Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами MnGeO в матрице GeO Российский патент 2018 года по МПК C23C14/18 C23C14/34 C23C14/58 H01L21/203 

Описание патента на изобретение RU2655507C1

Изобретение относится к области технологических процессов, связанных с получением ферромагнитных фаз в диэлектрической матрице при низких температурах. Получаемая Mn5Ge3Ox фаза может быть использована в качестве элементов спинтроники.

Известен способ получения материала, содержащего оксид металла и ферромагнитный металл, который может применяться в спинтронике. В качестве оксида металла используют монооксид европия, а в качестве ферромагнитного металла - α-железо, при следующем соотношении компонентов, вес %: монооксид европия EuO - 75-85; железо α-Fe - 25-15 [патент RU 2291134 С2, МПК С04В 35/50, С30В 29/22, опубл. 10.01.2007].

Недостатками данного изобретения являются низкая температура Кюри (Тс) равная 300 K, невысокая намагниченность (Ms) порядка 280 emu/cm3, высокие поля насыщения (Н) 10 кЭ. Самый главный недостаток - высокая стоимость европия и его химическая активность.

Известен способ получения полупроводниковой, ферромагнитной гетероструктуры, функционирующей при комнатной и выше температурах, состоящей из ферромагнитной пленки Mn-Si, осаждаемой методом магнетронного распыления монокристаллического кремния на подложку [патент CN 1885493 А, МПК H01L 21/203; С23С 14/35, опубл. 27.12.2006].

Недостатком данной технологии является неоднородность интерфейса Mn/Si, а также низкая намагниченность насыщения, температура Кюри чуть выше комнатной. Кроме того, из-за химической активности кремния требуется сверхвысокий вакуум, предварительная очистка поверхности, и нет возможности изготовления таких структур на гибких подложках.

Наиболее близким аналогом, принятым за прототип, является ферромагнитная фаза Mn5Ge3, обладающая намагниченностью выше, чем магнитные фазы в системе Mn/Si [В.Г. Мягков, В.С. Жигалов, А.А. Мацынин и др. Фазовые превращения в системе Mn-Ge и в разбавленных полупроводниках GexMn1-x. - Письма в ЖЭТФ, 2012, том 96, вып. 1, с. 42-45]. Известно, что в данной системе можно получить фазу Новотного, которая обладает еще более высокой намагниченностью насыщения и температурой Кюри по сравнению с Mn5Ge3. Эту фазу можно получить легированием образца углеродом с последующим отжигом при температуре около 500°C, получая соединение Mn5Ge3Cx.

Задачей, на решение которой направлено изобретение, является разработка способа получения Mn5Ge3Ox-GeO2 диэлектрических пленок, обладающих ферромагнитными свойствами (высокой намагниченностью насыщения) при температурах выше комнатной.

Техническим результатом данного изобретения является способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO2, в котором уменьшается количество технологических циклов и требования к вакууму, снижается температура образования Mn5Ge3Ox (фазы Новотного) до 300°C, достигаются высокие магнитные характеристики: Ms=600 emu/cm3, Тс=420 K.

Технический результат достигается тем, что способ получения на подложке диэлектрической пленки включает подготовку подложки, нанесение на нее слоя германийсодержащего вещества, нанесение слоя марганца и отжиг полученного двухслойного образца, новым является то, что в качестве германийсодержащего вещества на подложку термически наносят слой моноокиси германия, а перед нанесением слоя марганца осуществляют охлаждение подложки с нанесенным слоем моноокиси германия до комнатной температуры, при этом отжиг полученного образца выполняют при температуре 300°C.

Сопоставительный анализ с прототипом позволяет сделать вывод, что заявляемое изобретение отличается от известного тем, что в качестве диэлектрика на подложку наносят моноокись германия, после охлаждения подложки до комнатной температуры наносят слой марганца и отжигают образец при температуре 300°C.

Признаки, отличающие заявляемое решение от прототипа, обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию «новизна».

Признаки, отличающие заявляемое решение от прототипа, не выявлены при изучении других известных технических решений в данной области техники и, следовательно, обеспечивают ему соответствие критерию «изобретательский уровень».

Изобретение поясняется чертежом, на котором представлена петля гистерезиса образца GeO/Mn после вакуумного отжига при 300°C.

