ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОСЛОЕВ ХИМИЧЕСКИМ СПОСОБОМ НА СЕРЕБРЯНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТАХ КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Российский патент 2012 года по МПК H01L21/28 B82B3/00 

Описание патента на изобретение RU2443037C1

Изобретение относится к нанесению металлических нанослоев химическим способом, в частности на серебряные электрические контакты кремниевых солнечных элементов.

Наиболее близким аналогом предлагаемого изобретения является изобретение, относящееся к способу нанесения покрытия химическим путем для нанесения покрытия на изделие, пригодному для формирования проводящей пленки на торцах металла или полупроводников (RU 2225460).

Недостатком этого изобретения является отсутствие возможности селективного осаждения металла из химического раствора на конкретное металлическое изделие.

Предлагаемый способ нанесения металлических нанослоев химическим способом заключается в применения технологии химического осаждения металлов, в частности меди (Cu), со скоростью 1 мкм/мин при температуре раствора от 50 до 60°C.

В качестве исходного медьсодержащего реактива для нанесения металлических нанослоев на серебряные электрические контакты кремниевых солнечных элементов использованы неорганические соли меди.

В качестве объекта изобретения использован солнечный элемент на основе кристаллического кремния Si<P>/SiNx (70 nm)/Si<B> с алюминиевым контактом на тыльной стороне пластины и фронтальным серебряным контактом. На фиг.1 показано положение искомого серебряного контакта на фронтальной поверхности кремниевой пластины.

На облучаемой стороне кремниевой пластины имеется фронтальный электрический контакт из серебра в виде решетки, который изготовляется пористым из-за технических и экономических требований. Ширина отдельных полосок составляет 120 мкм, высота 30 мкм.

Эффективность солнечного элемента можно повысить, если уменьшить ширину контактной полоски до 50 мкм и увеличить ее электропроводность за счет заполнения пор серебра и увеличения толщины за счет дешевого металла. Таким образом возникает потребность в улучшении фронтальных контактов в действующих промышленных стандартных технологиях изготовления солнечных элементов.

Согласно существующей технологии изготовление серебряного контакта производится путем нанесения серебряной пасты на поверхность кремниевой пластины продавливанием через металлическую маску. Высота контактной полоски составляет 30 мкм, ширина 120-140 мкм. Далее паста сушится горячим воздухом в течение 1 мин. Затем пластина поступает на ленточный конвейер печи отжига.

Вжигание пасты в антирефлексионный слой SiN ARC производится при температурах 840-980°C. В это же время происходит сжигание органических компонентов исходной пасты и формирование пористой структуры серебряной полоски (фиг.2, 3). Осаждение меди на серебро должно происходить после стадии отжига.

Технический результат изобретения - уплотнение фронтального электрического контакта солнечного элемента осаждением металла, в частности меди (Cu), с хорошей электрической проводимостью, чтобы его повышенное электрическое сопротивление было компенсировано или улучшено.

Предлагается заполнять поры серебряного электрического контакта частицами металла и наращивать на его поверхности слой плотного металла толщиной до 5 мкм.

Способ нанесения металлических нанослоев на серебряные электрические контакты кремниевых солнечных элементов химическим путем согласно изобретению может производиться следующим образом:

(1) промышленный солнечный элемент, состоящий из поликристаллической пластины толщиной более 100 мкм, погружается в стеклянную кювету объемом 1 литр в растворы неорганических солей меди при температуре 60°C;

(2) в качестве химических растворов используются следующие неорганические соли меди:

- сульфат меди CuSO4 5H2O марки ХЧ;

- нитрат меди Cu(NO3)2 5H2O марки ХЧ;

- хлорид меди CuCl2 5H2O марки ХЧ;

(3) покрытие серебряного электрического контакта медью в растворе нитрата меди появляется через 1 минуту после погружения в него промышленного солнечного элемента. Толщина покрытия зависит от концентрации раствора. Наиболее яркие по цвету покрытия получаются с концентрацией соли 2.0 г соли Cu/100 ml H2O.

(4) осаждение металла (Cu) происходит только на серебряные контактные полоски, при этом исключается осаждение металла на поверхность антиотражательного слоя кремниевой пластины, ее оборотной стороны и кантах (фиг.4).

Использование данной технологии позволяет обеспечить внедрение наночастиц металла (Cu) в микропоры фронтального электрического серебряного контакта кремниевых солнечных элементов, что в свою очередь позволяет уменьшить электрическое сопротивление фронтального контакта на серийных солнечных элементах.

Кроме того, применение данной технологии обеспечивает следующие характеристики:

- высокую стабильность растворов по химическому составу, простоту их дозирования и коррекции концентраций, низкие технологические затраты на обслуживание ванн осаждения;

- отсутствие увеличения ширины контактной полоски свыше 50%;

- отсутствие снижения контактного сопротивления и адгезии контакта;

- отсутствие вредных для здоровья человека цианидных растворов и органических растворителей.

Применение дешевых реактивов для осаждения металла, дающих возможность для снижения себестоимости выпускаемых промышленных солнечных элементов, отвечает следующим условиям:

- температура осаждения металла не превышает 50-60°C;

- скорость осаждения металла составляет 1 мкм/мин;

- осаждение может производиться из водных растворов

Научно-технический аспект разрабатываемого метода заключается в минимальном воздействии рабочих растворов на окружающую среду и их совместимости с существующей технологией изготовления промышленных солнечных элементов.

