СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ СО СТРУКТУРОЙ ВЮРТЦИТА Российский патент 2009 года по МПК C01G11/00 C01B19/00 B82B3/00 

Описание патента на изобретение RU2374180C1

Изобретение относится к способам получения наночастиц веществ с заданными свойствами, в частности к получению полупроводниковых наночастиц теллурида кадмия метастабильной гексагональной фазы (вюртцита).

На современном этапе развития науки и техники возник интерес к материалам в виде наночастиц. При размере частиц 10 нм на поверхность приходится до 50% материала, и нанокристаллические материалы обладают особыми физико-химическими свойствами.

Монокристаллы теллурида кадмия интересны для фотоэлектрического преобразования солнечной энергии и применений в оптике. У нанокристаллов теллурида кадмия около 10 нм отмечены существенные изменения ряда свойств, что делает их перспективными для создания оптических приборов (приемников, люминофоров, призм, линз, окон, лазеров), детекторов ионизирующих лучей, катализаторов, открывая пути не только для микроминиатюризации, но и для расширения областей применения. Особый интерес представляет малоизученная метастабильная модификация наночастиц теллурида кадмия метастабильной гексагональной фазы (вюртцита). Полупроводниковые материалы, в том числе A2B6, получали высокотемпературной и сложной технологией и обычно получают только стабильную фазу сфалерита.

Известен способ и состав шихты для получения тонких пленок в виде вафель монокристаллов Hg1-xCdx Те с заданными свойствами нагревом в двухзонной печи при заданных высоких температурах с заданной ограниченной скоростью движения потока совместно с селеном и цинком и последующими обработками вафель для получения фоточувствительных приемников [Патент GB 2308356].

Однако получить материал в виде наночастиц таким способом невозможно, тем более метастабильной гексагональной фазы (вюртцита).

Известен метод получения из газовой фазы наночастиц теллурида кадмия размером менее 100 нм с заданными свойствами нагревом в двухзонной печи. При температуре испарения 750°С частицы имеют размер 10 нм, при 990°С - 100 нм [N.N.Kolesnikov, V.V.Kveder, R.B.James, D.N.Borisenko, M.P.Kulakov. Growth of Теллурид кадмия Nanocrystals by vapor deposition method. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. 2004, A 527, p.73-75].

Однако метод трудоемок, высокие температуры увеличивают степень загрязнения продукта, получить частицы размером менее 10 нм нельзя, тем более метастабильной гексагональной фазы (вюртцита).

Известен принятый за прототип низкотемпературный метод получения наночастиц при химическом осаждении в автоклаве из неводных растворов при 180°С. Получаются нанокристаллы CdSe и CdTe только исключительно сфалеритной фазы разных размеров частиц и их формы, но не менее 10 нм [Wang Q., Pan D., Jiang S., Ji X., An L., Jiang B. A solvotermal route to size- and shape-controlled CdSe and Теллурид кадмия nanocristals J.Cryst. Growth 2006, v.286, p.83-90].

Однако процесс, хотя и более низкотемпературный, трудоемок и не дает частиц менее 10 нм, тем более метастабильной гексагональной фазы (вюртцита).

Технический результат, на достижение которого направлено заявляемое изобретение, состоит в упрощении технологии, уменьшении размеров получаемых наночастиц до 1 нм и получении их в метастабильной гексагональной фазе вюртцита.

Для достижения данного технического результата в предлагаемом способе, включающем осаждение теллурида кадмия, теллурид кадмия предварительно разлагают в расплаве щелочей (гидроокиси натрия или калия) в атмосфере азота до гомогенизации расплава, затем расплав охлаждают до (-15)-(-20)°С и постепенно добавляют при постоянном помешивании водно-спиртово-аммиачную смесь с температурой (-15)-(-20)°С до полного осаждения теллурида кадмия с размером наночастиц около 1 нм, структурой вюртцита и выпавший осадок отфильтровывают.