Пример осуществления

В пленочном состоянии магнитный нанокомпозит Mn5Ge3Ox-GeO2 получают в следующей технологической последовательности:

1. Подготовка подложки: стеклянную подложку или другой полимерный материал очищаем с помощью водных растворов и перекиси водорода, высушиваем в парах изопропилового спирта.

2. При высоком вакууме нагреваем подложки до температуры 250°C для обезгаживания и лучшей адгезии пленки с подложкой.

3. Осаждаем моноокись германия на подложку с помощью термического метода напыления. Расстояние между испарителем и подложкой составило 30 см, вакуум 10-6 Torr, толщина напыляемого слоя 150 нм, она контролировалась с помощью кварцемера.

4. После остывания первого слоя моноокиси германия до комнатной температуры, чтобы избежать вторичных реакций, осаждаем слой марганца при комнатной температуре толщиной 15 нм, при тех же условиях, что и моноокись германия.

5. Далее полученные двухслойные образцы GeO/Mn подвергались вакуумному отжигу при температуре 300°C и длительностью 60 минут. Этого времени достаточно, чтобы полностью прошли последовательные твердофазные реакции (1) и (2):

Намагниченность насыщения Ms измерялась на вибрационном магнитометре и на крутильном магнетометре, температура Кюри Тс измерялась на SQUID-магнетометре MPMS-XL фирмы Quantum Design в магнитном поле до 5 кЭ. Идентификация образующихся фаз была проведена на дифрактометре ДРОН-4-07.

Полученные образцы являются диэлектриками и обладают следующими магнитными характеристиками: Ms=600 emu/cm3, Тс=420 K.

Благодаря невысокой температуре образования нанокомпозитных пленок Mn5Ge3Ox-GeO2 данная технология может быть использована для нанесения их на различные подложки (включая гибкие), которые выдерживают температуру 300°C.

Получаемые нанокомпозитные Mn5Ge3Ox-GeO2 пленки, содержащие ферромагнитные Mn5Ge3Ox нанокластеры, вложенные в непроводящую GeO2 матрицу, могут быть использованы в современных элементах спинтроники и микроэлектроники. Это связанно с тем, что представленные материалы обладают одновременно полупроводниковыми (диэлектрическими) и магнитными свойствами. Данные материалы используются для разработки прототипов компьютерной памяти, процессоров и других элементов, построенных на совершенно новых принципах, отличных от принципов построения современной электроники, где единицей информации является не электрический заряд, а электрон (электроны) со строго определенным спином.

Похожие патенты RU2655507C1

название год авторы номер документа
Способ получения композиционного высокоанизотропного материала CoPt-AlO с вращательной анизотропией 2019
  • Павлова Александра Николаевна
  • Жигалов Виктор Степанович
  • Мягков Виктор Григорьевич
  • Быкова Людмила Евгеньевна
  • Мацынин Алексей Александрович
RU2711700C1
Способ получения суперпарамагнитных наночастиц на основе силицида железа FeSi с модифицированной поверхностью 2019
  • Лященко Сергей Александрович
  • Яковлев Иван Александрович
  • Тарасов Иван Анатольевич
RU2713598C1
МАГНИТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ 2011
  • Саныгин Владимир Петрович
  • Пашкова Ольга Николаевна
  • Филатов Андрей Викторович
  • Изотов Александр Дмитриевич
  • Новоторцев Владимир Михайлович
RU2465378C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА 2007
  • Хайбуллин Рустам Ильдусович
  • Тагиров Ленар Рафгатович
  • Базаров Валерий Вячеславович
  • Ибрагимов Шамиль Зарифович
  • Файзрахманов Ильдар Абулкабирович
RU2361320C1
Способ получения тонких магнитных наногранулированных пленок 2017
  • Волочаев Михаил Николаевич
  • Мягков Виктор Григорьевич
  • Жигалов Виктор Степанович
  • Быкова Людмила Евгеньевна
  • Тамбасов Игорь Анатольевич
  • Мацынин Алексей Александрович
  • Шестаков Николай Петрович
RU2661160C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФЕРРОМАГНИТНОГО КРЕМНИЯ ДЛЯ ИЗДЕЛИЙ СПИНТРОНИКИ 2009
  • Аронзон Борис Аронович
  • Лазарев Сергей Дмитриевич
  • Лесников Валерий Павлович
  • Николаев Сергей Николаевич
  • Подольский Виталий Владимирович
  • Рыльков Владимир Васильевич
RU2386186C1
Сложный оксид кадмия и железа и способ его получения 2015
  • Красильников Владимир Николаевич
  • Гырдасова Ольга Ивановна
  • Дьячкова Татьяна Витальевна
  • Тютюнник Александр Петрович
  • Марченков Вячеслав Викторович
  • Перевозчикова Юлия Александровна
RU2626209C2
Способ получения гибридных нанокристаллов AuFe/Fe и интерметаллических нанокристаллов AuFe с контролируемым латеральным размером 2020
  • Смолярова Татьяна Евгеньевна
  • Тарасов Иван Анатольевич
  • Яковлев Иван Александрович
  • Немцев Иван Васильевич
  • Варнаков Сергей Николаевич
  • Овчинников Сергей Геннадьевич
RU2747433C1
Способ получения оксиборатов CuMn GaBO 2017
  • Мошкина Евгения Михайловна
  • Бовина Ася Федоровна
  • Еремин Евгений Владимирович
  • Безматерных Леонард Николаевич
RU2646429C1
ФЕРРОМАГНИТНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА 2006
  • Новоторцев Владимир Михайлович
  • Маренкин Сергей Федорович
  • Королева Людмила Ивановна
  • Федорченко Ирина Валентиновна
  • Аминов Тельман Газизович
  • Кузнецов Николай Тимофеевич
RU2305723C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 655 507 C1

