СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРИГОДНОСТИ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КРИСТАЛЛА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШИРОКОПОЛОСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ УЛЬТРАЗВУКА Российский патент 2010 года по МПК G01N29/00 

Описание патента на изобретение RU2387984C2

Область техники

Изобретение относится к области физической и технической акустики твердого тела и может быть применено в таких областях техники, как радиоэлектроника, автоматизация технологических процессов, материаловедение, неразрушающий контроль и т.д., в частности, для автоматического экспресс-анализа материалов методом ультразвукового мониторинга, и к областям практического применения пьезоэлектрических свойств кристаллов, а именно изготовления из них широкополосных пьезоэлектрических преобразователей и применения их в приборах ультразвукового неразрушающего контроля (ультразвуковые дефектоскопы, акустические микроскопы, приборы акустической эмиссии).

Пьезоэлектрические преобразователи являются основным элементом упомянутых выше приборов, и значениями их параметров - таких как величина коэффициента электромеханической связи (КЭМС), определяющая коэффициент полезного действия при преобразовании энергии переменного электрического поля в энергию акустического поля, полоса рабочих частот - определяемая по разнице значений верхней и нижней частот при эффективности преобразования на уровне 0.7, величина относительной диэлектрической проницаемости, коэффициент затухания ультразвука определяются важные характеристики приборов неразрушающего контроля - чувствительность к содержанию дефектов в изделии, разрешающая способность, размер областей в изделии, доступный для исследования дефектов. Применение пьезоэлектрических материалов с повышенной эффективностью преобразования и широкой частотной полосой пропускания позволяет также существенно улучшить рабочие характеристики различных акустоэлектронных и акустооптических устройств, служащих для обработки, задержки и углового сканирования электромагнитного излучения.

Уровень техники

Контроль однородности свойств кристаллов с применением ультразвуковых методов широко применяется в научных исследованиях и в технике. При этом в исследуемом образце возбуждаются ультразвуковые колебания и по акустическим характеристикам - скорости распространения и величине коэффициента затухания ультразвука - судят о наличии неоднородных областей. Среди пьезоэлектрических кристаллов, находящих широкое применение в акустических исследованиях, наиболее известными являются кристаллы кварца, ниобата лития и иодата лития [1]. Особое место среди указанных кристаллов занимают кристаллы иодата лития [2]. Они обладают уникальным сочетанием акустических, оптических и пьезоэлектрических свойств, при этом физические параметры, отвечающие за эти свойства, определяются как условиями получения кристаллов - температурой роста, степенью чистоты исходного вещества, кислотностью раствора, так и внешними воздействиями, в частности, внесенными примесями и радиационным облучением. [3-4]. Специфика получения кристаллов иодата лития из раствора и акустоионный механизм затухания ультразвука в них [5] определяет наличие локальных неоднородностей физических свойств кристалла, что естественно сказывается и на неодинаковости характеристик пьезоэлектрических преобразователей, изготавливаемых из различных сечений этих кристаллов. Поэтому весьма актуальной является проблема разработки способа контроля локальных неоднородностей пьезоэлектрических кристаллов для получения возможности выбора тех областей кристалла, которые удовлетворяют заданным технологическим условиям при изготовлении широкополосных преобразователей ультразвука. В научно-технической и патентной литературе описаны различные способы обнаружения неоднородностей в пьезоэлектрических материалах [6-8].

Описание аналогов и прототипа

Наиболее распространенным способом измерения акустических характеристик пьезоэлектрических кристаллов является способ измерения коэффициента затухания и скорости ультразвука, основанный на возбуждении и регистрации ультразвуковых волн, прошедших через образец известной длины [9]. При этом получается информация об упругих свойствах всего образца в целом, что не позволяет судить о наличии в образце локальных неоднородностей. Наиболее близким к разрабатываемому изобретению является акустооптический способ измерения скорости и затухания ультразвуковых волн, основанный на Брэгговской дифракции света на ультразвуке. Способ позволяет получать информацию о наличии локальных неоднородностей и об акустических свойствах произвольно выбранной локальной области образца с пространственным разрешением, определяемым шириной пучка лазерного излучения [10]. При этом информация о величине коэффициента затухания ультразвука получается на основе сравнения интенсивностей лазерного излучения, прошедшего через две близко расположенные области образца при одновременном возбуждении в нем высокочастотных ультразвуковых колебаний, а величина скорости ультразвука рассчитывается на основе измеренного значения угла дифрагированного пучка света. Недостатком известного способа является ограниченность информации, которая не позволяет, в частности, судить о локальных значениях величины коэффициента электромеханической связи и определять пригодность произвольно выбранного локального сечения пьезоэлектрического кристалла для изготовления широкополосного преобразователя ультразвука.

