Способ выращивания легированных нитевидных нанокристаллов кремния Российский патент 2017 года по МПК C30B29/06 C30B29/62 C30B31/06 B82B3/00 B82Y40/00 

Описание патента на изобретение RU2617166C1

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов, предназначено для выращивания на кремниевых подложках по схеме пар→жидкая капля→кристалл (ПЖК) легированных нитевидных нанокристаллов (ННК) кремния, имеющих повышенный уровень легирования на начальном и конечном участках кристалла (структуры n--n-n-) и позволяющих создавать мезоскопические электрические соединения проводников с линейными вольт-амперными характеристиками.

В настоящее время известен способ выращивания ННК Si, легированных в процессе ПЖК-роста атомами металла-катализатора, находящегося в виде жидкофазной капли на вершине кристалла [Wagner R S, Ellis WC Vapour-Liquid-Solid Mechanism of Single Crystal Growth // Appl. Phys. Lett., 1964. V. 4. N. 5. P. 89-90]. Поскольку катализаторами роста ННК Si являются металлы (Au, Cu, Ni, Pt, Pd и др.), создающие глубокие донорные уровни в энергетическом спектре запрещенной зоны Si, то выращенные данным способом кристаллы обладают низкой электрической проводимостью n-типа, а изготавливаемые к ним выводные электрические контакты металл-кремний обладают высоким переходным сопротивлением и нелинейными вольт-амперными характеристиками, что не позволяет использовать такие ННК для практических применений. Другим недостатком способа является невозможность создания областей ННК с разным уровнем легирования, так как примеси с глубокими энергетическими уровнями обладают высокими коэффициентами диффузии в Si и созданные области легирования легко размываются в течение небольшого времени.

Известен способ выращивания легированных ННК Si с использованием газообразного примесного соединения РН3 (гидрида фосфора) [Wang Y., Lew K. - K., Но Т. - Т. et al. Use of Phosphine as an n-Type Dopant Sourse for Vapor-Liquid-Solid Growth of Silicon Nanowires // Nano Lett, 2005. V. 5. No. 11. PP. 2139-2143], в основе которого лежит процесс введения в ННК легирующей мелкой донорной примеси из газовой фазы во время ПЖК-роста за счет применения отдельного потока с газообразным примесным соединением, который перед зоной роста кристалла смешивается с основным потоком реагирующих газов (SiH4 и H2) и создает постоянное отношение компонентов PH3/SiH4 в газовой фазе. Недостатками данного способа являются необходимость снижения концентрации легирующего компонента в парогазовой смеси до очень малых количеств и применения в этой связи систем дополнительного двух-трехступенчатого разбавления РН3 водородом, необходимость точного измерения сверхмалых количеств газообразных веществ, невозможность обеспечить различные уровни легирования ННК на различных стадиях роста, а также высокая токсичность РН3, разложение его при хранении и повышенные требования к герметичности газовых магистралей и реакционной камеры, что затрудняет управление процессом легирования кристаллов.

Наиболее близким техническим решением является способ получения легированных ННК Si химическим осаждением из паров SiCl4 во время ПЖК-роста с применением жидкостного источника легирующей примеси [Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М.: Наука, 1977, 304 с.]. В основе способа лежит легирование кристаллов фосфором путем введения в определенной пропорции в чистый жидкий SiCl4 галогенида фосфора РСl3, который в рабочем состоянии также является жидкостью. Недостатком данного способа является невозможность обеспечить различный уровень легирования ННК на разных стадиях роста (начальной (стадии образования пьедестала), основной (стадии цилиндрического роста) и конечной (стадии образования зоны рекристаллизации)), поскольку в нем фиксируется заданное отношение концентрации примеси и основы как в жидкой, так и в газовой фазах независимо от расхода газа-носителя через испаритель, что не дает возможности формирования высокоомных и электрически вырожденных областей ННК на основном, начальном и конечном участках кристалла.

Изобретение направлено на управляемое получение легированных ННК кремния, имеющих повышенный уровень легирования донорной примесью на начальном и конечном участках кристалла (структуры n--n-n-).

