УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАПЫЛЕНИЯ ПРОСВЕТЛЯЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ Российский патент 2018 года по МПК C23C14/04 B82B3/00 

Описание патента на изобретение RU2653897C2

Изобретение относится к электронной технике, в частности к инструментам для изготовления просветляющего покрытия фотопреобразователя.

Известна маска для напыления пленочных элементов на подложку (патент РФ №2003735, опубл. 30.11.1993 г.), имеющая отверстия заданного размера, выполненные в соответствии с конфигурацией пленочных элементов, при этом на расстоянии 5÷100 мкм от плоскости пластины, прилегающей к поверхности подложки, отверстия имеют размер, превышающий заданный размер отверстий на 50÷2000 мкм.

Недостаток маски данной конструкции применительно к напылению просветляющего покрытия фотопреобразователя с трехкаскадной структурой Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, заключается в сложности обеспечения равномерного прижатия диэлектрической маски к контактным площадкам, находящимся на краю фотопреобразователя из-за перекосов маски.

Признак данной конструкции, общий с предлагаемым устройством для напыления просветляющего покрытия, - применение маски с отверстиями заданного размера определенной конфигурации.

Известно устройство для формирования топологического рисунка в тонкой пленке (патент РФ №2063473, опубл. 10.07.1996 г.), наносимой в вакууме на подложку, содержащее металлическую маску из ферромагнитного материала, размещенную на лицевой стороне подложки, и магнит, расположенный с противоположной по отношению к маске стороны подложки, удерживающий и прижимающий маску к подложке. Для защиты тыльной стороны подложки от механических повреждений между плоскостью магнита и подложкой введена прокладка из диамагнитного материала, например дюраль-алюминия, толщиной 1,5 мм.

Недостатки данного устройства, применительно к напылению просветляющего покрытия фотопреобразователя, заключаются в том, что совмещение маски с контактами фотопреобразователя выполняется вручную, что непроизводительно; в процессе напыления из-за вибраций возможно смещение маски и «подпыл» контактов, что недопустимо; ферромагнитные маски, изготавливаемые, например, из листа сплава НК-29 (ковар) толщиной 0,15 мм, деформируются в процессе использования и подлежат периодической замене, что неэффективно.

Признак, общий с предлагаемым устройством для напыления просветляющего покрытия, - применение маски, расположенной на лицевой стороне подложки.

Известно устройство для напыления в вакууме тонких слоев многослойных изделий (патент РФ №2432417, опубл. 27.10.2011 г.), принятое за прототип, в котором используется маска из ферромагнитного материала, расположенная с лицевой стороны подложки, и магнит с плоской верхней поверхностью, расположенный с противоположной к маске стороны подложки. Кроме того, вышеуказанное устройство содержит корпус с плоской верхней поверхностью и плоским гнездом для подложки, глубина которого выполнена такой, чтобы нижняя поверхность маски, верхняя поверхность подложки и верхняя плоская поверхность корпуса были расположены в одной плоскости, а дно плоского гнезда образовано плоской верхней поверхностью встроенного в корпус вышеуказанного магнита; при этом на боковых поверхностях плоского гнезда по периметру выполнены упоры и расположенные с противоположных сторон относительно упоров прижимные винты, фиксирующие положение подложки в гнезде; корпус на плоской верхней поверхности имеет выступы, фиксирующие положение маски, снабженной посадочными отверстиями под вышеупомянутые выступы.

Недостаток данного устройства для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя заключается в необходимости использования постоянных магнитов. Силовое поле сильных магнитов оказывает возмущающее влияние на заряженные частицы при плазменном ассистировании напыления, в результате просветляющее покрытие TiO2/Al2O3 неоднородно и имеет недостаточную адгезию. Слабые магниты не обеспечивают надежного прижатия маски к поверхности контактных площадок фотопреобразователя, что в условиях вибраций при вращении карусели с пластинами в установке приводит к смещению маски и недопустимому «подпылу» контактов.

При расположении контактных площадок фотопреобразователя по периферии подложки необходимо изготавливать несколько накладных масок различной конфигурации с посадочными отверстиями. Фотопреобразователь должен находиться в углублении корпуса, чтобы исключить перекос маски, в то же время толщина подложки фотопреобразователя может варьироваться от 160 мкм до 80 мкм, в результате возникает недопустимый зазор между контактными площадками и маской.

Признаки прототипа, общие с предлагаемым устройством, следующие: использование маски, расположенной с лицевой стороны подложки, и корпуса с посадочными гнездами, в которых фиксируется положение положки.

