Способ изготовления полупроводникового прибора Российский патент 2018 года по МПК H01L21/316 

Описание патента на изобретение RU2654960C1

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным сопротивлением затвора.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. №5302846, США, МКИ HO1L 29/46] с пониженным сопротивлением затвора, путем формирования структуры полевого транзистора в диффузионном кармане, ограниченном участками полевого окисла. Электрод затвора с боковой пристеночной изоляцией заглублен внутрь кармана, области стока/истока располагаются вблизи поверхности кармана, при этом канал вытянут вдоль одной из боковых поверхностей электрода затвора. В таких полупроводниковых структурах из-за нетехнологичности процесса создания диффузионного кармана образуется большое количество дефектов, которые ухудшают параметры приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. №5296386 США, МКИ HOIL 21/265] с пониженным сопротивлением областей стока и истока путем создания промежуточного контактного слоя кремния, обогащенного германием. Этот слой формируют имплантацией германия или эпитаксиальным выращиванием твердого раствора кремний-германий.

Недостатками способа являются: высокие значения сопротивления затвора; повышенные значения токов утечек; низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: снижение сопротивления затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается путем формирования поверх слоя подзатворного диэлектрика SiO2 окиси олова SnO2 толщиной 70 нм со скоростью осаждения окиси олова 20 нм/мин, при температуре подложки 400-450°С, расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин.

Технология способа состоит в следующем: после формирования подзатворного диэлектрика SiO2, поверх этого слоя осаждают окись олова SnO2 разложением SnCl4 в присутствии кислорода, с использованием газа носителя - гелия, при расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин, при температуре подложки 400-450°С и скорости осаждения окиси олова 20 нм/мин, толщиной 70 нм, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 25 минут. Затем формировали n-канальные полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов, на партии пластин сформированных в оптимальном режиме увеличился на 19,6%.

Технический результат: снижение сопротивления затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования поверх слоя подзатворного диэлектрика SiO2 окиси олова SnO2 толщиной 70 нм со скоростью осаждения окиси олова 20 нм/мин, при температуре подложки 400-450°С, расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.

Похожие патенты RU2654960C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2017
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2661546C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2015
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2596861C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТРАНЗИСТОРА 2012
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Уянаева Марьям Мустафаевна
RU2515334C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2019
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Кутуев Руслан Азаевич
  • Хазбулатов Зелимхан Лечиевич
RU2719622C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2017
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
RU2671294C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2017
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Кутуев Руслан Азаевич
RU2674413C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2015
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2606780C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2019
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Черкесова Наталья Васильевна
RU2717149C1
Способ изготовления полупроводникового прибора 2020
  • Хасанов Асламбек Идрисович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
  • Мустафаев Гасан Абакарович
RU2748455C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2011
  • Мустафаев Гасан Абакарович
  • Мустафаев Абдулла Гасанович
  • Мустафаев Арслан Гасанович
RU2466476C1

Реферат патента 2018 года Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным сопротивлением затвора. Технический результат: снижение сопротивления затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования подзатворного диэлектрика поверх этого слоя осаждают слой окиси олова SnO2 разложением SnCl4 в присутствии кислорода, с использованием газа носителя - гелия, при расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин, при температуре подложки 400-450°С и скорости осаждения окиси олова 20 нм/мин, толщиной 70 нм, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 25 минут. Затем формируют n-канальные полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии.

Формула изобретения RU 2 654 960 C1

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования областей стока, истока, затвора и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что после формирования подзатворного диэлектрика, поверх этого слоя осаждают окись олова SnO2 разложением SnCl4 в присутствии кислорода, с использованием газа носителя - гелия, при расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин, при температуре подложки 400-450°C, со скоростью - 20 нм/мин, толщиной 70 нм, с последующим отжигом при температуре 300°C в течение 25 мин.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2018 года RU2654960C1

СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА 1984
  • Румак Н.В.
  • Хатько В.В.
  • Плотников В.Н.
  • Ясников В.Е.
SU1282767A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА МОП-ПРИБОРОВ 1986
  • Румак Н.В.
  • Хатько В.В.
  • Беневоленский А.В.
  • Костюченко Н.Е.
  • Канищев А.Ф.
SU1345967A1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКОГО ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА 1984
  • Румак Н.В.
  • Хатько В.В.
  • Плотников В.Н.
  • Ясников В.Е.
SU1225430A1
US 20110121378 A1, 26.05.2011
Способ и приспособление для нагревания хлебопекарных камер 1923
  • Иссерлис И.Л.
SU2003A1
KR 2015111390 A, 06.10.2015.

RU 2 654 960 C1

Авторы

Хасанов Асламбек Идрисович

Кутуев Руслан Азаевич

Мустафаев Арслан Гасанович

Мустафаев Гасан Абакарович

Даты

2018-05-23Публикация

2017-04-26Подача