СПОСОБ ДИАГНОСТИРОВАНИЯ ЭТАПОВ ФОРМИРОВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ СПЕКТРОВ Российский патент 2002 года по МПК G01N21/00 

Описание патента на изобретение RU2178165C1

Изобретение относится к области контроля состояния вещества, а именно к способам диагностирования этапов формирования кристаллической решетки аморфного тела.

Известен рентгенофазовый способ анализа [В. Н. Герасимов, Е. М. Доливо-Добровольская, И. Е. Каменцев и др. Руководство по рентгеновскому исследованию минералов. Л. , "Недра", 1975] процесса формирования кристаллической решетки в аморфном веществе, основанный на рентгеновской дифракции, позволяющий судить о наличии фаз по рентгенограмме.

Ограничение метода связано с невозможностью диагностики аморфных и плохо раскристаллизованных состояний вещества. Способ позволяет определять наличие фаз только с появлением дальнего порядка в атомной структуре вещества, при этом этапы зарождения и ближнего порядка в новой фазе, его трансформации, появление следующих координационных сфер остаются за рамками применимости способа. Также существует относительно низкая чувствительность рентгеновского фазового анализа, регистрируемое содержание фаз при использовании стандартного оборудования находится на уровне первых процентов.

Известен способ диагностирования фазовых переходов с помощью электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) [Физический энциклопедический словарь. М. , "Советская энциклопедия", 1983] , включающий отслеживание изменений симметрии локального окружения парамагнитных зондов по изменению симметрии спектра ЭПР и суждение по изменению формы линий о процессах формирования кристаллических зародышей в аморфных фазах. Способ применяется для исследования тел с хорошо окристаллизованными крупными монокристаллами преимущественно веществ с перовскито-подобными структурами.

Недостатком этого способа является сложность проведения анализа структуры вещества, кроме того, известный способ не является дистанционным, что при сравнимой с предлагаемым способом существенно ограничивает лабораторное использование ЭПР-спектроскопии для изучения структурных трансформаций аморфных веществ.

Задачей настоящего изобретения является разработка нового способа диагностирования фазовых превращений в процессе формирования кристаллической решетки с использованием электронно-колебательных спектров.

Предлагаемый способ позволяет определить последовательность фазовых превращений аморфного тела, диагностировать этапы фазового превращения аморфного тела в кристаллическое, проводить исследования в лабораторных условиях и, кроме того, позволяет диагностировать фазовые состояния плохо раскристаллизованных веществ.

Существенные признаки изобретения
Способ диагностирования этапов формирования кристаллической решетки, включающий определение параметров электронно-колебательных спектров примесных центров исследуемого образца, наблюдение изменения относительной интенсивности спектральных линий и суждение: по появлению бесфононных линий - о возникновении зародышей кристаллической фазы, по появлению фононного крыла с энергией 1 - 10 см-1 - о развитии ближнего порядка структуры новой фазы (первая координационная сфера), по появлению фононного крыла с энергией 10 - 100 см-1 - о наличии второй координационной сферы, по появлению фононного крыла с энергией 100 см-1 и более - о формировании дальнего порядка кристаллической фазы.

Технический результат достигается тем, что для диагностирования этапов формирования кристаллической решетки в аморфном веществе определяются параметры электронно-колебательных спектров примесных центров, наблюдается изменение относительной интенсивности спектра и выносится суждение: о возникновении зародышей кристаллической фазы по появлению бесфононных линий, по появлению фононного крыла с энергией 1 - 10 см-1 - о развитии ближнего порядка структуры новой фазы (первая координационная сфера), по появлению фононного крыла с энергией 10 - 100 см-1 - о наличии второй координационной сферы, по появлению фононного крыла с энергией 100 см-1 и более - о формировании дальнего порядка кристаллической фазы.

Способ осуществляется следующим способом
Для диагностики фазовых превращений были изготовлены образцы, полученные при различной температуре. В качестве исходных веществ были взяты аморфный оксид алюминия (Аl2О3) для тонкослойной хромотографии и мелкодисперсный оксид хрома (Сr3О3). Оксид алюминия и оксид хрома брались из расчета получить твердый раствор с концентрацией хрома 0.6 мас. %.

Образцы синтезировались методом горячего прессования в камере высокого давления при давлении порядка 25000 атм и в электропечи при атмосферном давлении. В процессе получения образцов температура варьировалась от 800 до 1400oС.

Спектры люминесценции исходной смеси и поликристаллического рубина на разных этапах кристаллообразования (фиг. 1) были получены на установке, блок схема которой представлена на фиг. 2, состоящей из ртутной лампы 1, фильтра 2, монохроматора 4, фотоэлектронного умножителя 5, электронного усилителя 6 и самопишущего прибора 7.

Образец 3 облучался ультрафиолетовым светом от ртутной лампы. Излучаемая люминесценция регистрировалась с помощью монохроматора.

Для доказательства достоверности способа были исследованы образцы с заранее известными фазовыми состояниями. У исходной смеси и образцов, полученных при температуре ниже 800 oС (фиг. 1, кривая 1), отсутствовали линии спектра люминесценции рубина, что свидетельствует об отсутствии корундовой структуры.

У образцов, полученных при температуре 800-1000oС (фиг. 1, кривая 2), спектр 2 соответствует началу фазообразования корундовой решетки. Появление R1, R2 линий (бесфононных линий) указывает на начало формирования кристаллической решетки, содержащей примесные центры ионов Сr3+ в октаэдрах из ионов кислорода. Этот факт диагностирует зародышеобразование.