Отличительными признаками предлагаемого способа являются разложение исходного теллурида кадмия в расплаве щелочи и обратное осаждение теллурида кадмия охлажденной до (-15)-(-20)°С водно-спиртово-аммиачной смесью при ее постепенном добавлении и при постоянном перемешивании до получения конечного раствора с температурой не выше (-5)-(-10)°С.

Пример 1.

Исходные кристаллы теллурида кадмия (CdTe) высокой чистоты плавят с гидроокисью калия (КОН хч) в стеклоуглеродном тигле в атмосфере азота до полной гомогенизации окрашенного продукта. Расплав охлаждают до -20°С и постепенно при охлаждении добавляют охлажденную до -15°С водно-спиртово-аммиачную смесь при ее постепенном добавлении при постоянном перемешивании и охлаждении для получения конечного раствора при температуре не выше -5°С. На нанофильтре собирают осадок теллурида кадмия для последующих операций. Химический состав отвечает формуле CdTe. Спектры флюоресценции дают сдвиг до синей части спектра, как и ожидается для частиц размера около 1 нм. Размер наночастиц около 1 нм.

Пример 2.

Исходные кристаллы теллурида кадмия (CdTe) высокой чистоты плавят с гидроокисью натрия (NaOH хч) в стеклоуглеродном тигле в атмосфере азота до полной гомогенизации окрашенного продукта. Расплав охлаждают до -20°С и постепенно при охлаждении добавляют охлажденную до -15°С водно-спиртово-аммиачную смесь при ее постепенном добавлении при постоянном перемешивании и охлаждении для получения конечного раствора при температуре не выше -5°С. После окончания процесса раствор доводят до комнатной температуры. На нанофильтре собирают осадок теллурида кадмия для последующих операций. Химический состав отвечает формуле CdTe. Спектры флюоресценции дают сдвиг до синей части спектра, как и ожидается для частиц размера около 1 нм. Размер наночастиц около 1 нм.

Структура вюртцита доказана тем, что частицы не катализируют превращение β-Sn в α-Sn в течение 140 часов, тогда как аналогичные частицы со структурой сфалерита заражают олово за 5-8 часов, то есть значительно более чем на порядок быстрее [Механизмы аллотропного превращения олова. "Неорганические материалы". 2003 г., т 39, N8 с.944-948].

Похожие патенты RU2374180C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ СО СТРУКТУРОЙ СФАЛЕРИТА 2008
  • Стыркас Аркадий Дмитриевич
RU2378200C1
СПОСОБ ИЗВЛЕЧЕНИЯ ТЕЛЛУРА 2008
  • Колесников Николай Николаевич
  • Стыркас Аркадий Дмитриевич
RU2377334C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОПОРОШКА ТУЛЛУРИДА ЦИНКА-КАДМИЯ С СОСТАВОМ CdZnTe 2006
  • Колесников Николай Николаевич
  • Кведер Виталий Владимирович
  • Борисенко Дмитрий Николаевич
  • Борисенко Елена Борисовна
  • Гартман Валентина Кирилловна
  • Тимонина Анна Владимировна
RU2307785C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОБЪЕМНОГО ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ ПРЕССОВАНИЕМ 2004
  • Колесников Николай Николаевич
  • Кведер Виталий Владимирович
  • Борисенко Елена Борисовна
  • Борисенко Дмитрий Николаевич
  • Гартман Валентина Кирилловна
RU2278186C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ ИЗ ГАЗОВ И ПАРОВ ЖИДКОСТЕЙ, СУЩЕСТВУЮЩИХ ПРИ КОМНАТНОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ В ВИДЕ ГАЗОВ ИЛИ ЖИДКОСТЕЙ 2008
  • Ефимов Виктор Борисович
  • Межов-Деглин Леонид Павлович
RU2399581C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОБЪЕМНОГО ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА-КАДМИЯ ХОЛОДНЫМ ПРЕССОВАНИЕМ 2006
  • Колесников Николай Николаевич
  • Кведер Виталий Владимирович
  • Борисенко Елена Борисовна
  • Борисенко Дмитрий Николаевич
  • Гартман Валентина Кирилловна
  • Тимонина Анна Владимировна
RU2318928C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ СЕРЕБРА 2011
  • Галиахметов Раиль Нигматьянович
  • Мустафин Ахат Газизьянович
  • Шарипов Тагир Вильданович
  • Шарипов Талгат Ишмухамедович
RU2448810C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОПОРОШКА СЕЛЕНОТЕЛЛУРИДА ЦИНКА 2010
  • Колесников Николай Николаевич
  • Кведер Виталий Владимирович
  • Борисенко Дмитрий Николаевич
  • Борисенко Елена Борисовна
  • Гартман Валентина Кирилловна
  • Орлов Валерий Иванович
  • Тимонина Анна Владимировна
RU2415805C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AB 2008
  • Аверичкин Павел Андреевич
  • Коновалов Александр Аполлонович
  • Шлёнский Алексей Александрович
  • Шматов Николай Иванович
RU2380461C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХРЕШЕТОК НАНОКРИСТАЛЛОВ НА ПРОВОДЯЩИХ ПОДЛОЖКАХ 2009
  • Елисеев Андрей Анатольевич
  • Напольский Кирилл Сергеевич
  • Горожанкин Дмитрий Федорович
  • Саполетова Нина Александровна
  • Лукашин Алексей Викторович
  • Лысков Николай Викторович
  • Добровольский Юрий Анатольевич
RU2433083C2

