СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКОГО ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА Советский патент 2012 года по МПК H01L21/316

Похожие патенты SU1147205A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА	2018	Мустафаев Гасан Абакарович Мустафаев Абдулла Гасанович Мустафаев Арслан Гасанович Черкесова Наталья Васильевна	RU2688881C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ	2004	Настаушев Юрий Владимирович Наумова Ольга Викторовна Дульцев Федор Николаевич	RU2274926C1
Способ изготовления элемента памяти	1986	Ефимов Валерий Михайлович Синица Станислав Платонович	SU1397970A1
Способ получения газочувствительного элемента на основе многослойной структуры пористого кремния на изоляторе и SnO	2017	Болотов Валерий Викторович Росликов Владислав Евгеньевич Росликова Екатерина Александровна Ивлев Константин Евгеньевич Князев Егор Владимирович	RU2674406C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РЕШЕТКИ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ НА СТРУКТУРИРОВАННОЙ ПОДЛОЖКЕ	2002	Скворцов А.М. Соколов В.И. Халецкий Р.А. Фролкова Е.Г.	RU2214359C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРА	1991	Белоусов И.В. Деркач В.П. Медведев И.В. Швец И.В.	RU2024107C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КАНАЛЬНОЙ МАТРИЦЫ	2010	Романов Сергей Иванович Вандышева Наталья Владимировна Семенова Ольга Ивановна Косолобов Сергей Сергеевич	RU2428763C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПЛАТИНЫ	1996	Смолин В.К. Кондрашевский В.П.	RU2110112C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКИХ СЛОЕВ ОКСИДА КРЕМНИЯ	1986	Буляк Б.Н. Плотников В.Н. Румак Н.В. Хатько В.В. Шевчук И.Г. Ясников В.Е.	SU1371456A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА СВИНЦА	2012	Непомнящий Сергей Васильевич Погодина Софья Борисовна	RU2493632C1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКОГО ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, слой двуокиси кремния формируют толщиной 20-40 нм, а отжиг проводят в атмосфере аргона с добавлением 0,5-10 об.% кислорода.

SU 1 147 205 A1

Авторы

Румак Н.В.

Хатько В.В.

Плотников В.Н.

Даты

2012-05-27—Публикация

1983-07-11—Подача