СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН Российский патент 2009 года по МПК H01L21/306 

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к обработке поверхности кремниевых пластин от загрязнений после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки.

Обычно загрязнения с поверхности полупроводниковых пластин после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки удаляют с помощью кистей, щеток, батистовых салфеток.

Основным недостатком механического способа удаления загрязнения является разрушение структуры кремниевых подложек, приводящее к появлению трещин и сколов [1].

Техническим результатом изобретения является полное удаление загрязнений с поверхности без повреждений структуры кремниевой подложки.

Технический результат достигается обработкой поверхности подложек в изопропиловом спирте при частоте ультразвука 25±5 Гц.

Сущность способа заключается в том, что пластины загружают в ванну, заполненную изопропиловым спиртом, и при частоте ультразвука 25±5 Гц проводят удаление загрязнений в течение 5±1 минут. При такой обработке кремниевые пластины не повреждаются, не образуются сколы и трещины.

Контроль производится под сфокусированным светом, по количеству светящихся точек. Количество светящихся точек не превышает 5 штук.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки, при частоте ультразвука, равной 20 Гц.

Температура комнатная и время очистки 5±1 минут.

Светящихся точек на пластине не более 5 штук.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при частоте ультразвука, равной 30 Гц. Температура комнатная и время очистки 4 минуты.

Светящихся точек на пластине не более 5 штук.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1.

Процесс проводят при частоте ультразвука, равной 25±5 Гц.

Температура комнатная и время очистки 5±1 минут.

Светящихся точек на пластине не более 5 штук.

Таким образом, предлагаемый способ обеспечивает удаление загрязнений с поверхности подложек при частоте ультразвука, равной 25±5 Гц, и времени, равном 5±1 минут. Светящихся точек на пластине обеспечивается не более 5 штук.

Источники информации

1. Е.З.Мазель, Ф.П.Пресс. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия. 1974. - С.243.

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к обработке поверхности кремниевых пластин от загрязнений после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки. Сущность изобретения: в способе обработки поверхности кремниевых пластин пластины загружают в ванну, заполненную изопропиловым спиртом, и при частоте ультразвука 25±5 Гц проводят удаление загрязнений в течение 5±1 минут. Контроль производится под сфокусированным светом, по количеству светящихся точек. Количество светящихся точек не превышает 5 штук. При такой обработке обеспечивается полное удаление загрязнений, кремниевые пластины не повреждаются, не образуются сколы и трещины.

Способ обработки поверхности кремниевых пластин, включающий удаление загрязнений с поверхности пластин в изопропиловом спирте, отличающийся тем, что пластины подвергают удалению загрязнений в изопропиловом спирте с частотой ультразвука 25±5 Гц и времени очистки 5±1 мин при комнатной температуре, при этом контроль проводят под сфокусированным светом, количество светящихся точек на пластине не более 5 штук.