АВТОЭМИССИОННЫЙ ТРИОД Российский патент 2001 года по МПК H01J21/20 H01J31/12 

Описание патента на изобретение RU2161840C2

Изобретение относится к области электроники, а именно к вакуумным триодам, позволяющим коммутировать большие токи малыми напряжениями.

Известны традиционные вакуумные триоды [1] с термоэмиссионным катодом. Именно термоэмиссионные катоды обеспечивают режим работы, когда на сетку подается запирающее по отношению к движению термоэмиссионных электронов напряжение.

В автоэмиссионном триоде [2], содержащем анод, автоэмиссионный катод, в данной конструкции выполненный микроострийным, и расположенную между ними управляющую сетку, и являющемся наиболее близким к предлагаемому изобретению техническим решением, использование запирающего напряжения невозможно, т.к. в этом случае между сеткой и анодом возникает большая напряженность электрического поля, что может привести к паразитной эмиссии с поверхности сетки. Поэтому все холодно-эмиссионные триоды управляются ускоряющим полем сетки, т.е. напряженность поля анод - катод не остаточна для появления эмиссии и на сетку подается положительное по отношению к катоду напряжение, величина которого такова, что вызывает полевую эмиссию с поверхности катода, как правило, микроострийного. Такая схема управления имеет определенные недостатки, т.к. часть электронов может быть перехвачена сеткой, что вызовет паразитный сеточный ток. Кроме того, сетка должна иметь максимально большую прозрачность, а диаметр отверстий сетки должен быть существенно меньше расстояния сетка - катод. Все эти недостатки обусловлены традиционными материалами катода, которые имеют порог эмиссии порядка или более 100 В/мкм.

Предлагаемое изобретение позволяет ликвидировать указанные недостатки.

Технической задачей является создание автоэмиссионного триода с запирающей сеткой.

Технический результат заключается в уменьшении рассеяния электронов сеточным полем, упрощении технологических требований к параметрам сетки за счет снижения сеточного тока, повышении эффективности управляемых сеткой катодолюминесцентных источников света за счет подавления эмиссии под нитями сетки, а также облегчении управляемости полным током эмиссии.

Сами по себе нанокристаллические алмазные пленки известны [3], но не все они обладают высокими эмиссионными параметрами, в частности низким порогом эмиссии. В предлагаемом автоэмиссионном триоде, содержащем анод, автоэмиссионный катод и расположенную между ними управляющую сетку, катод выполнен в виде нанокристаллического алмазного эмиттера, имеющего порог эмиссии порядка 2-6 В/мкм, зазор D между катодом и анодом и напряжение U выбираются так, чтобы поле на катоде было достаточным для работы автоэмиссионного катода, при этом управляющая сетка выполняет роль запирающей сетки.

Отверстия в управляющей сетке могут быть выполнены с расширением к аноду.

Нанокристаллические алмазные эмиттеры, созданные по специальным технологиям, имеют порог эмиссии порядка 2-6 В/мкм [4]. Использование таких катодов в триодной конструкции делает возможным выполнение управляющей сеткой функций запирающей сетки. Однако до настоящего времени такие конструкции не были известны, хотя они обладают целым рядом неоспоримых преимуществ по сравнению с прототипом [2].

В этом случае сеточный ток предельно мал, а требования к сетке существенно ниже по сравнению со случаем, когда управляющая сетка является ускоряющей.

Конструкция холодно-эмиссионного катода с запирающей сеткой позволит повысить эффективность управляемых сеткой катодолюминесцентных источников света за счет подавления эмиссии под нитями сетки и снижения тока на сетку, а также облегчит управляемость полным током эмиссии.

Использование предлагаемого холодно-эмиссионного катода в плоских эмиссионных дисплеях также позволит снизить управляющее напряжение, уменьшить расфокусировку электронного пучка (сетка отталкивает электроны), увеличить ресурс катода, т.к. сетка снизит поток ионов остаточного газа, бомбардирующих катод.