Технический результат, достигаемый в предложенном устройстве, заключается в увеличении выхода годных фотопреобразователей.

Достигается это тем, что в устройстве, содержащем маску, расположенную с лицевой стороны подложки, и корпус с посадочными гнездами, в которых фиксируется положение подложки, маска и корпус выполнены в виде цельной металлической рамки, снабженной отверстиями, имеющими конфигурацию фотопреобразователя, под посадочные гнезда, причем размеры отверстий превышают размеры фотопреобразователя на величину от 0,1 до 0,2 мм, кроме того, контактные площадки фотопреобразователя расположены на плоских выступах маски, имеющих толщину от 0,1 до 0,5 мм и расположенных по периметру отверстий под посадочные гнезда, при этом напыляемые поверхности маски и корпуса расположены в одной плоскости, кроме того, с тыльной стороны фотопреобразователя в посадочных гнездах расположены также металлизированные кремниевые подложки, с помощью которых контактные площадки прижаты к маске посредством пластинчатых пружин, закрепленных на рамке, а поверхность плоских выступов маски со стороны контактных площадок покрыта слоем термически и химически стойкого полимерного материала с напыленным на него и на поверхность цельной металлической рамки слоем металлизации.

Отличительные признаки предложенного устройства для напыления просветляющего покрытия, обеспечивающие его соответствие критерию «новизна», следующие: маска и корпус выполнены в виде цельной металлической рамки, снабженной отверстиями, имеющими конфигурацию фотопреобразователя, под посадочные гнезда, причем размеры отверстий превышают размеры фотопреобразователя на величину от 0,1 до 0,2 мм, кроме того, контактные площадки фотопреобразователя расположены на плоских выступах маски, имеющих толщину от 0,1 до 0,5 мм и расположенных по периметру отверстий под посадочные гнезда, при этом напыляемые поверхности маски и корпуса расположены в одной плоскости, кроме того, с тыльной стороны фотопреобразователя в посадочных гнездах расположены также металлизированные кремниевые подложки, с помощью которых контактные площадки прижаты к маске посредством пластинчатых пружин, закрепленных на рамке, а поверхность плоских выступов маски со стороны контактных площадок покрыта слоем термически и химически стойкого полимерного материала с напыленным на него и на поверхность цельной металлической рамки слоем металлизации.

Для обоснования соответствия предлагаемого устройства для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя критерию «изобретательский уровень» был проведен анализ известных решений по литературным источникам, в результате которого не обнаружено технических решений, содержащих совокупность известных и отличительных признаков предлагаемого устройства, дающих вышеуказанный технический результат. Поэтому, по мнению автора, предлагаемое устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя соответствует критерию «изобретательский уровень». Предложенное устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя обеспечивает однородное осаждение диэлектрических слоев в условиях плазменного ассистирования с нагревом без «подпыла» контактных площадок для подложек варьируемой толщины.

Фиксация положения подложки и контактных площадок фотопреобразователя относительно маски осуществляется за счет заданной величины превышения от 0,1 до 0,2 мм размеров отверстий, имеющих конфигурацию фотопреобразователя, под посадочные гнезда, над размерами фотопреобразователя, при этом дополнительного совмещения не требуется. Плоские выступы маски толщиной от 0,1 до 0,5 мм, расположенные по периметру отверстий под посадочные гнезда, закрывают область контактных площадок с минимальным затенением рабочей поверхности фотопреобразователя.

Равномерность прижатия маски к контактным площадкам гибких фотопреобразователей обеспечивается с помощью плоских кремниевых подложек, расположенных в посадочных гнездах с тыльной стороны фотопреобразователей, посредством пластинчатых пружин, закрепленных на рамке. Поверхность плоских выступов маски со стороны контактных площадок покрыта эластичным слоем термически и химически стойкого полимерного материала, предотвращающего механическое повреждение слоев металлизации Ag/Au. Термическая стойкость необходима для сохранения полимерным покрытием гладкой поверхности и эластичности в условиях нагрева и прижатия к контактным площадкам фотопреобразователя. Химическая стойкость полимерного покрытия необходима для использования при напылении кислородной плазмы и периодической очистки устройства стравливанием напыленных диэлектрических слоев.

Устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя иллюстрировано на чертеже (фиг. 1) и на фотографиях (фиг. 2-5).