Раскрытие изобретения.

Предлагаемое изобретение лишено указанного недостатка. Технический результат заявленного изобретения состоит (по сравнению с прототипом) в повышении контроля за пригодностью пьезоэлектрического кристалла как базы для будущего пьезоэлектрического преобразователя, а также в сокращении трудоемкости и в снижении процента брака при изготовлении широкополосных преобразователей ультразвука. Ограниченность информации о наличии в пьезоэлектрическом кристалле неоднородностей в локально выбранных областях приводит к несоответствию техническим условиям характеристик преобразователей ультразвука, изготавливаемых из заведомо непригодного пьезоэлектрического кристалла. Это является актуальной проблемой для ультразвуковой дефектоскопии.

В отличие от прототипа [10] в заявленном изобретении наряду с измерением локальных значений коэффициента затухания ультразвуковых волн в произвольно выбранных областях пьезоэлектрического кристалла дополнительно в тех же областях проводят измерение коэффициента электромеханической связи путем приложения дополнительного электрического поля, частота которого соответствует установлению механического резонанса по толщине кристалла, и по измеренным значениям локальных значений коэффициента затухания ультразвуковых волн и коэффициента электромеханической связи определяют наличие локальных неоднородностей кристалла и определяют пригодность локально выбранного сечения пьезоэлектрического кристалла для изготовления из него широкополосного преобразователя ультразвука.

Сущность изобретения

Проведенные нами исследования показали, что между величиной коэффициента затухания ультразвука в пьезоэлектрическом кристалле и значением полосы рабочих частот, в которой происходит эффективное преобразование ультразвука, наблюдается четкая корреляция - чем больше величина затухания ультразвука, тем шире полоса рабочих частот преобразователя ультразвука. Кроме того, установлено, что эффективность работы преобразователя определяется величиной коэффициента электромеханической связи. Поэтому при определении пригодности выбранной области кристалла для изготовления широкополосных преобразователей ультразвука необходимо иметь информацию о локальных значениях двух параметров - коэффициента затухания ультразвука в произвольно выбранных локальных областях кристалла - αлок. и величины КЭМСлок. в тех же областях.

Для измерения величины КЭМСлок к произвольно выбранным локальным областям пьезоэлектрического кристалла прикладывают переменное электрическое поле с частотой, соответствующей установлению механического резонанса по толщине кристалла, а величину КЭМСлок. определяют по значениям частот резонанса - антирезонанса. При этом по измеренным значениям αлок. и КЭМСлок. можно определить наличие локальных неоднородностей в кристалле и определить пригодность локально выбранной области пьезоэлектрического кристалла для изготовления широкополосных преобразователей ультразвука.

Технический результат изобретения достигается за счет проведения предварительных исследований наличия локальных неоднородностей пьезоэлектрического кристалла и определения пригодности локально выбранной области пьезоэлектрического кристалла для изготовления широкополосных преобразователей ультразвука, что позволяет значительно сократить трудозатраты на изготовление широкополосных преобразователей ультразвука и уменьшить процент брака изделий, не соответствующих техническим условиям.

Осуществление изобретения

Достигнутый технический результат иллюстрируется таблицей, в которой приведены значения КЭМСлок. коэффициента затухания ультразвука αлок., полоса рабочих частот и эффективность работы широкополосного преобразователя ультразвука (в относительных единицах) для 10 образцов, изготовленных из разных срезов кристалла. Размер локально выбранной области кристалла - 2 мм вдоль направления гексагональной оси кристалла, размер поперечного сечения кристалла - 12×12 мм.