Это достигается тем, что при осаждении кристаллизуемого вещества из газовой фазы, содержащей прекурсор SiCl4 и легирующее соединение РСl3, поступающие из жидкостного источника, выращивание кристаллов на начальной, основной и конечной стадиях роста ведут последовательно из двух жидкостных источников, причем количественное значение молярного отношения [PCl3]/[SiCl4]=m в первом источнике, используемом на начальной и конечной стадиях роста, выбирают из интервала m≥0,01, количественное значение молярного отношения [PCl3]/[SiCl4] во втором источнике, используемом на основной стадии роста, устанавливают как m=0. В результате центральная часть ННК легируется до n-типа проводимости, а периферийные участки ННК (начальный и конечный) приобретают состояние вырождения и n--тип проводимости. Получается структура с тремя областями проводимости n--n-n-, причем n-область ННК может использоваться как резисторный функциональный элемент, а n--области как площадки для создания омических контактов к данному элементу.

Способ выращивания легированных ННК кремния, имеющих повышенный уровень легирования на начальной и конечной участках кристалла, осуществляется следующим образом. На поверхность ростовой подложки наносят частицы катализатора с последующим помещением ее в ростовую печь, нагревом, осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы, содержащей прекурсор SiCl4 и газофазное легирующее соединение РСl3, поступающие из жидкостного источника. Затем осуществляют выращивание кристаллов на начальной (стадии образования пьедестала), основной (стадии цилиндрического роста) и конечной (стадии образования зоны рекристаллизации) стадиях. Выращивание ведут последовательно из двух жидкостных источников. Количественное значение молярного отношения [PCl3]/[SiCl4]=m в первом источнике, используемом на начальной и конечной стадиях роста, выбирают из интервала m≥0,01, количественное значение молярного отношения [PCl3]/[SiCl4] во втором источнике, используемом на основной стадии роста, устанавливают как m=0.

Легирование ННК в процессе роста из жидкостного источника определяется тем, что позволяет в широких пределах изменять их удельную проводимость. Количественное значение величины m≥0,01 определяется тем, что при данном уровне легирования на начальной и конечной стадиях роста ННК достигается состояние вырождения (n--проводимость) с концентрацией примеси более 1019 см-3. Количественное значение молярного отношения m=0 на основной стадии роста определяется тем, что при подаче чистого SiCl4, ([РCl3]=0) легирование ННК осуществляется за счет растворения металла катализатора роста кристаллов и обеспечивается наиболее высокое электрическое сопротивление основной области материала ННК (10-3 Ом⋅см и более), являющейся рабочей в различных функциональных устройствах на основе ННК. Использование легирующего соединения PCl3 определяется тем, что фосфор, входящий в состав PCl3, имеет малую подвижность в кремнии (коэффициент диффузии не превышает 10-7 см2/с), что позволяет создавать участки ННК с различным уровнем легирования (n--n-n-), и является мелкой донорной примесью в кремнии, обеспечивающей электронный тип (n--тип) проводимости, поскольку тип проводимости ННК, формирующихся в отсутствие легирующего соединения РСl3 на основной стадии роста, также электронный.

Использование предлагаемого способа позволяет снизить переходные электрические сопротивления при создании электрических контактов к ННК до 0,01 величины от сопротивления основной части кристалла и тем самым существенно облегчить решение проблемы создания омических (с линейными вольт-амперными характеристиками) контактов к ННК и создания наноэлектронных устройств на их базе (чувствительных элементов многофункциональных датчиков, термоэлектрических наноустройств, многоканальных полевых транзисторов с оболочковым затвором, оперативных запоминающих устройств компьютеров высокой плотности информации и др.). При этом в процессе выращивания легированием фиксируются размеры основной рабочей области кристалла, что важно для повторяемости характеристик наноустройств при их серийном изготовлении, а контактные выводы ННК по механической прочности приближаются к прочности используемого для вывода металлического проводника.