Устройство для напыления просветляющего покрытия на лицевую сторону подложки фотопреобразователя с эпитаксиальными слоями 1 (фиг. 1) состоит из рамки 2, снабженной отверстиями 3 под посадочные гнезда 4, в которых расположена подложка фотопреобразователя 5, имеющая на лицевой стороне с эпитаксиальными слоями 1 контактные площадки 6, которые закрыты маской 7. Маска 7 снабжена плоскими выступами 8, расположенными по периметру отверстий 3, при этом напыляемые поверхности маски 7 и корпуса 9 расположены в одной плоскости. Подложка фотопреобразователя 5 имеет металлизированную тыльную сторону 10, на которой расположена металлизированная кремниевая подложка 11, которая, в свою очередь, прижата к тыльной стороне 10 подложки фотопреобразователя 5 пластинчатыми пружинами 12, закрепленными на рамке 2 винтами 13. Контактные площадки фотопреобразователя 6 расположены на слоях полимерного материала 14 и на напыленной на него металлизации 15. Кремниевые подложки 11 покрыты со всех сторон слоем металла 16.

На фиг. 2 изображен вид контактных площадок фотопреобразователя с лицевой стороны подложки; на фиг. 3 изображен вид рамки с отверстиями под посадочные гнезда и пластинчатыми пружинами; на фиг. 4 изображен вид рамки с кремниевыми подложками в посадочных гнездах; на фиг. 5 изображен вид устройства после напыления просветляющего покрытия на фотопреобразователи.

Пример конкретного использования предлагаемого устройства

Предлагаемое устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя используется в технологии изготовления трехкаскадных фотопреобразователей с эпитаксиальной структурой Ga(In)As/GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке диаметром ∅100 мм. Предварительно напыляют лицевые Cr/Ag/Au-Ge/Ag/Au контакты фотопреобразователей; далее выполняют меза-изоляцию химическим травлением; утоняют германиевую подложку химико-динамическим травлением до толщины 80÷90 мкм; затем напыляют тыльный Cr/Au/Ag/Au контакт фотопреобразователей; отжигают контакты; выравнивают пластины посредством охлаждения парами азота; разделяют пластины на чипы дисковой резкой; вскрывают оптическое окно фотопреобразователей стравливанием n+-Ga(In)As контактного слоя. Далее напыляют просветляющее покрытие TiO2/Al2O3.

Предлагаемое устройство для напыления просветляющего покрытия на лицевую сторону фотопреобразователя с эпитаксиальными слоями 1 выполнено в виде цельной металлической рамки 2 толщиной 2 мм из нержавеющей стали 12Х12Н10Т с отверстиями 3, имеющими конфигурацию фотопреобразователей, под посадочные гнезда 4.

Размеры посадочных отверстий, составляющие 40,2×80,2 мм, превышают размеры подложки фотопреобразователя 5 на заданную величину, в данном примере 0,2 мм - допустимой погрешности позиционирования подложки 5 и контактных площадок 6 фотопреобразователя относительно маски 7. Расширение посадочных отверстий 3 менее чем на 0,1 мм нежелательно по причине возможного заклинивания подложки 5 фотопреобразователя в посадочном гнезде 4 из-за погрешности вырезания посадочных отверстий 3 на электроэрозионном станке. Расширение посадочных отверстий 3 более чем на 0,2 мм также нецелесообразно из-за необходимости увеличивать размеры маски 7 и соответственно ей область затенения вблизи контактной площадки 6 фотопреобразователя.

Фотопреобразователь укладывают в посадочные гнезда 4 устройства лицевой стороной 1 подложки 5 вниз, контактными площадками 6 на маску 7, снабженную плоскими выступами 8 толщиной 0,3 мм, расположенными по периметру посадочных отверстий 3 рамки 2. Контактные площадки 6 с размерами 1,05×7 мм и 1,9×1,9 мм (в количестве 4 штук и 2 штук соответственно) находятся на краю противолежащих сторон подложки 5, что обеспечивает плоскопараллельное расположение подложки 5 относительно маски 7 и минимальное затенение рабочей поверхности фотопреобразователя.

