Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике, в частности для работы в ИК-диапазоне.
Кристаллы халькогенидов являются перспективными нелинейно-оптическими материалами для среднего инфракрасного диапазона. В настоящее время наиболее широкое распространение в качестве материалов для преобразования лазерного излучения в среднем ИК-диапазоне находят такие тройные халькогениды, как тиогаллат серебра AgGaS2, селеногаллат серебра AgGaSe2 и тиогаллат ртути HgGa2S4 (см., например, Fan Y.X., Eckardt R.L., Byer R.K. and etc. Appl. Phys. Lett, 45, 1984, 313; Eckardt R.L., Fan Y.X., Byer R.K. and etc. Appl. Phys. Lett, 49, 1986, 608). Недостатками этих материалов являются: во-первых, большое двухфотонное поглощение, что неизбежно ухудшает эффективность преобразования лазерного излучения, во-вторых, для AgGaS2 характерна сильная анизотропия теплового расширения и низкая теплопроводность, что не позволяет использовать материал при больших мощностях излучения и в AgGaSe2 и HgGa2S4, несмотря на достаточно высокую эффективность преобразования, рабочий диапазон длин волн смещен дальше в ИК-область, что также сокращает возможность их применения.
В работе, Shunemann P.O., Setzler S.D., Pollak T.M. and etc. Crystal growth and properties of AgGaTe2, Journal of Crystal Growth, 2000, 211, p.242-246 (прототип), показано усиление нелинейных свойств тройных халькогенидов в ряду AgGaS2, AgGaSe2, AgGaTe2, что приводит к возрастанию способности кристаллов к преобразованию лазерных излучений. Авторы изобретения на примере кристаллов LilnS2 и LilnSe2 показали, что замена в тройном халькогениде атома серебра на атом лития обеспечивает увеличение ширины запрещенной зоны материала, то есть к сдвигу края пропускания в видимую область (Isaenko L., Yelisseyev A, Lobanov S., Petrov V., Rotermund F., Slekys G., Zondy J.-J. LilnSe2: A biaxial ternary chalcogenide crystal for nonlinear optical application in the midinfrared - Journal of Applied Physics, 2002, v.91. No. 12, p.9475-80).
На основании данных представлений решена задача - создание нового литий-содержащего тройного халькогенидного монокристалла, пригодного для использования в оптике среднего ИК–диапазона.
Созданный монокристалл характеризуется тем, что имеет химическую формулу LiGaTe2 (LGTe), пространственную группу I42d тетрагональной симметрии, параметры решетки а=6,338Å, с=11,704Å, объем элементарной ячейки V=470,1Å, координационное число Z=16, плотность 4,689 г/см3. Температура плавления Тпл.=675+5°С. Структура монокристалла LiGaTe2 формируется с образованием тетрапор. Ближайшее к тетрапорам атомное окружение неоднородно. Иначе говоря, катионы вдоль оси z расположены неравномерно по отношению к тетрапорам, отсутствует центр инверсии. Такая структурная анизотропия обусловливает нелинейные свойства LiGaTe2.
Монокристалл LGTe способен к преобразованию лазерного излучения в ИК-области спектра от длины волны не менее 520 нм и до 20 мкм, при этом ширина запрещенной зоны (Eg) LiGaTe2 составляет 2,25 эв при Т=300 К, а у известного AgGaTe2 - 1,3 эв. Кроме того, замена в тройном халькогениде атома серебра на атом лития обеспечивает увеличение теплопроводности и, следовательно, уменьшение потери в результате двуфотонного поглощения, что обеспечивает повышение лучевой прочности, уменьшает анизотропию температурного расширения вдоль трех основных кристаллографических направлений, что снимает проблемы в процессе осуществления просветляющих покрытий на оптические поверхности кристалла, что существенно снижает потери выходной мощности при получении генерации.