Реферат патента 2009 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ СО СТРУКТУРОЙ ВЮРТЦИТА

Изобретение может быть использовано для производства фотоэлементов солнечных батарей, для создания оптических приборов, детекторов ионизирующих излучений и катализаторов. Способ получения наночастиц теллурида кадмия со структурой вюртцита включает разложение кристаллов теллурида кадмия в расплаве гидроокиси калия или натрия в атмосфере азота до полной гомогенизации полученного продукта. Расплав охлаждают до (-15)-(-20)°С и постепенно добавляют при перемешивании и охлаждении водно-спиртово-аммиачную смесь с температурой (-15)-(-20)°С до получения конечного раствора с температурой не выше -5°С. Выпавший осадок теллурида кадмия отфильтровывают. Изобретение позволяет получить наночастицы теллурида кадмия со структурой вюртцита и размером около 1 нм и упростить технологию их получения.

Формула изобретения RU 2 374 180 C1

Способ получения наночастиц теллурида кадмия со структурой вюртцита, включающий осаждение теллурида кадмия, отличающийся тем, что теллурид кадмия предварительно разлагают в расплаве щелочей (гидроокисей натрия или калия) в атмосфере азота до гомогенизации расплава, затем расплав охлаждают до (-15)-(-20)°С и постепенно добавляют при постоянном помешивании водно-спиртово-аммиачную смесь с температурой (-15)-(-20)°С для получения конечного раствора с температурой не выше -5°С до полного осаждения теллурида кадмия с размером наночастиц около 1 нм, структурой вюртцита и выпавший осадок отфильтровывают.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2009 года RU2374180C1

S.KUMAR, Т.NANN, Hexagonal CdTe nanoparticles of various morphologies., Chemical Communications, 2003, vol.19, p.p.2478-2479
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ 2005
  • Головин Сергей Вадимович
  • Бурлаков Игорь Дмитриевич
RU2298251C1
Способ изготовления тормозных : деталей 1941
  • Дрючин И.Е.
  • Чак И.Ш.
SU64282A1
GB 786310 A, 13.11.1957
US 7060243 B2, 13.06.2006
US 2005112849 A1, 26.05.2005
QUIANG WANG, DAOCHENG PAN et al
A solvothermal route to size- and shape-controlled CdSe and CdTe nanocrystals., Journal of Crystal Growth, 2006, vol.286, p.p.83-90.

RU 2 374 180 C1

Авторы

Стыркас Аркадий Дмитриевич

Даты

2009-11-27Публикация

2008-05-26Подача