СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ Российский патент 1998 года по МПК C01B33/27 

Описание патента на изобретение RU2116963C1

Изобретение относится к технологии кремния и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния.

Известен способ получения кремния водородным восстановлением хлорсиланов (Фалькевич Э. С. Технология полупроводникового кремния.-М.: Металлургия, 1992, с. 213), где исходные реагенты водород и трихлорсилан в мольном соотношении около 15/1 соответственно, в виде парогазовой смеси подают в реактор и проводят реакцию на кремниевых подложках при 1000oC, газообразные продукты реакции выводят из реактора, смешивают с водородом и вместе с исходными реагентами вновь запускают на цикл.

Этому процессу присущи такие недостатки, как присутствие в исходной газовой смеси продуктов неполного восстановления трихлорсилана, низкий выход продукта (60%), протекание побочных реакций, таких как образование силана и полисиланов, необходимость дальнейшей доочистки полученного кремния зонной плавкой при выращивании монокристалла, необходимость использования реагентов высокой чистоты (соизмеримой с чистотой образующегося кремния) от 1•10-7 до 1•10-9 мас.% по ряду примесей.

Из известных способов наиболее близким к заявляемому является способ получения кремния методом термического разложения силана (Фалькевич Э.С. Технология полупроводникового кремния.-М.: Металлургия, 1992, с.242), который предполагает подачу газообразного силана в реактор и его термическое разложение на нагретых электрическим током до 900oC кремниевых подложках, с образованием кремния и газообразных продуктов реакции, выводимых из ее зоны.

Недостатки этого способа проявляются в необходимости доочистки полученного кремния зонной плавкой в процессе выращивания монокристалла, в необходимости использования силана высокой чистоты, соизмеримой с чистотой образующегося кремния, в образовании полисиланов в зоне реакции, негативно влияющих на ход процесса и способствующих потере кремния.

Техническим результатом изобретения является повышение чистоты конечного продукта, исключающее необходимость доочистки его в процессе выращивания монокристалла, повышение выхода продукта до 95%, возможность использования более грязного (1•10-5 мас.%) исходного реагента, по сравнению с чистотой образующегося кремния 1•10-8 мас.%, а также возможность использования в качестве сырья для синтеза исходного кремнийсодержащего реагента кварцевого песка низкой чистоты.

Технический результат достигается тем, что в способе получения кремния, основанном на реакции термического разложения газообразного, кремнийсодержащего химического соединения на нагретых электрическим током кремниевых подложках, с образованием элементарного кремния и газообразных продуктов реакции, в качестве кремнийсодержащего химического соединения используют тетраамминтрикремнефторид Si3(NH3)4F12.

На фиг. 1 приведена схема одного из возможных устройств, при помощи которого реализуется данный способ; на фиг.2 - диаграмма зависимости константы реакции разложения тетраамминтрикремнефторида от температуры при постоянном давлении.

Использование в качестве кремнийсодержащего соединения тетраамминтрикремнефторида (ТАТКФ), обеспечивающего технический результат, обусловлено природой химических связей, посредством которых образовано соединение. Энергия связей находится в функциональной зависимости от количества примесей в составе вещества, обеспечивая таким образом распределение примесей в зоне реакции. Характеристический максимум функции Kp=f(T), p=const, лежащий в области от 600oC, свидетельствует о расщеплении колебательного уровня молекулы, приводящем ее к более стабильному состоянию через окислительно-восстановительное разложение в первом случае и к нестабильному состоянию через термическую диссоциацию - во втором. Падение константы реакции при температурах выше 1000oC свидетельствует о протекании других химических реакций с участием кремния и продуктов разложения. Процесс образования кремния можно представить уравнением
Si3(NH3)4F12(ж) = 3Si(тв) + 2N2(г) + 12HF(г)
Существенное влияние на характер зависимости константы реакции оказывает химический состав молекулы ТАТКФ, характеризующий процесс термического разложения как внутримолекулярную реакцию, в связи с чем она облегчена.

Способ получения ТАТКФ основан на цепочке обменных реакций и реакций присоединения по донорно-акцепторному механизму. Исходными веществами являются четырехфтористый кремний, аммиак и оксид азота (VI). На первых двух стадиях, представляющих собой реакции присоединения, синтезируют фторид диамминкремния Si(NH3)2F4 и аддукт четырехфтористого кремния с димером диоксида азота Si(N2O4)2F4, из которых непосредственно проводят синтез ТАТКФ. Синтез фторида диамминкремния ведут при температуре ниже 0oC из газовой фазы
SiF4(г) + 2NH3(г) = Si(NH3)2F4(тв.)
Si(N2O4)2F4 получают путем пропускания четырехфтористого кремния через охлаждаемую колонку с N2O4
2N2O4(тв) + SiF4(г) = Si(N2O4)2F4(тв.)
Затем из полученных веществ при нагревании до 40oC в инертной атмосфере проводят синтез ТАТКФ
2Si(NH3)2F4(тв) + Si(N2O4)2F4(тв) = Si3(NH3)4F12(ж.) + 4NO2(г)
Полученную жидкость перегоняют при пониженном давлении.