Монокристалл LGTe выращен методом Бриджмена - Стокбаргера с предварительным синтезом соединения из элементарных компонентов Li, Ga, Те.
На фиг.1 представлена кристаллическая структура монокристалла LiGaTe2.
На фиг.2 изображен спектр пропускания образца LiGaTe2
Соединение LGTe образуется в результате химического взаимодействия между элементарными исходными компонентами при высокой температуре по реакции: Li+Ga+2Те=LiGаТе2.
Для получения монокристаллического образца LiGaTe2 используют исходные элементарные компоненты: литий марки ОСЧ массой 0,520 г, теллур марки ОСЧ массой 21,100 г и галлий квалификации 5N массой 5,220 г. Взвешивание проводится с точностью 0,004 г. Исходные компоненты помещают в графитовый тигель, а тигель в кварцевую ампулу. Ампулу откачивают на вакуумной установке до остаточного давления 10-2-10-3 мм рт. ст., после чего отпаивают. Сплавление компонентов проводят в печи, прогретой до 800°С. Ампулу постепенно вдвигают в прогретую лечь и выдерживают в ней в течение 2 часов, после чего печь выключают. Ампулу с контейнером ставят в двухзонную печь сопротивления, управляемую регуляторами температуры ВРТ-2. Выращивание кристаллов проводят по методу Бриджмена-Стокбаргера. Печь нагревают, доводя шихту до плавления. Температуру верхней зоны поддерживают на 80-180°С выше температуры нижней зоны, обеспечивая температурный градиент 1-2°С/мм. Перемещение ампулы составляло 2-10 мм в сутки. Получены монокристаллические блоки LiGaTe2 массой до 20 г.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LiGaInTe и способ его получения | 2019 |
|
RU2699639C1 |
Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения | 2021 |
|
RU2763463C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТИОГАЛЛАТА СЕРЕБРА | 1980 |
|
SU1839799A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТИОГАЛЛАТА СЕРЕБРА, AgGaS | 1978 |
|
SU1839796A1 |
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ SrMgF И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 2014 |
|
RU2576638C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТИОГАЛЛАТА РТУТИ | 1979 |
|
SU1839797A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НЕЛИНЕЙНОГО СОСТАВНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЧАСТОТЫ С КОМПЕНСАЦИЕЙ УГЛА СНОСА ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2006 |
|
RU2311668C1 |
НЕЛИНЕЙНЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ | 1980 |
|
SU1839800A1 |
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ НЕЛИНЕЙНОЙ ОПТИКИ | 1980 |
|
SU1839798A1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА β-BaBO | 1998 |
|
RU2139957C1 |
Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике. Сущность изобретения: тройной халькогенидный монокристалл характеризуется тем, что имеет химическую формулу LiGaTe2, пространственную группу I42d тетрагональной симметрии, параметры решетки а=6,338Å, с=11,704Å, объем элементарной ячейки V=470,1Å, координационное число Z=16, плотность 4,689 г/см3 и выращен методом Бриджмена-Стокбаргера с предварительным синтезом соединения из элементарных компонентов Li, Ga, Те. Монокристалл LiGaTe2 способен к преобразованию лазерного излучения в ИК-области спектра от длины волны не менее 520 нм и до 20 мкм. Создан новый литийсодержащий тройной халькогенидный монокристалл, пригодный для использования в оптике среднего ИК-диапазона. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
SHUNEMANN P.G | |||
et al | |||
Crystal growth and properties of AgGaTe | |||
“Journal of Crystal Growth”, 2000, 211(1-4), 242-246 | |||
OHMER M.C | |||
et al | |||
Infrared properties of AgGaTe, a nonliner optical chalcopyrite semiconductor | |||
“Journal of Applied Physics”, 1999, 86, N1, 94-99 | |||
Kuriyma К | |||
et al | |||
Single-crystal growth and characterization |
Авторы
Даты
2005-06-27—Публикация
2002-12-04—Подача