Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике в качестве запоминающих устройств.
Имеющиеся элементы оптической памяти на основе гетеропереходов АIIBVI и АIIIBV дают эффект оптической памяти до 30-40% в видимой области спектра [1] .
Элемент оптической памяти на основе гетероструктуры n-InSb-SiO2-P-Si, полученной термической перекристаллизацией пленки n-InSb на подложке из окисленного кремния, имеет в ближней ИК-области спектра 2÷7 мкм эффект оптической памяти ~ 40÷50% при температуре жидкого азота. Коэффициент оптической памяти составляет ~ 104÷105.
Элемент оптической памяти изготавливается путем создания гетероструктуры n-InSb-SiO2-P-Si, получаемой напылением поликристаллической пленки n-InSb на подложке из окисленного кремния при температуре ~300oС с последующей термической перекристаллизацией. К P-Si и к пленке n-InSb припаивают эвтектическим сплавом In-Sn тонкие медные проволочки для измерения тока памяти после выключения освещения при температуре жидкого азота. Измерения дают значения тока памяти ~40÷50% после выключения освещения в ближней ИК-области спектра.
Литература
[1] А. В. Симашкевич. Физические свойства гетеропереходов на основе соединений AIIBVI. Кишинев. Штиица, 1980 г., 162 с.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| ФОТОРЕЗИСТОР | 1995 |
|
RU2095887C1 |
| МИКРОТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР | 1996 |
|
RU2130216C1 |
| ПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ | 1998 |
|
RU2148791C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ | 2006 |
|
RU2330352C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ | 1983 |
|
SU1829804A1 |
| ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СВЕТОВОЙ ЭНЕРГИИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ НА ГОРЯЧИХ БАЛЛИСТИЧЕСКИХ НОСИТЕЛЯХ | 1995 |
|
RU2137257C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ/АМОРФНЫЙ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С ТАКИМ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОМ | 2016 |
|
RU2667689C2 |
| ГЕТЕРОСТРУКТУРА КРЕМНИЙ НА СТЕКЛЕ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ | 1994 |
|
RU2084987C1 |
| ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА | 2005 |
|
RU2303834C2 |
| ДАТЧИК ДЕФОРМАЦИИ | 1993 |
|
RU2087052C1 |
Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике в качестве запоминающих устройств. Элемент оптической памяти содержит гетероструктуру n-InSb-SiO2-P-Si, полученную путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при 300oС с последующей термической перекристаллизацией. Эффект оптической памяти составляет в нем ~ 40-50% при температуре жидкого азота в ближней ИК-области спектра.
Элемент оптической памяти, содержащий гетероструктуру n-InSb--SiO2-P-Si, отличающийся тем, что данная гетероструктура получена напылением поликристаллической пленки n-InSb на подложку, которая выполнена из окисленного кремния, при 300oС с последующей термической перекристаллизацией.
| СИМАШКЕВИЧ А.В | |||
| Физические свойства гетеропереходов на основе соединений АB | |||
| - Кишинев: Штиица, 1980, с.162 | |||
| Газораспределительное устройство аппарата кипящего слоя | 1984 |
|
SU1241042A1 |
| JP 62239339 А, 20.10.1987 | |||
| ПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ | 1998 |
|
RU2148791C1 |
| ФОТОРЕЗИСТОР | 1995 |
|
RU2095887C1 |
| Способ установки магнитных головок в устройствах записи, использующих жесткий носитель | 1957 |
|
SU115124A1 |