Напыляемые поверхности маски 7 и корпуса 9 рамки 2 расположены в одной плоскости. С тыльной металлизированной стороны 10 подложки 5 фотопреобразователей в посадочных гнездах 4 располагаются кремниевые подложки 11 толщиной ~500 мкм, покрытые со всех сторон слоем металла 16, с помощью которых контактные площадки 6 прижаты к плоским выступам 8 маски 7 посредством пластинчатых пружин 12, закрепленных винтами 13 на рамке 2. Для изготовления пружин 12 используют ленту из безоловянной бериллиевой бронзы ДРРНТ 0,30×80НД. Плоские металлизированные кремниевые подложки 11 необходимы для равномерного прижатия контактных площадок 6 гибкого фотопреобразователя к маске 7, кроме того, защищается тыльная сторона 10 фотопреобразователя от «подпыла» рассеянными потоками испаряемых материалов. Кремниевые подложки 11 обладают необходимой прочностью и сохраняют плоскостность при нагреве. Применение выступов 8 маски 7 толщиной менее 0,1 мм нежелательно из-за снижения механической прочности и возможной деформации под действием прилагаемой нагрузки. При толщинах выступов 8 маски 7 более 0,5 мм и напылении просветляющего покрытия TiO2/Al2O3 электронно-лучевым способом (расстояние до испарителя ~70 см) ширина полосы низкоэффективного просветления (полутени) составляет более 30 мкм, что нецелесообразно. Поверхность плоских выступов 8 маски 7 со стороны контактных площадок 6 фотопреобразователя, из-за дефектов фрезерной обработки, покрывают слоем (толщиной ~40 мкм) эластичного полимерного материала 14, например, Insulating Таре (Kapton, Evatec) для предотвращения образования вмятин и царапин, ухудшающих качество сварки слоев Ag/Au контактной металлизации площадок 6 с внешними выводами. Термически и химически стойкие свойства используемого полимерного материала 14 позволяют выполнять процесс напыления просветляющего покрытия при температуре 140°С с плазменным ассистированием.

Слой полимерного материала 14, а также поверхность цельной металлической рамки 2 со стороны посадочных гнезд 4 запыляют слоем металлизации 15, который в сочетании с металлизированной со всех сторон кремниевой подложкой 11 и пластинчатыми пружинами 12 образует цепь короткого замыкания лицевого 6 и тыльного 10 контактов, что необходимо для защиты фотопреобразователя от токов разряда через плазму в процессе электронно-лучевого напыления материалов просветляющего покрытия.

В качестве слоев металлизации 15 и 16 используют Cr/Ag/Au толщиной ~5 мкм. Снятие электрического заряда с фотопреобразователя осуществляется через металлическую рамку 2. Периодически устройство очищают от напыленных диэлектрических слоев травлением в водном растворе плавиковой кислоты HF÷H2O=1÷4.

При работе устройства для напыления просветляющего покрытия напыление просветляющий слоев TiO2/Al2O3 выполняют с использованием кислородной плазмы, что необходимо для улучшения оптических свойств покрытия.

Фиксация подложек 5 относительно маски 7 без дополнительного совмещения в посадочных гнездах 4 с заданной величиной расширения, равномерный прижим контактных площадок 6 к маске 7 за счет плоскостности жестких кремниевых подложек 11, отсутствие механических повреждений контактной металлизации 6 за счет слоя эластичного полимерного покрытия 14 на поверхности маски 7, отсутствие возмущающего поля постоянных магнитов при плазменном ассистировании напыления обеспечивают получение однородных слоев просветляющего покрытия с хорошей адгезией и отсутствие «подпылов» контактных площадок 6, в результате чего увеличен выход годных фотопреобразователей на ~1%.

В сравнении с методом «взрыва» просветляющего покрытия по фоторезистивной маске предлагаемое устройство снижает трудоемкость операции и применимо для изготовления фотопреобразователей на германиевой подложке толщиной менее 80 мкм.

Похожие патенты RU2653897C2

название год авторы номер документа
Способ изготовления фотопреобразователя на утоняемой германиевой подложке с выводом тыльного контакта на лицевой стороне полупроводниковой структуры 2019
  • Самсоненко Борис Николаевич
  • Ханов Сергей Георгиевич
RU2703820C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ 2016
  • Самсоненко Борис Николаевич
RU2645438C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ НА УТОНЯЕМОЙ ПОДЛОЖКЕ 2017
  • Самсоненко Борис Николаевич
RU2685015C2
Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом на германиевой подложке 2018
  • Самсоненко Борис Николаевич
  • Ханов Сергей Георгиевич
RU2672760C1
Способ изготовления фотопреобразователя на утоняемой германиевой подложке и устройство для его осуществления 2019
  • Самсоненко Борис Николаевич
RU2703840C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ 2012
  • Самсоненко Борис Николаевич
  • Битков Владимир Александрович
  • Василенко Анатолий Михайлович
  • Королева Наталья Александровна
RU2515420C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ С НАНОСТРУКТУРНЫМ ПРОСВЕТЛЯЮЩИМ ПОКРЫТИЕМ 2017
  • Самсоненко Борис Николаевич
  • Королева Наталья Александровна
  • Рыбин Владимир Викторович
RU2650785C1
Устройство для контактной фотолитографии на полупроводниковой пластине с базовым срезом 2018
  • Самсоненко Борис Николаевич
  • Разувайло Сергей Николаевич
RU2674405C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ГЕРМАНИЕВОЙ ПОДЛОЖКОЙ 2019
  • Самсоненко Борис Николаевич
RU2755415C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ 2005
  • Самсоненко Борис Николаевич
  • Пелипенко Борис Федорович
  • Разувайло Сергей Николаевич
RU2292610C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 653 897 C2

