ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Советский патент 1971 года по МПК G11C11/14 

Данное изобретение относится к области запоминающих устройств, в частности, к средствам производства элементов памяти.

Известен способ получения тонких магнитных пленок. Способ состоит в осаждении на подложку посредством испарения в вакууме по меньшей мере одного слоя хрома и слоя кобальта, покрываюпдего слой хрома. Процесс нанесения этих слоев должен происходить при строго определенной температуре, а именно для кобальта и 250°С для хрома. Коэрцитивная сила Не при этом способе зависит от скорости осаждения слоев, от их толщины и от времени осаждения. Особенно важным фактором является скорость и толщина осаждения кобальта, которые доллсны строго контролироваться. Получаемые таким способом пленки имеют большие значения величины Не .(до 1000 э) и для оперативной памяти применяться не могут, так как требуют больших токов переключения.

Целью данного изобретения является получение магнитных пленок с высокой (до 20 э) коэрцитивной силой.

Сущность способа заключается в том, что магнитный слой напыляют на подслой моноокиси германия (GeO). Для этого на подложку (стекло, алюминий) при 300-350°С из испарителя типа «лодочка напыляют подслой моноокиси германия толщиной 8000-

10000А, затем напыляют магнитный слой необходимой толщины. В магнитных пленках, напыленных на подслой моноокиси германия, увеличение Яс достигается за счет неоднородности магнитной пленки, вызываемой диффузией пермаллоя в пористую пленку моноокиси германия.

Данный способ является простым, не требует строгого контроля толщины слоя GeO, скорости осаждения, температуры и времени напыления. Повторяемость процесса при изготовлении пленок таким способом значительно возрастает.

Предмет изобретений

Тонкопленочный элемент памяти, содержа щий магнитную пленку нанесенную на подложку напылением в вакууме, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэрцитивной силы магнитной пленки, между пленкой и поДложкой нанесен слой моноокиси германия, например, вакуумным напылением.