Примеры осуществления способа

Пример 1

На поверхность исходной пластины кремния КЭФ (111) на электронно-лучевой установке ВАК-501 напылялась тонкая пленка Ni толщиной 2 нм. Подготовленные подложки разрезались и помещались в ростовую печь. В течение 2-10 минут при температуре 900-1100°С в потоке водорода осуществлялось сплавление Ni с Si и формировались нанокапли расплава Ni-Si. Затем в газовую фазу подавали тетрахлорид кремния SiCl4 и треххлористый фосфор PCl3 из первого источника при молярном соотношении [РСl3]/[SiCl4]=0,01 и выращивали легированные фосфором ННК Si. Время выращивания ННК на начальной стадии составляло 2 минуты. Затем прекращали подачу питающего материала из первого источника и осуществляли подачу SiCl4 из второго источника при m=0 и молярном соотношении [SiCl4]/[H2]=0,008 и выращивали ННК Si на основной стадии в течение 10 минут. Затем прекращали подачу питающего материала из второго источника и возобновляли подачу парогазовой смеси из первого источника при молярном соотношении [PCl3]/[SiCl4]=0,01. Время выращивания ННК на конечной стадии составляло 2 минуты. В результате были получены кристаллы с тремя областями легирования (структура n--n-n-), причем n-область соответствует основной стадии роста кристалла и имеет электрическое сопротивление ρ=5,5⋅10-2 Ом⋅м, а n--области - начальной и конечной стадиям роста и частям кристалла, которые имеют сопротивление ρ=6,8⋅10-4 Ом⋅м, что соответствует концентрации фосфора в кремнии ~1017 см-3 и ~1019 см-3 соответственно.

Пример 2

Выращивание ННК проводилось аналогично примеру 1, но в качестве металла-катализатора ПЖК-роста использовалась электролитическая медь. Толщина тонкой пленки меди составляла 2 нм. Выращенные НК имели три области легирования (структура n--n-n-), причем n-область соответствует основной стадии роста кристалла и имеет электрическое сопротивление ρ=1,8⋅10-2 Ом⋅м, а n--области - начальной и конечной стадиям роста и частям кристалла, которые имеют сопротивление ρ=3,2⋅10-4 Ом⋅м.

Пример 3

Выращивание ННК проводилось аналогично примеру 1, но толщина тонкой пленки никеля составляла 20 нм. Выращенные НК имели три области легирования (структура n--n-n-), причем n-область соответствует основной стадии роста кристалла и имеет электрическое сопротивление ρ=3,28⋅10-2 Ом⋅м, а n--области - начальной и конечной стадиям роста и частям кристалла, которые имеют сопротивление ρ=2,81⋅10-4 Ом⋅м.

Пример 4

Выполнение изобретения осуществляли аналогично примеру 1, но в газовую фазу подавали SiCl4 и PCl3 из первого источника при молярном соотношении [PCl3]/[SiCl4]=0,02. Удельное электрическое сопротивление n-области ННК составило ρ=8,3⋅10-3 Ом⋅м, а n--области - ρ=9,1⋅10-5 Ом⋅м.

Пример 5

Выращивание ННК проводилось аналогично примеру 1, но время выращивания на основной стадии роста составляло 20 минут. Полученные результаты соответствовали результатам примера 1.

Похожие патенты RU2617166C1

название год авторы номер документа
Способ выращивания нитевидных нанокристаллов диоксида кремния 2017
  • Небольсин Валерий Александрович
  • Дунаев Александр Игоревич
  • Татаренков Александр Федорович
  • Самофалова Алевтина Сергеевна
RU2681037C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПОСТОЯННОГО ДИАМЕТРА 2009
  • Небольсин Валерий Александрович
  • Дунаев Александр Игоревич
  • Завалишин Максим Алексеевич
  • Сладких Герман Александрович
  • Татаренков Александр Федорович
RU2456230C2
Способ выращивания острийных нитевидных кристаллов кремния 2016
  • Небольсин Валерий Александрович
  • Дунаев Александр Игоревич
  • Татаренков Александр Федорович
  • Самофалова Алевтина Сергеевна
RU2653026C1
Способ получения нитевидных нанокристаллов кремния 2016
  • Небольсин Валерий Александрович
  • Дунаев Александр Игоревич
  • Спиридонов Борис Анатольевич
  • Богданович Екатерина Витальевна
RU2648329C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 2013
  • Небольсин Валерий Александрович
  • Долгачев Александр Александрович
  • Дунаев Александр Игоревич
  • Шмакова Светлана Сергеевна
RU2526066C1
Рост GaN нанотрубок, активированный легирующей примесью Si на подложках Si с тонким буферным слоем AlN 2016
  • Мухин Иван Сергеевич
  • Кудряшов Дмитрий Александрович
  • Можаров Алексей Михайлович
  • Большаков Алексей Дмитриевич
  • Сапунов Георгий Андреевич
  • Федоров Владимир Викторович
RU2711824C1
БУЛЯ НИТРИДА ЭЛЕМЕНТА III-V ГРУПП ДЛЯ ПОДЛОЖЕК И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ 2001
  • Водоу Роберт П.
  • Флинн Джеффри С.
  • Брандз Джордж Р.
  • Редуинг Джоан М.
  • Тишлер Майкл А.
RU2272090C2
ЛАВИННЫЙ ФОТОДИОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2021
  • Чистохин Игорь Борисович
  • Путято Михаил Альбертович
  • Преображенский Валерий Владимирович
  • Рябцев Игорь Ильич
  • Петрушков Михаил Олегович
  • Валишева Наталья Александровна
  • Левцова Татьяна Александровна
  • Емельянов Евгений Александрович
RU2769749C1
Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния 2020
  • Свайкат Нада
RU2750732C1
НАНОРАЗМЕРНАЯ СТРУКТУРА С КВАЗИОДНОМЕРНЫМИ ПРОВОДЯЩИМИ НИТЯМИ ОЛОВА В РЕШЕТКЕ GaAs 2012
  • Сеничкин Алексей Петрович
  • Бугаев Александр Сергеевич
  • Ячменев Александр Эдуардович
  • Клочков Алексей Николаевич
RU2520538C1