Изобретение поясняется чертежом, где на фиг. 1 изображена схема термоэмиссионного триода; на фиг. 2 распределение потенциала между электродами триода; на фиг. 3 и 4 - распределение электрического поля в режиме запирания для различных геометрических размеров системы; на фиг. 5 - распределение электрического поля над центром катода.

Предлагаемая конструкция автоэмиссионного триода, изображенная на фиг. 1, содержит катод 1, анод 2 с зазором между ними, равным D, управляющую сетку 3 толщиной H, выполненную с отверстиями 4. диаметром h и расположенную с зазором, равным d, между ней и катодом 1. Катод 1 и анод 2 подсоединены к источнику питания 5. Управляющая сетка 3 соединена с катодом 1 через ключ 6. Катод 1 выполнен в виде нанокристаллического алмазного эмиттера.

На фиг. 2 показано распределение потенциала при разомкнутом ключе 6 - линия 7, и распределение потенциала при замыкании ключа 6 - линия 8.

Зазор, равный D, и напряжение U выбираются так, чтобы поле E=U/D было достаточным для работы автоэмиссионного катода 1, т.е. порядка 10 В/мкм. Управляющая сетка 3 устанавливается с зазором от катода, равным d. Напряжение коммутации, которое должен выдерживать ключ 6, определяется как u= Ud/D.

При разомкнутом ключе 6 управляющая сетка 3 автоматически приобретает потенциал, при котором поле сетка-катод равно полю анод-катод - линия 7. При замыкании ключа поле сетка-катод становится равным нулю и эмиссия прекращается - линия 8.

Реальная картина более сложная. Результаты численного расчета распределения электрического поля в режиме запирания для различных геометрических размеров системы представлены на фиг. 3 и 4.

На фиг. 3 представлено распределение электрического поля (Ez - ось ординат) вдоль катода (R - ось абсцисс) при различных напряжениях на сетке: при нулевом напряжении - линия 9, при напряжении, равном -250 В, - линия 10, при напряжении, равном 250 В, - линия 11. При этом напряжение на аноде равно 20 кВ, на катоде равно 0 В, расстояние между катодом и анодом - 1000 мкм, расстояние между катодом и сеткой - 50 мкм, толщина сетки - 50 мкм, диаметр отверстия сетки - 300 мкм.

На фиг. 4 представлено распределение электрического поля (Ez - ось ординат) вдоль катода (R - ось абсцисс) при различных напряжениях на сетке: при нулевом напряжении - линия 12, при напряжении, равном -80 В, - линия 13, при напряжении, равном 80 В, - линия 14. При этом напряжение на аноде равно 20 кВ, на катоде равно 0 В, расстояние между катодом и анодом - 1000 мкм, расстояние между катодом и сеткой - 16 мкм, толщина сетки - 0,5 мкм, диаметр отверстия сетки - 50 мкм.

На фиг. 5 представлена зависимость электрического поля (Ez - ось ординат) в центре катода от отношения диаметра отверстия сетки к сумме размера зазора между катодом и сеткой и толщиной сетки (h/(d+H) - ось абсцисс) при разных напряжениях на сетке: при нулевом напряжении - линия 15, при напряжении, равном 250 В, - линия 16, при напряжении, равном -250 В, - линия 17. При этом напряжение на аноде равно 20 кВ, на катоде равно 0 В, расстояние между катодом и анодом D=1000 мкм, расстояние между катодом и сеткой d=50 мкм, толщина сетки H=50 мкм.

Представленные на фиг. 3 зависимости отражают режим, близкий к режиму лампы, а представленные на фиг. 4, - к режиму эмиссионного дисплея.

При проведении моделирования предполагалось, что порог эмиссии катода 6 -7 В/мкм, а максимально допустимое поле 12 В/мкм, что соответствует реально существующим алмазным катодам.

