем, что пленка антимонида индия n-типа проводимости, полученная термической перекристаллизацией в вакууме на слюдяной подложке, представляет собой монокристаллическую матрицу n - InSb с низкоомными включениями двухфазной системы p - InSb + In.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1999 года RU2130216C1

Касьян В.А
Тонкие пленки антимонида индия
- Кишинев: Штиинца, 1989, с.98 - 101
Термоэлемент 1973
  • Дашевский З.М.
  • Келлер Я.А.
  • Коломоец Н.В.
  • Сгибнев И.В.
SU455702A1
0
SU94836A1
US 3969149 A, 13.07.76
US 4626612 A, 07.12.86
Способ получения сальварсана 1930
  • Кирхгоф Г.А.
  • Корзина О.И.
SU34538A1

RU 2 130 216 C1

Авторы

Никольский Ю.А.

Даты

1999-05-10Публикация

1996-11-26Подача