СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА Российский патент 2009 года по МПК H01L21/205 

Описание патента на изобретение RU2356125C2

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления транзисторов со структурой кремний - на - изоляторе, с низкой плотностью дефектов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора с низкой плотностью дефектов [1] путем формирования многослойной структуры, в которой аморфные слои чередуются с полупроводниковыми слоями и каждый из них имеет строго фиксированную толщину, с последующим нанесением эпитаксиального слоя. В полупроводниковых приборах, изготовленных таким способом, образуются переходные слои, которые ухудшают параметры полупроводниковых приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора с низкой плотностью дефектов [2] путем обработки ионами бора с энергией 350 кэВ подложки с защитным слоем Si3N4, быстрым отжигом при 900°С в течение 25 с и с последующим нанесением эпитаксиального слоя.

Недостатками этого способа являются:

- низкая технологическая воспроизводимость;

- повышенная плотность дефектов;

- значительные токи утечки.

Задача изобретения - снижение плотности дефектов и повышение подвижности в полупроводниковых приборах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.

Задача решается путем формирования на изолирующих подложках тонких пленок кремния при температуре 945±15°С со скоростью 5,3÷6 мкм/мин, пиролитическим разложением моносилана, разбавленного водородом до 4-5%, после отжига сапфировых подложек в водороде при температуре 980÷1150°С в течение 60 с.

Формирование пленок кремния на изолирующих подложках с большой скоростью роста обеспечивает более совершенную структуру за счет снижения продолжительности воздействия газовой среды реактора и, следовательно, не ведет к вытравливанию Al из сапфира и соответственно его встраивания в слой кремния с образованием дефектов.

Технология способа состоит в следующем: в процессе производства полупроводниковых приборов подложки сапфира отжигают в водороде перед наращиванием пленок кремния при температуре 980-1150°С в течение 60 с, затем на сапфировой подложке формируют пленку кремния пиролитическим разложением моносилана, разбавленного водородом до 4-5%, со скоростью 5,3÷6 мкм/мин при температуре 945±15°С. Снижение продолжительности воздействия газовой среды реактора (H2 и SiH4) снижает вытравления Al из сапфира и, следовательно, снижается вероятность попадания Al в слой кремниевой пленки. Затем в пленке кремния создают активные области полупроводникового прибора по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Параметры приборов, изготовленных по стандартной технологии Параметры приборов, изготовленных по предлагаемой технологии плотность дефектов N, см-2, ·103 подвижность, см2/B·c плотность дефектов N, см-2, ·101 подвижность, см2/В·с 6,8 466 8,2 728 3,9 539 5,5 790 5,6 480 7,7 742 2,2 552 3,2 800 4,5 500 6,5 756 1,6 541 4,5 791 7,9 440 8,9 712 2,1 563 1,5 810 6,7 476 7,5 739 4,4 520 5,2 776 3,2 548 3,6 790 5,6 475 6,9 725 1,1 562 2,2 806

Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 16%.

Технический результат:

- снижение плотности дефектов;

- повышение подвижности носителей;

- обеспечение технологичности;

- улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования пленок кремния на изолирующих подложках пиролитическим разложением моносилана, разбавленного водородом до 4-5%, со скоростью 5,3÷6 мкм/мин при температуре 945±15°С в течение 60 с, после отжига подложек в водороде при температуре 980-1150°С позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.

Источники информации

1. Заявка 126819, Япония, МКИ H01L 21/20.

2. Патент №5068695, США, МКИ H01L 29/161.

Похожие патенты RU2356125C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ 2013
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2539789C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2008
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2388108C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2005
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Кармоков Ахмед Мацович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
RU2284611C1
Способ изготовления полупроводниковой структуры 2019
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
  • Багов Артур Мишевич
RU2705516C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С НИЗКОЙ ПЛОТНОСТЬЮ ДЕФЕКТОВ 2006
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2330349C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2006
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2340038C2
Способ изготовления полупроводниковой структуры 2016
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2629655C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ 2009
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2402101C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2005
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
RU2302055C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2009
  • Мустафаев Абдула Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2431904C2

Реферат патента 2009 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат: снижение плотности дефектов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Сущность изобретения: в процессе производства полупроводниковых приборов подложки отжигают в водороде при температуре 980-1150°С в течение 60 с, затем на изолирующей подложке со скоростью 5,3-6 мкм/мин формируют пленку кремния при температуре 945±15°С пиролитическим разложением моносилана, разбавленного водородом до 4-5%. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 356 125 C2

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий наращивание эпитаксиального слоя кремния на подложке и формирование на ней активных областей полупроводникового прибора, отличающийся тем, что наращивание пленок кремния приводят на изолирующей подложке со скоростью 5,3-6 мкм/мин, при температуре 945±15°С пиролитическим разложением моносилана, разбавленного водородом до 4-5%, после отжига подложек в водороде при температуре 980-1150°С в течение 60 с.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2009 года RU2356125C2

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР 1977
  • Манжа Николай Михайлович
  • Басов Александр Сергеевич
  • Кокин Вильям Николаевич
  • Любимов Евгений Сергеевич
  • Чистяков Юрий Дмитриевич
SU1840260A1
RU 1396862 С, 20.10.1995
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР КРЕМНИЯ 2003
  • Бажинов А.Н.
  • Рябов В.Н.
RU2231861C1
US 5068695 A, 26.11.1991.

RU 2 356 125 C2

Авторы

Мустафаев Абдулла Гасанович

Мустафаев Гасан Абакарович

Мустафаев Арслан Гасанович

Даты

2009-05-20Публикация

2007-07-09Подача