Таблица Номер сечения образца αлок., дБ/см КЭМСлок. А, (отн. ед.) Полоса рабочих частот, МГц 1 60 0.25 4 15 2 80 0.27 5 20 3 100 0.35 8 30 4 110 0.40 9 35 5 120 0.42 10 40 6 120 0.42 10 40 7 100 0.37 9 35 8 100 0.30 8 30 9 70 0.27 6 20 10 70 0.27 5 20

Из данных таблицы по значениям величин αлок. и КЭМСлок. следует, что сечения образца с номерами 1,2 и 9,10 имеют локальные неоднородности, так как в них наблюдаются заниженные значения αлок. и КЭМСлок., a широкополосные пьезоэлектрические преобразователи, изготовленные из этих сечений, при заданных технических условиях на параметры широкополосного пьезоэлектрического преобразователя - значения величины А не менее 8 относительных единиц и полосы рабочих частот не менее 30 Мгц, не соответствуют техническим условиям и попадают в число отбракованных изделий. Полученный вывод о непригодности сечений 1, 2 и 9, 10 для изготовления широкополосных преобразователей ультразвука можно было сделать и заранее лишь на основании измерений αлок. и КЭМСлок. и тем самым исключить трудозатраты на изготовление из этих сечений преобразователей ультразвука и снизить процент брака готовых изделий.

Таким образом, по сравнению с прототипом заявляемый способ контроля пригодности пьезоэлектрического кристалла для изготовления широкополосных преобразователей ультразвука имеет следующие преимущества: заявляемый способ позволяет определять пригодность произвольно выбранного сечения пьезоэлектрического для изготовления на их основе широкополосных преобразователей ультразвука с параметрами, соответствующими заданным техническим условиям, и тем самым позволяет снизить трудозатраты и уменьшить процент брака готовых изделий.

Источники информации

1. К.И.Авдиенко, Б.И.Кидяров, С.В.Богданов. Иодат лития, выращивание кристаллов, их свойства и применение. Наука, 1980, 143 с.

2. Акустические кристаллы. Под. ред. М.П.Шаскольской, Москва: Наука, 1982, 632 с.

3. К.А.Авдиенко, Б.И.Кидяров, Д.В.Шелопут. Неоднородности в кристаллах иодата лития в связи с условиями выращивания и их влияние на пьезоэлектрические свойства. В кн. Дефекты структуры в полупроводниках, ИФП СО АН СССР, 1973, с.190-193.

4. К.И.Авдиенко, С.В.Богданов, Б.И.Кидяров. Оптические, акустические и пьезоэлектрические свойства кристаллов иодата лития. Изв. АН СССР, Сер. физ. 1977, т.41, №4. с.700-706.

5. А.А.Абрамович, В.А.Шутилов, Т.Д.Левицкая, Б.И.Кидяров. Температурная зависимость поглощения ультразвука в кристаллах иодата лития. Физика твердого тела, 1972, т.14, №9. с.2585-2590.

6. О.Ф.Меньших. Устройство распознавания внутренних неоднородностей объекта. RU 2276355.

7. Okuno Makoto и др. Способ измерения кристаллических частиц. JP 3140244 В2, 6258299 А.

8. Яценко В.А. Способ контроля однородности керамического материала для пьезоэлектрических преобразователей, RU 95122787.

9. Р.Труэлл, Эльбаум Ч., Чик Б. Ультразвуковые методы в физике твердого тела. Под ред. И.Г.Михайлова, В.В.Леманова. - М.: Мир, 1972, 350 с.

10. Физическая акустика, т.5. Под ред. И.Г.Михайлова. - М.: Мир, 1974, 432 с.