Реферат патента 2018 года Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами MnGeO в матрице GeO

Изобретение относится к способу получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO при низких температурах. Получаемая Mn5Ge3Ox фаза может быть использована в качестве элементов спинтроники. Способ включает подготовку подложки, нанесение на нее слоя германийсодержащего вещества и слоя марганца и последующий отжиг полученного двухслойного образца. В качестве германийсодержащего вещества на подложку термически наносят слой моноокиси германия. Перед нанесением слоя марганца осуществляют охлаждение подложки с нанесенным слоем моноокиси германия до комнатной температуры. Отжиг полученного образца выполняют при температуре 300°C. Техническим результатом данного изобретения является уменьшение количества технологических циклов и требований к вакууму за счет снижения температуры образования Mn5Ge3Ox (фазы Новотного) до 300°C, при этом достигаются высокие магнитные характеристики: Ms=600 emu/cm3, Тс=420 K, что приводит к увеличению функциональных возможностей Mn5Ge3Ox-GeO2 пленочных образцов. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 655 507 C1

Способ получения на подложке пленок с ферромагнитными кластерами Mn5Ge3Ox в матрице GeO2, включающий подготовку подложки, нанесение на нее слоя германийсодержащего вещества и слоя марганца и последующий отжиг полученного двухслойного образца, отличающийся тем, что в качестве германийсодержащего вещества на подложку термически наносят слой моноокиси германия, а перед нанесением слоя марганца осуществляют охлаждение подложки с нанесенным слоем моноокиси германия до комнатной температуры, при этом отжиг полученного образца выполняют при температуре 300°C.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2018 года RU2655507C1

CN 1885493 A, 27.12.2006
Способ определения коэффициентов отражения материалов 1979
  • Герасимова Н.Г.
  • Горбачева Н.А.
  • Сагитов С.И.
  • Пудонин Ф.А.
  • Ионов В.И.
SU1021246A1
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 0
  • В. А. Тер Ев, В. А. Волкова, Н. П. Галухина Г. Н. Амосова
SU308459A1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ 1996
  • Скупов В.Д.
  • Гусев В.К.
  • Смолин В.К.
RU2119693C1
СПИНТРОННЫЙ КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ 2004
  • Борухович Арнольд Самуилович
  • Игнатьева Нэлли Ивановна
  • Бамбуров Виталий Григорьевич
RU2291134C2
СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ И СИСТЕМА ДЛЯ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2007
  • Лаппалаинен Реийо
  • Мюллюмяки Веса
  • Пулли Лассе
  • Рууту Яри
  • Мякитало Юха
RU2467851C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2008
  • Калашников Евгений Валентинович
RU2395620C1
RU 2000116757 A, 27.04.2002.

RU 2 655 507 C1

Авторы

Мацынин Алексей Александрович

Мягков Виктор Григорьевич

Жигалов Виктор Степанович

Быкова Людмила Евгеньевна

Волочаев Михаил Николаевич

Даты

2018-05-28Публикация

2017-05-22Подача