Способ изготовления полупроводникового прибора Российский патент 2021 года по МПК H01L21/336 

Описание патента на изобретение RU2748455C1

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика полевого транзистора с пониженным значением тока утечки.

Известен способ изготовления полевого транзистора [Пат. №5145798 США, МКИ H01L 21/336] с изолированным затвором. В процессе изготовления полевого транзистора для создания n+ областей истока и стока применяются формирование оксидных боковых стенок затвора с помощью травления, имплантирование фосфора Р и горизонтальная диффузия. В результате под стенками - спейсерами создаются переходные области с плавно изменяющейся концентрацией примесей, расположенные между n+ областями истока и стока и каналом. В таких приборах из-за не технологичности формирование оксидных боковых стенок затвора применением процесса травления образуется большое количество дефектов, которые ухудшают электрические параметры приборов.

Известен способ изготовления полевого транзистора [Пат. №5134452 США, МКИ H01L 29/78] с затворным изолирующим слоем. Изготовление полевого транзистора на толстом защитном слое оксида и на открытой поверхности кремния с областями истока и стока осаждается слой проводящего поликремния, из которого затем формируются электроды стока и стока. После вскрытия канальной области проводится реактивное ионное травление с образованием шероховатой поверхности с размерами неровностей до 50 нм. Затем над канальной областью с помощью ПФХО создается тонкий затворный оксид и формируется затвор.

Недостатками этого способа являются:

- высокие значения токов утечек;

- высокая дефектность;

- низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается тем, что подзатворный диэлектрик полевого транзистора формируется на основе оксида эрбия методом электроннолучевого испарения в вакууме 1*10-6 Па со скоростью осаждения 0,1 нм/с, толщиной 25 нм, с последующим окислением при температуре 600-700°С и отжигом в атмосфере 60% N2 - 40% Н2 в течение 20 мин.

Технология способа состоит в следующем: подзатворный диэлектрик полевого транзистора формируется на основе оксида эрбия на пластинах кремния р-типа проводимости с ориентацией (100), с удельным сопротивлением 10 Ом* см, нанесением эрбия методом электронно-лучевого испарения в вакууме 1*10-6 Па со скоростью осаждения 0,1 нм/с, толщиной 25 нм, с последующим окислением при температуре 600-700°С и отжигом в атмосфере 60% N2 - 40% Н2 в течение 20 мин. Активные области n-канального полевого транзистора и электроды к ним формировали по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 19,2%.

Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Похожие патенты RU2748455C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2015
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2596861C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2019
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Кутуев Руслан Азаевич
  • Хазбулатов Зелимхан Лечиевич
RU2719622C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2020
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2752125C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2017
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Кутуев Руслан Азаевич
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
RU2654960C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2017
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Кутуев Руслан Азаевич
RU2674413C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2017
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2661546C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2019
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мастафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2723982C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРА НА СТРУКТУРЕ "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" 2022
  • Шоболова Тамара Александровна
  • Шоболов Евгений Львович
  • Суродин Сергей Иванович
  • Герасимов Владимир Александрович
  • Боряков Алексей Владимирович
  • Трушин Сергей Александрович
RU2784405C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2015
  • Зубхаджиев Магомед-Али Вахаевич
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Хасанов Асламбек Идрисович
RU2584273C1
Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама 2021
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
RU2757177C1

Реферат патента 2021 года Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика полевого транзистора с пониженным значением тока утечки. Способ изготовления полупроводникового прибора включает процессы формирования активных областей полевого транзистора, электродов к ним и подзатворного диэлектрика, при этом согласно изобретению подзатворный диэлектрик формируют на основе оксида эрбия методом электронно-лучевого испарения в вакууме 1*10-6 Па со скоростью осаждения 0,1 нм/с, толщиной 25 нм с последующим окислением при температуре 600-700°С и отжигом в атмосфере 60% N2 - 40% Н2 в течение 20 мин. Изобретение позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 748 455 C1

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей полевого транзистора, электродов к ним и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что подзатворный диэлектрик формируют на основе оксида эрбия методом электронно-лучевого испарения в вакууме 1*10-6 Па со скоростью осаждения 0,1 нм/с, толщиной 25 нм с последующим окислением при температуре 600-700°С и отжигом в атмосфере 60% N2 - 40% Н2 в течение 20 мин.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2021 года RU2748455C1

US 5134452 A, 28.07.1992
Способ изготовления полупроводникового прибора 2018
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Кутуев Руслан Азаевич
RU2677500C1
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ЭЛЕМЕНТ ОТОБРАЖЕНИЯ, УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ И СИСТЕМА 2014
  • Саотоме Риоити
  • Уеда Наоюки
  • Накамура Юки
  • Абе Юкико
  • Мацумото Синдзи
  • Соне Юдзи
  • Арае Саданори
RU2630708C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2015
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2606780C1

RU 2 748 455 C1

Авторы

Хасанов Асламбек Идрисович

Мустафаев Арслан Гасанович

Мустафаев Гасан Абакарович

Даты

2021-05-25Публикация

2020-07-08Подача