Как видно из представленных зависимостей, предложенная схема хорошо работает и позволяет управлять током при напряжениях на сетке 100 - 300 В.

Зависимости напряжения над центом катода позволяет вычислить геометрические характеристики сетки, требуемые для каждого конкретного катода.

Проникновение электрического поля через отверстие в сетке увеличивается для расширяющегося к аноду отверстия по сравнению со случаем вертикальных стенок отверстия. Это связано с увеличением минимального отношения h/(d+H) (фиг. 5). Так, для угла расширения отверстия в 45o максимальное поле у катода увеличивается на 30% в соответствии с изменением минимального отношения h/(d+H) от 3 до 4 (для параметров триода в случае, отображенном на фиг.3).

Источники информации
1. Л.Н. Добрецов, М.В. Гомоюнова. "Эмиссионная электроника", М.: Наука, 1966, стр.117.

2. I.Brodie, P.R.Schwoebel, Proceedins of the IEEE, 1994, v.82, n.7, p. 1006.

3. S. Sattel, J. Robertson, Z. Tass et. al., "Formation of nanocrystalline diamond by hydrocarbon plasma beam deposition", Proceedings of 7 European Conf. Diamond'96, Diamond and Related Materials, v. 6, 1997, p.255.

4. A. T. Rakhimnov, B. V. Seleznev, N.V.Suetin et al. Applications of Diamond Films and Related Material: 3-rd International Conf., Gaithersburg, MD, USA, 1995, NISTIR 5692, Supplement to NIST Special Publication 885, p. 11s.

Похожие патенты RU2161840C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ВЕЩЕСТВА НА ПОВЕРХНОСТЬ ПОДЛОЖКИ 1996
  • Рахимов А.Т.(Ru)
  • Суетин Н.В.(Ru)
  • Тимофеев М.А.(Ru)
  • Тугарев В.А.(Ru)
RU2161837C2
АВТОЭМИССИОННЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА 1997
  • Бляблин А.А.(Ru)
  • Кандидов А.В.(Ru)
  • Рахимов А.Т.(Ru)
  • Селезнев Б.В.(Ru)
  • Суетин Н.В.(Ru)
RU2161839C2
ХОЛОДНОЭМИССИОННЫЙ ПЛЕНОЧНЫЙ КАТОД И СПОСОБЫ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ 1997
  • Дзбановский Н.Н.(Ru)
  • Пилевский А.А.(Ru)
  • Рахимов А.Т.(Ru)
  • Суетин Н.В.(Ru)
  • Тимофеев М.А.(Ru)
RU2161838C2
Автоэмиссионный эмиттер с нанокристаллической алмазной пленкой 2021
  • Вихарев Анатолий Леонтьевич
  • Иванов Олег Андреевич
  • Яшанин Игорь Борисович
RU2763046C1
Способ изготовления катодного узла микротриода с трубчатым катодом из нанокристаллической алмазной пленки (варианты) 2022
  • Вихарев Анатолий Леонтьевич
  • Охапкин Андрей Игоревич
  • Ухов Антон Николаевич
  • Кузнецова Наталья Юрьевна
RU2794423C1
СТРУКТУРА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ АВТОЭМИССИОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ С ЭМИТТЕРАМИ НА ОСНОВЕ НАНОАЛМАЗНЫХ ПОКРЫТИЙ 2010
  • Красников Геннадий Яковлевич
  • Зайцев Николай Алексеевич
  • Орлов Сергей Николаевич
  • Хомяков Илья Алексеевич
  • Яфаров Равиль Кяшшафович
RU2455724C1
ДАТЧИК ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН 1997
  • Рахимов А.Т.(Ru)
  • Суетин Н.В.(Ru)
RU2161298C2
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ АВТОЭМИССИОННЫМ ТОКОМ ЛАМПЫ И АВТОЭМИССИОННАЯ ЛАМПА ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2006
  • Бондаренко Виктор Григорьевич
RU2316844C1
ГЕТЕРОПЕРЕХОДНАЯ СТРУКТУРА 2012
  • Беспалов Владимир Александрович
  • Ильичев Эдуард Анатольевич
  • Мигунов Денис Михайлович
  • Набиев Ринат Михайлович
  • Петрухин Георгий Николаевич
  • Рычков Геннадий Сергеевич
  • Кулешов Александр Евгеньевич
RU2497222C1
ЭЛЕКТРОННАЯ ПУШКА 2002
  • Бляблин А.А.
  • Рахимов А.Т.
  • Суетин Н.В.
  • Поройков А.Ю.
RU2231859C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 161 840 C2

