МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ Российский патент 2012 года по МПК G01L9/00 

Описание патента на изобретение RU2465561C2

Изобретение относится к емкостным датчикам давления газов и жидкостей, в частности микроэлектромеханическим, которые используются для контроля давления в устройствах промышленной автоматики, в гидросистемах и пр.

Известен датчик давления [1]. В нем используется толстая опорная пластина (фиксированный электрод), на которой закреплена диафрагма с емкостным электродом (подвижный электрод), на диафрагме по ее ободу закреплена электродная пластина. Под действием давления диафрагма отклоняется, создавая выходной сигнал.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является микроэлектронный датчик давления [2]. Предлагаемое изобретение заключается в том, что основание датчика выполняется из двух частей: верхняя часть основания полностью идентична с кремниевым чувствительным элементом по конфигурации, размерам и кристаллографической ориентации, а нижняя часть основания выполняется из кремния, стекла или керамики таким образом, что ее боковые внешние размеры вписываются в размеры углубления под мембраной. Соответствующие конструктивные элементы датчика жестко соединены с помощью стекла.

Недостатком этого решения является недостаточно высокая разрешающая способность.

Избежать этого недостатка можно тем, что в датчике давления, выполненном в виде жестко соединенных стеклянного основания и кремниевого чувствительного элемента, стеклянное основание металлизировано и является неподвижным электродом, а кремниевый чувствительный элемент представляет собой вытравленную в кремниевой пластине конфигурацию - основание, в котором вытравлены полость (рабочий объем) тонкой мембраны, жесткость которой определена диапазоном измеряемых давлений, и канал для подвода проводника. Жесткий элемент в центре мембраны является обкладкой конденсатора.

Наличие отличительных признаков указывает на соответствие критерию "новизна".

Указанные отличительные признаки неизвестны в патентной литературе, и поэтому предложенное техническое решение соответствует критерию "изобретательский уровень".

На фиг.1 представлены: а- конструкция датчика давления,

b - принцип работы чувствительного элемента.

На фиг.2 представлена конструктивная схема подвижного элемента микроэлектромеханического датчика давления.

Как показано на фиг.1, датчик давления содержит: 1 - контактные площадки, 2 - мембрана, 3- основание (статор), 4 - нижняя обкладка конденсатора.

Как показано на фиг.2, 2 - мембрана (2.1 - тонкая мембрана, 2.2 - элемент жесткости), 3 - основание (статор), 5 - внутренняя полость, 6 - электрод емкостного датчика перемещения, 7 - канавка для подвода проводника нижней обкладки.

Чувствительный элемент (мембрана) представляет вытравленную в кремниевой пластине конфигурацию - основание, в котором вытравлена полость (рабочий объем) тонкой мембраны, жесткостью которой определяется диапазон измеряемых давлений. Жесткий элемент в центре мембраны является обкладкой конденсатора и характеризует изменение емкости, зависящее от перемещения, а не от формы мембраны. Канавка служит для изоляции обкладок конденсатора и герметизируется.

Принцип работы датчика давления заключается в том, что под действием разности давлений с различных сторон мембрана прогибается, что приводит к изменению собственной емкости конденсатора.

Емкостная система съема сигнала формируется на основе подвижной кремниевой части чувствительного элемента и металлизированной стеклянной основы.

Данный тип конструкции микроэлектромеханических датчиков давления обладает рядом преимуществ. В предложенном типе конструкций используется бесконтактный способ передачи энергии, что приводит к отсутствию трения между деталями. Этот фактор влияет на увеличение механической надежности изделия. Отсутствие накопления объемного заряда приводит также к увеличению электрической надежности. Предложенный тип конструкции в силу отсутствия сильных механических деформаций не предъявляет высоких требований к усталостным свойствам конструкционного материала. Емкостная система съема в совокупности с современными электронными схемами обработки сигнала позволяет достигнуть высокой точности определения положения подвижной части микроэлектромеханических датчиков давления.

Предлагаемое изобретение направлено на решение задачи повышения разрешающей способности.

Данное решение может быть осуществлено на предприятиях РФ на оборудовании, изготавливаемом в РФ, и соответствует критерию "промышленная применимость".

Источники информации

1. Патент РФ на изобретение №2120117, кл. G01L 9/12, опубликовано 10.10.1998.

2. Патент РФ на изобретение №2169912, кл. G01L9/04 опубликовано 27.06.2001.

