Область техники, к которой относится изобретение.
Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике, при действии сильных электрических полей.
Уровень техники.
Монокристаллические датчики электрического поля характеризуются выполнением закона Ома до напряженности электрического поля E = 30 - 40 В/см при плотности тока j = (102 - 104) А/см2 в диапазоне температур 77 - 300 К (RU 95104014, G 01 B 11/16, 21.03.95. Никольский Ю.А.).
Сущность изобретения.
Пленочный датчик электрического поля на основе перекристаллизованной пленки n-InSb толщиной 1 - 2 мкм на слюдяной подложке с концентрацией носителей заряда n = (3 - 5)•1017 см-3, электропроводностью σ = (1,5 - 2,0)•103 Ом-1см-1 и подвижностью носителей заряда μ = (2,9 - 3,0)•104 см2/(В•с) при Т = 300 К может достигать при выполнении закона Ома (σ = const) значений плотности тока j = (4 - 6)•104 А/см2 при E = (30 - 40) В/см в диапазоне температур 77 - 300 К.
Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения.
Пленка n-InSb, полученная термической перекристаллизацией в вакууме на слюдяной подложке, представляет монокристаллическую матрицу n-InSb стехиометрического состава с низкоомными включениями двухфазной системы InSb + In p-типа проводимости. Пленочный датчик электрического поля изготавливают из такой пленки, для чего на нее напыляют индиевые контакты, к которым припаивают эвтектическим сплавом In + Sn медные проволочки для измерения тока и напряжения.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| ФОТОРЕЗИСТОР | 1995 |
|
RU2095887C1 |
| МИКРОТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР | 1996 |
|
RU2130216C1 |
| ДАТЧИК ДЕФОРМАЦИИ | 1993 |
|
RU2087052C1 |
| ЭЛЕМЕНТ ОПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ | 2000 |
|
RU2207638C2 |
| СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ РАБОТОЙ МЕМРИСТИВНОЙ КОНДЕНСАТОРНОЙ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК | 2018 |
|
RU2706197C1 |
| ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СВЕТОВОЙ ЭНЕРГИИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ НА ОСНОВЕ P-N-ПЕРЕХОДА С ПОВЕРХНОСТНЫМ ИЗОТИПНЫМ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОМ | 1996 |
|
RU2099818C1 |
| ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ И СПОСОБ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ТЕПЛОВОЙ ЭНЕРГИИ | 2001 |
|
RU2275713C2 |
| ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА | 2005 |
|
RU2303834C2 |
| ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СВЧ-МОЩНОСТИ И ПРЕОБРАЗУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ НЕГО | 2005 |
|
RU2295137C1 |
| ИНФРАКРАСНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ | 1991 |
|
RU2025833C1 |
Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике, при действии сильных электрических полей. Пленочный датчик электрического поля создан на основе перекристаллизованной пленки n-InSb (полученной перекристаллизацией в вакууме) на слюдяной подложке с низкоомными включениями двухфазной системы р-InSb+In, пленка n-InSb имеет толщину 1 - 2 мкм, концентрацию носителей заряда n = (3 - 5)•1017 см-3, электропроводность σ = (1,5 - 2,0)•103 Ом-1см-1 и подвижность носителей заряда μ = (2,9 - 3,0)•104 см2/(В•с) при Т = 300 К, что позволяет достигать значений плотности тока j = (4 - 6)•104 А/см2 при Е = (30 - 40) В/см в диапазоне температур 77 - 300 К.
Пленочный датчик электрического поля, содержащий перекристаллизованную пленку антимонида индия n-типа проводимости, на слюдяной подложке, с низкоомными включениями двухфазной системы p - InSb + In, отличающийся тем, что пленка n - InSb, получена перекристаллизацией в вакууме, имеет толщину 1 - 2 мкм, концентрацию носителей заряда n = (3 - 5) • 1017 см-3, электропроводность σ = (1,5 - 2,0) • 103 Ом-1см-1 и подвижность носителей заряда μ = (2,9 - 3,0) • 104 см2/(В•с) при T = 300 К, что позволяет достигать значений плотности тока j = (4 - 6) • 104 А/см2 при E = 30 - 40 В/см в диапазоне температур 77 - 300 К.
| RU 95104014 A, 21.03.1995 | |||
| Городецкий В.А., Кравченко А.Ф | |||
| Полупроводниковые приборы | |||
| - М.: Высшая школа, 1967, с | |||
| Подъемник для выгрузки и нагрузки барж сплавными бревнами, дровами и т.п. | 1919 |
|
SU149A1 |
| Бесколесный шариковый ход для железнодорожных вагонов | 1917 |
|
SU97A1 |