Пример конкретного выполнения способа с наиболее оптимальными параметрами приведен ниже.

ТАТКФ, содержащий 25 контролируемых примесных элементов в количестве 0,43•10-4 мас.%, массой 590 г, находящийся в жидком состоянии при нормальных условиях, под действием создаваемого разрежения переводится в газовую фазу и подвергается разложению на нагретых электрическим током до 780oC кремниевых подложках. В результате образуется 123 г кремния, содержащего контролируемые примесные элементы в количестве 6,8•10-8 мас.%. Скорость осаждения кремния составляет 0,056 г/(ч•см2). Выход продукта составляет 94,6%. Способ осуществим в температурном интервале от 600 до 1000oC, однако максимальный выход продукта достигается при 780oC. Примесный состав полученного кремния по некоторым элементам приведен в таблице.

Способ можно уяснить, рассмотрев работу устройства, схема которого приведена на фиг. 1, где 1 - приемник-термостат, 2 - трубопровод, 3 - регулировочный вентиль, 4 - реактор, 5 - секция подложек, 6 - вакуумный насос, 7 - вакуумметр.

Из приемника-термостата под действием разрежения, создаваемого вакуумным насосом и контролируемого вакуумметром, через регулировочный вентиль по трубопроводу подаются пары ТАТКФ в реактор разложения, имеющий полезный объем 1,42 л. Пары ТАТКФ разлагаются на кремниевых подложках, объединенных в секцию 60 (d = 0,64 см; h = 30 см), общей площадью поверхности 3600 см2, нагретых до 780oC, образуя элементарный кремний и газообразные продукты реакции, выводящиеся из реактора путем откачки.

Использование предлагаемого способа позволяет повысить чистоту полупроводникового кремния и увеличить выход продукта. Показатели улучшения качества кремния по сравнению со стандартами, предусмотренными ГОСТ 26239.1-84 и ГОСТ 26550-85 для известных способов, приведены в таблице.

Похожие патенты RU2116963C1

название год авторы номер документа
ТЕТРААММИНТРИКРЕМНЕФТОРИД 1997
  • Яковлев Ю.И.
RU2116964C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ 1992
  • Болотин В.П.
  • Михайловский И.П.
  • Черепов Е.И.
RU2029412C1
СПОСОБ ОКИСЛЕНИЯ КРЕМНИЯ 1999
  • Яковлев Ю.И.
  • Романов С.И.
  • Кириенко В.В.
RU2165481C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ, СОДЕРЖАЩИХ КРЕМНИЕВУЮ ПОДЛОЖКУ С ПЛЕНКОЙ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА ЕЕ ПОВЕРХНОСТИ И РЕАКТОР ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА 2013
  • Жуков Сергей Германович
  • Кукушкин Сергей Арсеньевич
  • Лукьянов Андрей Витальевич
  • Осипов Андрей Викторович
  • Феоктистов Николай Александрович
RU2522812C1
СПОСОБ БЕСПУСТОТНОГО СРАЩИВАНИЯ ПОДЛОЖЕК 2002
  • Камаев Г.Н.
  • Дрофа А.Т.
  • Булычева Т.В.
RU2244362C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ 2003
  • Попов В.П.
RU2244984C1
МНОГОКОНТАКТНОЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ 2002
  • Ефимов В.М.
RU2207661C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР С ЗАХОРОНЕННЫМ МЕТАЛЛИЧЕСКИМ СЛОЕМ 1992
  • Двуреченский А.В.
  • Александров Л.Н.
  • Баландин В.Ю.
RU2045795C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ "ПОЛУПРОВОДНИК-НА-ИЗОЛЯТОРЕ" 1997
  • Романов С.И.
  • Кириенко В.В.
  • Соколов Л.В.
  • Машанов В.И.
  • Ламин М.А.
  • Фомин Б.И.
RU2125323C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ НАНОТРУБОК 2003
  • Настаушев Ю.В.
  • Принц В.Я.
RU2238239C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 116 963 C1

Реферат патента 1998 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ

Изобретение относится к технологии кремния и может быть использовано в производстве полупроводникового кремния. Сущность изобретения заключается в способе получения кремния, основанном на реакции термического разложения газообразного, кремнийсодержащего химического соединения на нагретых электрическим током кремниевых подложках с образованием элементарного кремния и газообразных продуктов реакции; в качестве кремнийсодержащего химического соединения используют тетраамминтрикремнефторид Si3(NH3)4F12. Использование способа позволяет повысить чистоту полупроводникового кремния и увеличить выход продукта. 2 ил., 1 табл.

Формула изобретения RU 2 116 963 C1

Способ получения кремния, основанный на реакции термического разложения газообразного кремнийсодержащего химического соединения на нагретых электрическим током кремниевых подложках с образованием элементарного кремния и газообразных продуктов реакции, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащего химического соединения используют тетраамминтрикремнефторид Si3(NH3)4F12.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1998 года RU2116963C1

Фалькевич Э.С
Технология полупроводникового кремния
- М.: Металлургия, 1992, с.242 - 249.

RU 2 116 963 C1

Авторы

Яковлев Ю.И.

Даты

1998-08-10Публикация

1997-06-06Подача