Похожие патенты RU2465561C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ ЖИДКИХ И ГАЗООБРАЗНЫХ СРЕД 2009
  • Березин Сергей Валерьевич
  • Хорев Максим Дмитриевич
RU2465681C2
ЕМКОСТНОЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ, УСТАНАВЛИВАЕМЫЙ НА ПОДСТАВКЕ (ВАРИАНТЫ), СНИЖАЮЩАЯ ДАВЛЕНИЕ ПОДСТАВКА И СПОСОБ АНОДНОГО СОЕДИНЕНИЯ ДВУХ ПЛАСТИН 1993
  • Чарлз Р.Уиллкокс
  • Кевин Р.Леви
  • Эрик П.Питерсен
  • Ларри А.Пейтерсен
RU2120117C1
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ 2011
  • Вавилов Владимир Дмитриевич
RU2470273C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СТРУКТУР И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2012
  • Цивинский Александр Викторович
  • Цивинская Татьяна Анатольевна
  • Цыганков Виктор Юрьевич
  • Тиняков Юрий Николаевич
  • Милешин Сергей Андреевич
  • Андреев Константин Александрович
  • Борзов Андрей Борисович
  • Лихоеденко Константин Павлович
RU2511282C1
Емкостный преобразователь давления 1990
  • Шеленшкевич Владимир Александрович
  • Артемов Валерий Михайлович
  • Кудряшов Эдуард Алексеевич
  • Шульга Анатолий Иванович
SU1778576A1
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ ЖИДКОСТИ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЕГО ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА 1987
  • Томас А.Кнехт[Us]
  • Роджер Л.Фрик[Us]
  • Стивен М.Брюсхофф[Us]
RU2069328C1
ЕМКОСТНОЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 2003
  • Величко А.А.
  • Илюшин В.А.
  • Филимонова Н.И.
RU2251087C2
МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ВЗРЫВАТЕЛЬ ИЗОХОРИЧЕСКИЙ 2012
  • Борзов Андрей Борисович
  • Лихоеденко Константин Павлович
  • Цыганков Виктор Юрьевич
  • Апресян Арсен Манвелович
RU2522362C1
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ КНИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2015
  • Соколов Леонид Владимирович
RU2609223C1
МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ РАКЕТНЫЙ ДВИГАТЕЛЬ 2012
  • Цыганков Виктор Юрьевич
  • Павлов Григорий Львович
  • Лихоеденко Константин Павлович
  • Борзов Андрей Борисович
  • Сучков Виктор Борисович
RU2498103C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 465 561 C2

Реферат патента 2012 года МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ

Изобретение относится к емкостным датчикам давления газов и жидкостей, в частности микроэлектромеханическим, которые используются для контроля давления в устройствах промышленной автоматики, в гидросистемах. Техническим результатом является повышение разрешающей способности датчика давления. Микроэлектромеханический датчик давления, выполнен в виде жестко соединенных стеклянного основания и кремниевого чувствительного элемента. Стеклянное основание металлизировано и является неподвижным электродом. Кремниевый чувствительный элемент представляет собой вытравленную в кремниевой пластине конфигурацию - основание, в котором вытравлены полость (рабочий объем) тонкой мембраны, жесткость которой определена диапазоном измеряемых давлений, и канал для подвода проводника. Жесткий элемент в центре мембраны является обкладкой конденсатора. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Формула изобретения RU 2 465 561 C2

1. Микроэлектромеханический датчик давления, выполненный в виде жестко соединенных стеклянного основания и кремниевого чувствительного элемента, отличающийся тем, что стеклянное основание металлизировано и является неподвижным электродом, а кремниевый чувствительный элемент представляет собой вытравленную в кремниевой пластине конфигурацию - основание, в котором вытравлены полость (рабочий объем) тонкой мембраны и канал для подвода проводника, а жесткий элемент в центре мембраны является обкладкой конденсатора.

2. Датчик по п.1, отличающийся тем, что жесткость тонкой мембраны определена диапазоном измеряемых давлений.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2012 года RU2465561C2

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 2000
  • Зимин В.Н.
  • Ковалев А.В.
  • Панков В.В.
  • Тимошенков С.П.
  • Шелепин Н.А.
RU2169912C1
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ 2007
  • Данилова Наталья Леонтьевна
  • Панков Владимир Валентинович
  • Суханов Владимир Сергеевич
RU2362133C1
Датчик давления 1977
  • Беликов Леонид Васильевич
  • Жуков Владимир Иванович
  • Рябов Юрий Иванович
SU746217A1
Емкостной датчик давления электростатического типа 1990
  • Цветков Александр Дмитриевич
  • Зубаиров Айрат Миннигалиевич
  • Торгашев Андрей Павлович
  • Иванов Михаил Петрович
  • Зиновьев Владимир Ильич
SU1796933A1
US 4578735 A, 25.03.1986.

RU 2 465 561 C2

Авторы

Ханин Андрей Андреевич

Крылов Денис Мстиславович

Даты

2012-10-27Публикация

2009-02-19Подача