Реферат патента 2018 года УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАПЫЛЕНИЯ ПРОСВЕТЛЯЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

Изобретение относится к устройству для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя и может найти применение в электронной технике. Маска в устройстве расположена с лицевой стороны подложки. В корпусе выполнены посадочные гнезда с возможностью фиксирования положения подложки. Маска и корпус выполнены в виде цельной металлической рамки с отверстиями под посадочные гнезда, имеющими конфигурацию фотопреобразователя. Размеры отверстий превышают размеры фотопреобразователя на величину от 0,1 до 0,2 мм. Контактные площадки фотопреобразователя расположены на плоских выступах маски, имеющих толщину от 0,1 до 0,5 мм и расположенных по периметру отверстий под посадочные гнезда. Напыляемые поверхности маски и корпуса расположены в одной плоскости. С тыльной стороны фотопреобразователя в посадочных гнездах располагают металлизированные кремниевые подложки, с помощью которых контактные площадки прижимают к маске посредством пластинчатых пружин, закрепленных на рамке. Поверхность плоских выступов покрыта слоем термически и химически стойкого полимерного материала с напыленным на него и на поверхность цельной металлической рамки слоем металлизации. Технический результат заключается в увеличении выхода годных фотопреобразователей. 5 ил., 1 пр.

Формула изобретения RU 2 653 897 C2

Устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя, включающее маску и корпус с посадочными гнездами, выполненными с возможностью фиксирования положения подложки фотопреобразователя, отличающееся тем, что маска и упомянутый корпус выполнены в виде цельной металлической рамки с закрепленными на ней пластинчатыми пружинами, выполненными с возможностью прижатия к маске контактных площадок фотопреобразователя посредством металлизированных кремниевых подложек, при этом рамка выполнена с отверстиями под посадочные гнезда, имеющими конфигурацию фотопреобразователя, а маска выполнена с плоскими выступами толщиной от 0,1 до 0,5 мм, расположенными по периметру упомянутых отверстий под посадочные гнезда, и предназначенными для расположения на них контактных площадок фотопреобразователя, причем поверхность плоских выступов маски со стороны контактных площадок покрыта слоем термически и химически стойкого полимерного материала с напыленным на него и на поверхность цельной металлической рамки со стороны посадочных гнезд слоем металлизации.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2018 года RU2653897C2

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМЕ ТОНКИХ СЛОЕВ МНОГОСЛОЙНЫХ ИЗДЕЛИЙ 2010
  • Усов Николай Николаевич
  • Четверов Юрий Степанович
  • Стахарный Сергей Алексеевич
  • Кудрявцев Павел Николаевич
  • Нестерова Елена Васильевна
  • Звонова Марина Михайловна
  • Герасименко Марина Александровна
  • Столярова Светлана Павловна
RU2432417C1
УСТАНОВКА ДЛЯ НАПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМЕ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ТОНКОПЛЁНОЧНОГО РИСУНКА ГИБРИДНОЙ МИКРОСХЕМЫ НА ПОДЛОЖКУ 2014
  • Кудрявцев Рэм Васильевич
  • Сидоров Денис Юрьевич
  • Юркова Светлана Викторовна
  • Алямов Амир Энверович
  • Эдвабник Валерий Григорьевич
  • Цай Владимир Борисович
  • Григорьева Любовь Васильевна
RU2590747C2
Железнодорожная вагонетка 1930
  • Грачев П.К.
SU26322A1
УСТРОЙСТВО для ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ 0
SU187854A1
АВТОМАТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАПЫЛЕНИЯ ПЛЕНОК НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОДЛОЖКИ 0
SU191661A1
JP 62146254 A, 30.06.1987
JP 2003293131 A, 15.10.2003
US 5620572 A1, 15.04.1997.

RU 2 653 897 C2

Авторы

Самсоненко Борис Николаевич

Даты

2018-05-15Публикация

2016-10-18Подача