Реферат патента 2017 года Способ выращивания легированных нитевидных нанокристаллов кремния

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов путем выращивания легированных нитевидных нанокристаллов кремния на кремниевых подложках по схеме пар→жидкая капля→кристалл (ПЖК). Способ включает подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом, осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы, содержащей прекурсор SiCl4 и легирующее соединение РСl3, поступающие из жидкостного источника, и выращиванием кристаллов на начальной, основной и конечной стадиях роста, при этом выращивание кристаллов ведут последовательно из двух жидкостных источников, причем количественное значение молярного отношения [PCl3]/[SiCl4], равное m в первом источнике, используемом на начальной и конечной стадиях роста, выбирают из интервала m, большего или равного 0,01, количественное значение молярного отношения [PCl3]/[SiCl4] во втором источнике, используемом на основной стадии роста, устанавливают как m, равное 0. Изобретение обеспечивает возможность получения легированных нитевидных нанокристаллов Si, имеющих повышенный уровень легирования на начальном и конечном участках кристалла (структуры n--n-n-) и позволяющих создавать мезоскопические электрические соединения проводников с линейными вольт-амперными характеристиками. 5 пр.

Формула изобретения RU 2 617 166 C1

Способ выращивания легированных нитевидных нанокристаллов кремния, включающий подготовку полупроводниковой пластины путем нанесения на ее поверхность частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом, осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы, содержащей прекурсор SiCl4 и легирующее соединение РСl3, поступающих из жидкостного источника, и выращиванием кристаллов на начальной, основной и конечной стадиях роста, отличающийся тем, что выращивание кристаллов ведут последовательно из двух жидкостных источников, при этом в первом источнике на начальной стадии роста количественное значение молярного отношения [PCl3]/[SiCl4]=m выбирают из интервала m≥0,01, а во втором источнике на основной стадии роста количественное значение молярного отношения [PCl3]/[SiCl4]=m устанавливают как m=0.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2017 года RU2617166C1

YANFENG WANG et al, Use of Phosphine as an n-Type Dopant Source for Vapor-Liquid-Growth of Silicon Nanowire, "Nano Lett., 2005, 5(11), p.p.2139-2143
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 2013
  • Небольсин Валерий Александрович
  • Долгачев Александр Александрович
  • Дунаев Александр Игоревич
  • Шмакова Светлана Сергеевна
RU2526066C1
EP 1966847 B1, 04.03.2015
BILLEL SALHI et al, Controlled growth of silicon nanowires on silicon surface, "Journal of Electroceramics", 2006, vol.16, no.1, p.p.15-21
SCHMIDT V
et al, Growth, Thermodynamics, and Electrical Properties of Silicon Nanowires, "Chem
Rev.", 2010, 110, 361-388.

RU 2 617 166 C1

Авторы

Небольсин Валерий Александрович

Дунаев Александр Игоревич

Воробьев Александр Юрьевич

Богданович Екатерина Витальевна

Даты

2017-04-21Публикация

2015-11-16Подача