Похожие патенты RU2387984C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ДЛЯ ШИРОКОПОЛОСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ УЛЬТРАЗВУКА 2007
  • Недбай Александр Иванович
  • Сарнацкий Валерий Моисеевич
RU2347859C2
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ШИРОКОПОЛОСНЫЙ ПЬЕЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ 1988
  • Васильев К.Б.
  • Донитов М.Д.
  • Кутин Е.М.
  • Сарнацкий В.М.
  • Шоно А.А.
SU1826842A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО ПЬЕЗОМАТЕРИАЛА 2019
  • Луговая Мария Андреевна
  • Рыбянец Андрей Николаевич
  • Швецова Наталья Александровна
RU2713835C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО ПЬЕЗОМАТЕРИАЛА 2015
  • Науменко Анастасия Андреевна
  • Рыбянец Андрей Николаевич
  • Швецова Наталья Александровна
RU2623693C2
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ОБЪЕМНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 2000
  • Роздобудько В.В.
  • Перевощиков В.И.
  • Андросов А.В.
RU2168265C1
КОЛЛИНЕАРНЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ ФИЛЬТР 2002
  • Роздобудько В.В.
  • Пивоваров И.И.
  • Бакарюк Т.В.
RU2208825C1
НЕКОЛЛИНЕАРНЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ ФИЛЬТР 2002
  • Роздобудько В.В.
  • Пивоваров И.И.
  • Бакарюк Т.В.
RU2208824C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФИЗИКО-МЕХАНИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛИМЕРНЫХ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2001
  • Каблов Е.Н.
  • Гуняев Г.М.
  • Карабутов А.А.
  • Мурашов В.В.
  • Пеливанов И.М.
  • Подымова Н.Б.
  • Румянцев А.Ф.
RU2214590C2
СПОСОБ КОНТРОЛЯ СРЕДНЕГО РАЗМЕРА ЗЕРНА МАТЕРИАЛА ТОНКОЛИСТОВОГО ПРОКАТА С ПОМОЩЬЮ УЛЬТРАЗВУКА 2004
  • Паврос С.К.
  • Парр Ю.А.
RU2262694C1
СПОСОБЫ ИЗМЕРЕНИЯ СВОЙСТВ МНОГОФАЗНЫХ СМЕСЕЙ НЕФТЬ-ВОДА-ГАЗ 2014
  • Синха, Дипен, Н.
  • Чаудхури, Анирбан
  • Пантеа, Кристиан
RU2659584C2

Реферат патента 2010 года СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПРИГОДНОСТИ ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КРИСТАЛЛА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШИРОКОПОЛОСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ УЛЬТРАЗВУКА

Использование: для контроля пригодности пьезоэлектрического кристалла для изготовления широкополосных преобразователей ультразвука. Сущность: заключается в том, что осуществляют измерение в произвольно выбранных по длине пьезоэлектрического кристалла локальных областях коэффициента затухания ультразвука методом дифракции света на ультразвуковых колебаниях, при этом к тем же произвольно выбранным по длине пьезоэлектрического кристалла локальным областям прикладывают переменное электрическое поле и по значениям частот резонанса-антирезонанса определяют коэффициент электромеханической связи, по величине которого и предварительно измеренному значению в этой же локальной области коэффициента затухания ультразвука осуществляют контроль однородности свойств кристалла, по наличию которой в локально выбранной области пьезоэлектрического кристалла судят о его пригодности для изготовления широкополосных преобразователей ультразвука. Технический результат: повышение степени контроля за пригодностью пьезоэлектрического кристалла для изготовления широкополосных преобразователей ультразвука. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 387 984 C2

Способ контроля пригодности пьезоэлектрического кристалла для изготовления широкополосных преобразователей ультразвука, заключающийся в измерении в произвольно выбранных по длине пьезоэлектрического кристалла локальных областях коэффициента затухания ультразвука методом дифракции света на ультразвуковых колебаниях, отличающийся тем, что к тем же произвольно выбранным по длине пьезоэлектрического кристалла локальным областям прикладывают переменное электрическое поле и по значениям частот резонанса-антирезонанса определяют коэффициент электромеханической связи, по величине которого и предварительно измеренному значению в этой же локальной области коэффициента затухания ультразвука осуществляют контроль однородности свойств кристалла, по наличию которой в локально выбранной области пьезоэлектрического кристалла судят о его пригодности для изготовления широкополосных преобразователей ультразвука.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2010 года RU2387984C2

МИХАЙЛОВ И.Г
Физическая акустика
- М.: Мир, 1974, т.5, с.432
Способ контроля качества пьезоэлементов 1981
  • Маглеванный Валерий Иванович
  • Душин Леонид Алексеевич
  • Лазаретник Аврам Шиманович
  • Дмитриев Валентин Васильевич
SU1002950A1
Устройство для измерения параметров пьезоэлектрических материалов методом резонанса-антирезонанса 1977
  • Мазур Михаил Михайлович
  • Токарев Евгений Федорович
SU720578A1
US 6480010 B2, 12.11.2002
US 3916303 A, 28.10.1975.

RU 2 387 984 C2

Авторы

Пирозерский Алексей Леонидович

Сарнацкий Владимир Валерьевич

Сарнацкий Валерий Моисеевич

Даты

2010-04-27Публикация

2008-03-26Подача