Реферат патента 2001 года АВТОЭМИССИОННЫЙ ТРИОД

Изобретение относится к электронике, а именно к вакуумным триодам, позволяющим коммутировать большие токи малыми напряжениями. В предлагаемом автоэмиссионном триоде, содержащем анод, автоэмиссионный катод и расположенную между ними управляющую сетку, катод выполнен в виде нанокристаллического алмазного эмиттера, имеющего порог эмиссии порядка 2 - 6 В/мкм, а зазор D между катодом и анодом и напряжение U выбираются так, чтобы поле на катоде было достаточным для работы автоэмиссионного катода, что делает возможным выполнение управляющей сеткой функций запирающей сетки. Технический результат заключается в уменьшении рассеяния электронов сеточным полем, упрощении технологических требований к параметрам сетки за счет снижения сеточного тока, повышении эффективности управляемых сеткой катодолюминесцентных источников света за счет подавления эмиссии под нитями сетки, а также облегчения управляемости полным током эмиссии. Использование предлагаемого холодно-эмиссионного катода в плоских эмиссионных дисплеях также позволит снизить управляющее напряжение, уменьшить расфокусировку электронного пучка (сетка отталкивает электроны), увеличить ресурс катода, т.к. сетка снизит поток ионов остаточного газа, бомбардирующих катод. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Формула изобретения RU 2 161 840 C2

1. Автоэмиссионный триод, содержащий анод, автоэмиссионный катод и расположенную между ними управляющую сетку, отличающийся тем, что автоэмиссионный катод выполнен в виде нанокристаллического алмазного эмиттера, имеющего порог эмиссии порядка 2-6 В/мкм, зазор D между катодом и анодом и напряжение U выбирают так, чтобы поле на катоде было достаточным для работы автоэмиссионного катода, при этом управляющая сетка выполняет роль запирающей сетки. 2. Автоэмиссионный триод по п.1, отличающийся тем, что отверстия в управляющей сетке выполнены с расширением к аноду.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2001 года RU2161840C2

BRODIE I
SCHWOEBEL P.R
Proceedins of the IEEE, 1994, V
Машина для разделения сыпучих материалов и размещения их в приемники 0
  • Печеркин Е.Ф.
SU82A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ВЫЗОВА ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ 1923
  • Навяжский Г.Л.
SU1006A1
Вакуумный люминесцентный индикатор 1983
  • Артемяк Степан Владимирович
  • Иваницкий Владимир Михайлович
  • Кривошапко Михаил Романович
  • Олиферук Иван Федорович
SU1251211A1
РАДИАЛЬНО-ОТКЛОНЯЮЩАЯ СИСТЕМА ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ С КРУГОВОЙ РАЗВЕРТКОЙ 0
SU306511A1
Приспособление в пере для письма с целью увеличения на нем запаса чернил и уменьшения скорости их высыхания 1917
  • Латышев И.И.
SU96A1
US 4081716 A, 28.03.1978
DE 2708654 В2, 21.08.1980.

RU 2 161 840 C2

Авторы

Манкелевич Ю.А.(Ru)

Рахимов А.Т.(Ru)

Селезнев Б.В.(Ru)

Суетин Н.В.(Ru)

Даты

2001-01-10Публикация

1997-04-18Подача