Спектр 3 (фиг. 1, кривая 3) снят для образцов, полученных при температуре 1000-1200oС. Здесь кроме интенсивных R1, R2 линий видны четко выраженные линии соответствующие развитию локальных фононов с энергией 1 - 10 см-1. Это отражает развитие ближнего порядка в процессе кристаллообразования.

Образцы, полученные при температуре 1400oС и более, дают спектр люминесценции 4 (фиг. 1, кривая 4), на котором проявляются интенсивные линии, соответствующие высокочастотным фононам с энергией 100 см-1 и более. Это отражает развитие дальнего порядка.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет отследить последовательность фазовых превращений аморфного тела. Установка, используемая для получения спектров люминесценции, может быть изготовлена в любых лабораторных условиях, что делает способ диагностирования широкодоступным.

Похожие патенты RU2178165C1

название год авторы номер документа
ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ, ИЗОМОРФНО ВНЕДРЕННЫХ В СТРУКТУРУ АЛМАЗА 2002
  • Щанов М.Ф.
  • Лютоев В.П.
  • Глухов Ю.В.
  • Ненин А.Н.
RU2226683C1
РЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ АЗОТНЫХ ДЕФЕКТОВ В АЛМАЗАХ 2002
  • Лютоев В.П.
  • Глухов Ю.В.
  • Щанов М.Ф.
RU2215285C1
ТОНКОСЛОЙНАЯ ХРОМАТОГРАФИЧЕСКАЯ ПЛАСТИНА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2000
  • Секушин Н.А.
RU2175767C1
СПОСОБ ОТБОРА СУХИХ АЭРОЗОЛЕЙ ПРИ ВЫЯВЛЕНИИ АЭРОГЕННОГО ЗАГРЯЗНЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2007
  • Тентюков Михаил Пантелеймонович
RU2362984C2
СПОСОБ ДИАГНОСТИКИ ФУНКЦИОНАЛЬНОГО СОСТОЯНИЯ ЯИЧНИКОВ У ЖИВОТНЫХ С УДЛИНЕННЫМ ВЛАГАЛИЩЕМ 1999
  • Василенко Т.Ф.
RU2155016C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЗОТСОДЕРЖАЩИХ ГЕТЕРОЦИКЛИЧЕСКИХ ПРОИЗВОДНЫХ ЦЕЛЛЮЛОЗЫ 1997
  • Куковицкий Б.Ф.
RU2148059C1
СПОСОБ КОНТРОЛЯ СТРУКТУРЫ АЛЮМИНИЕВОГО СПЛАВА 2010
  • Молчан Нина Валерьевна
  • Фертиков Валерий Иванович
RU2442139C1
ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ КОНСТРУКЦИОННОЙ ГЛИНОЗЕМИСТОЙ КЕРАМИКИ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ НЕЕ 2000
  • Кормщикова З.И.
  • Голдин Б.А.
  • Рябков Ю.И.
RU2168483C1
СПОСОБ КОНТРОЛЯ СТРУКТУРЫ МАГНИЕВОГО СПЛАВА 2014
  • Молчан Нина Валерьевна
  • Сегуру Григорий Валентинович
  • Фертиков Валерий Иванович
RU2558632C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНОГО СОСТОЯНИЯ ЯИЧНИКОВ У СЕЛЬСКОХОЗЯЙСТВЕННЫХ ЖИВОТНЫХ 2002
  • Василенко Т.Ф.
RU2211683C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 178 165 C1

Реферат патента 2002 года СПОСОБ ДИАГНОСТИРОВАНИЯ ЭТАПОВ ФОРМИРОВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОННО-КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ СПЕКТРОВ

Изобретение относится к области контроля состояния вещества. Для диагностирования этапов формирования кристаллической решетки в аморфном веществе определяются параметры электронно-колебательных спектров примесных центров, наблюдается изменение относительной интенсивности спектра и выносится суждение о возникновении зародышей кристаллической фазы по появлению бесфононных линий, по появлению фононного крыла с энергией 1-10 см-1 - о развитии ближнего порядка структуры новой фазы (первая координационная сфера), по появлению фононного крыла с энергией 10-100 см-1 - о наличии второй координационной сферы, по появлению фононного крыла с энергией 100 см-1 и более - о формировании дальнего порядка кристаллической фазы. Технический результат: позволяет диагностировать фазовые состояния плохо раскристаллизованных веществ. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 178 165 C1

Способ диагностирования этапов формирования кристаллической решетки, включающий определение параметров электронно-колебательных спектров примесных центров исследуемого образца, наблюдение изменения относительной интенсивности спектральных линий и суждение, по появлению бесфононных линий - о возникновении зародышей кристаллической фазы, по появлению фононного крыла с энергией 1-10 см-1 - о развитии ближнего порядка структуры новой фазы (первая координационная сфера), по появлению фононного крыла с энергией 10-100 см-1 - о наличии второй координационной сферы, по появлению фононного крыла с энергией 100 см-1 и более - о формировании дальнего порядка кристаллической фазы.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2002 года RU2178165C1

RU 2071049 C1, 27.12.1996
СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА КВАРЦЕВЫХ РЕЗОНАТОРОВ 1991
  • Галанов Г.Н.
  • Зацепин А.Ф.
  • Кортов В.С.
  • Лучинин А.С.
  • Мальцев А.П.
  • Тюков В.В.
  • Ушкова В.И.
RU2045041C1
CN 1190738 A, 19.08.1998
US 4242589 A, 30.12.1980
US 5739909 A, 14.04.1998.

RU 2 178 165 C1

Авторы

Щанов М.Ф.

Рябков Ю.И.

Ненин А.Н.

Даты

2002-01-10Публикация

2000-07-27Подача