Похожие патенты RU2443037C1

название год авторы номер документа
УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЕ СТАБИЛИЗАЦИЯ И РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ АВТОКАТАЛИТИЧЕСКИХ СПОСОБОВ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ 2005
  • Ремгорд Андерс
RU2398049C2
Контактная сетка гетеропереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния и способ ее изготовления 2016
  • Кукин Алексей Валерьевич
  • Иванов Геннадий Анатольевич
RU2624990C1
Фотоэлектрический преобразователь с самовосстанавливающимся контактом 2017
  • Кукин Алексей Валерьевич
RU2651642C1
ПРОПИТОЧНЫЙ СОСТАВ И ПРОПИТАННЫЙ ИМ НЕТКАНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ОБРАБОТКИ ТРУЩИХСЯ ПОВЕРХНОСТЕЙ РЕЗИН 2001
  • Демичева О.В.
  • Рудакова Т.А.
RU2184806C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧИПОВ КОНЦЕНТРАТОРНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ 2010
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
  • Калюжный Николай Александрович
  • Лантратов Владимир Михайлович
  • Малевская Александра Вячеславовна
  • Минтаиров Сергей Александрович
RU2436194C1
Способ коммутации гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей 2016
  • Кукин Алексей Валерьевич
  • Иванов Геннадий Анатольевич
RU2623820C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧИПОВ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И ТРАВИТЕЛЬ 2012
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Гребенщикова Елена Александровна
  • Калиновский Виталий Станиславович
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
  • Малевская Александра Вячеславовна
  • Усикова Анна Александровна
  • Задиранов Юрий Михайлович
RU2485628C1
ЭЛЕКТРОЛИТ И СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ НА ТОНКИЙ ПРОВОДЯЩИЙ ПОДСЛОЙ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН 2012
  • Кругликов Сергей Сергеевич
  • Валеев Адиль Салихович
  • Тураев Дмитрий Юрьевич
  • Гвоздев Владимир Александрович
RU2510631C1
СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ФОЛЬГИ И ФОЛЬГА, ПОЛУЧЕННАЯ ЭТИМ СПОСОБОМ 1997
  • Ван Андел Элеонор
  • Мидделман Эрик
  • Схропп Рудольф Эммануэл Исидоре
RU2190901C2
СПОСОБ ПАЙКИ ТЕПЛООБМЕННИКА 2013
  • Семенов Виктор Никонорович
  • Костычев Владимир Игоревич
  • Мима Илья Александрович
  • Халитов Вячеслав Гилфанович
RU2569856C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 443 037 C1

Реферат патента 2012 года ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ НАНОСЛОЕВ ХИМИЧЕСКИМ СПОСОБОМ НА СЕРЕБРЯНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТАХ КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Изобретение относится к нанесению металлических нанослоев химическим способом, в частности на серебряные электрические контакты кремниевых солнечных элементов. Сущность изобретения: способ нанесения металлических нанослоев химическим способом заключается в применении технологии химического осаждения металлов, в частности меди (Cu), со скоростью 1 мкм/мин при температуре раствора от 50 до 60°С. В качестве исходного медьсодержащего реактива для нанесения металлических нанослоев на серебряные электрические контакты кремниевых солнечных элементов использованы неорганические соли меди. Технический результат изобретения - уплотнение фронтального электрического контакта солнечного элемента осаждением металла, в частности меди, с хорошей электрической проводимостью, чтобы его повышенное электрическое сопротивление было компенсировано или улучшено. Использование изобретения позволяет повысить эффективность работы солнечного элемента при преобразовании излучения высокой плотности и уменьшить себестоимость его изготовления. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.

Формула изобретения RU 2 443 037 C1

1. Способ нанесения металлических нанослоев химическим способом, отличающийся тем, что для осаждения металла на поверхность серебряного контакта промышленного солнечного элемента в качестве химических растворов используются неорганические соли меди.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температурный режим осаждения металла (меди) из химического раствора неорганических солей меди находится в пределах от 50 до 60°С.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что скорость осаждения металла (меди) из химического раствора неорганических солей меди составляет 1 мкм/мин.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение металла (меди) из химического раствора неорганических солей меди происходит только на серебряные контактные полоски промышленного солнечного элемента, при этом исключается осаждение металла на поверхность антиотражательного слоя кремниевой пластины, ее оборотной стороны и кантах.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2012 года RU2443037C1

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ХИМИЧЕСКИМ ПУТЕМ (ВАРИАНТЫ) 2000
  • Накамура Тецухиро
RU2225460C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДИФФУЗИОННОГО КОРРОЗИОННО-СТОЙКОГО НАНОСТРУКТУРИРОВАННОГО ЗАЩИТНОГО ПОКРЫТИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ИЗДЕЛИЯ 2008
  • Чавчанидзе Александр Шотович
  • Тимофеева Надежда Юрьевна
  • Базаркин Андрей Юрьевич
RU2378412C1
Способ химического осаждения меди 1980
  • Пильников Владимир Петрович
  • Никитин Юрий Степанович
  • Ремпель Семен Израилевич
SU945231A1
US 6403168 B2, 11.06.2002
US 6607981 B1, 19.08.2003
US 5424252 A, 13.06.1995.

RU 2 443 037 C1

Авторы

Лаптев Виктор Иванович

Демичева Ольга Валентиновна

Даты

2012-02-20Публикация

2010-07-29Подача