ПАНЕЛЬ И УСТРОЙСТВО ДИСПЛЕЯ Российский патент 2023 года по МПК G02F1/1362 H10K59/122 

Область техники, к которой относится изобретение

Варианты осуществления настоящего раскрытия относятся, но не ограничиваясь только этим, к области технологий дисплеев и, в частности, к панели дисплея и к устройству дисплея.

Уровень техники

При подготовке изготовления панели органического светодиодного (organic light emitting diode, OLED) дисплея, процесс струйной печати по сравнению с процессом вакуумного испарения привлек большое внимания из-за его простоты и низкой стоимости. В процессе струйной печати растворитель используется для растворения органических материалов OLED и изготовления чернил и чернила для различных цветных субпикселей распыляются и печатаются в соответствующих местах на базовой подложке. В некоторых технологиях в процессе струйной печати легко возникает переполнение чернилами, которое будет вызывать смешивание цветов различных цветных субпикселей и влиять на результат отображения.

Раскрытие сущности изобретения

Ниже приводится описание сущности предмета изобретения, описываемого здесь подробно. Описание сущности изобретения не предназначено для ограничения объема защиты формулы изобретения.

Вариант осуществления настоящего раскрытия обеспечивает панель дисплея, содержащую базовую подложку и слой структуры управления, слой светоизлучающей структуры и слой структуры инкапсуляции, последовательно расположенные на базовой подложке. Слой светоизлучающей структуры содержит первый слой электродов, слой определения пикселей, функциональный светоизлучающий слой и второй слой электродов, причем первый слой электродов содержит первый электрод, а второй слой электродов содержит второй электрод; панель дисплея дополнительно содержит множество пиксельных блоков и каждый из множество пиксельных блоков содержит по меньшей мере один субпиксель, причем субпиксель выполнен со схемой управления пикселем, по меньшей мере с одной линией передачи данных, по меньшей мере с одной линией электропитания и по меньшей мере с одной линией управления, схема управления пикселем связана с первым электродом и/или со вторым электродом; схема управления пикселем содержит по меньшей мере один транзистор, транзистор содержит по меньшей мере область канала, электрод затвора, электрод истока и электрод стока, и линия управления выполнена с возможностью вывода сигнала управления для управления электродом затвора, чтобы включать и осуществлять связь с электродом истока и электродом стока, или управления электродом затвора, чтобы выключать и отключать электрод истока и электрод стока;

слой структуры управления содержит слой планаризации, причем слой планаризации расположен на стороне схемы управления пикселем, обращенной от базовой подложки, слой планаризации снабжен первым сквозным отверстием, и первый электрод соединен со схемой управления пикселем через первое сквозное отверстие;

слой определения пикселей расположен на стороне слоя планаризации, обращенной от базовой подложки; слой определения пикселей содержит по меньшей мере первый участок дамбы и второй участок дамбы, первый участок дамбы проходит вдоль первого направления, второй участок дамбы проходит во втором направлении, первое направление пересекается со вторым направлением, первый участок дамбы и второй участок дамбы формируют множество пиксельных отверстий, ортогональная проекция первого участка дамбы на базовую подложку содержит ортогональную проекцию первого сквозного отверстия слоя планаризации на базовую подложку; или ортогональная проекция первого участка дамбы на базовую подложку частично накладывается на ортогональную проекцию первого сквозного отверстия на базовую подложку;

расстояние между поверхностью стороны первого участка дамбы, обращенной от базовой подложки, и поверхностью стороны слоя планаризации, обращенной от базовой подложки, меньше, чем расстояние между поверхностью стороны второго участка дамбы, обращенной от базовой подложки, и поверхностью стороны слоя планаризации, обращенной от базовой подложки;

второй участок дамбы содержит первую поверхность стороны, обращенной от базовой подложки, и вторую поверхность стороны, обращенной к базовой подложке, первый участок дамбы содержит третью поверхность стороны, обращенной от базовой подложки, и четвертую поверхность стороны, отращенной к базовой подложке, и расстояние между первой поверхностью и второй поверхностью больше, чем расстояние между третьей поверхностью и четвертой поверхностью.

Как вариант, второй участок дамбы содержит первую боковую поверхность, обращенную к пиксельному отверстия, первая боковая поверхность второго участка дамбы содержит первую функциональную область и вторую функциональную область, последовательно расположенные в направлении от базовой подложки, и вторая функциональная область содержит первую подобласть и вторую подобласть, расположенные в направлении от базовой подложки; первая подобласть соединена с первой функциональной областью и второй подобластью и существует по меньшей мере одно поперечное сечение в направлении, перпендикулярном базовой подложке, так чтобы первая функциональная область, первая подобласть и вторая подобласть все были наклонными поверхностями; угол наклона первой подобласти больше, чем угол наклона второй подобласти; угол наклона второй подобласти больше, чем угол наклона первой функциональной области.

Как вариант, угол наклона первой подобласти имеет значение между 50° и 60°;

Как вариант, угол наклона второй подобласти имеет значение между 30° и 40°;

Как вариант, угол наклона первой функциональной области имеет значение между 10° и 20°.

Как вариант, линия пересечения первой подобласти и второй подобласти является первой линией пересечения, и линия пересечения первой подобласти и первой функциональной области является второй линией пересечения; линия пересечения между второй подобластью и первой поверхностью второго участка дамбы является третьей линией пересечения, и линия пересечения между первой функциональной областью и поверхностью первого электрода, обращенной от базовой подложки, является четвертой линией пересечения; точка пересечения первой линии пересечения и опорной поверхности является первой точкой пересечения, точка пересечения второй линии пересечения и опорной поверхности является второй точкой пересечения, точка пересечения третьей линии пересечения и опорной поверхности является третьей точкой пересечения, точка пересечения четвертой линии пересечения и опорной поверхности является четвертой точкой пересечения, и опорная поверхность является поперечным сечением, параллельным первому направлению и перпендикулярным базовой подложке; на опорной поверхности прямая линия, проходящая через вторую точку пересечения и через третью точку пересечения, является первой опорной линией, прямая линия, проходящая через вторую точку пересечения и параллельная базовой подложке, является второй опорной линией, и острый угол между первой опорной линией и второй опорной линией имеет значение между 38° и 42°.

Как вариант, расстояние d от первой точки пересечения до первой опорной линии удовлетворяет условию: 0 < d ≤ D < AB/S, 0 < D < Δ/2 - HL/S; где D - действительное число, большее 0, и A – длина отрезка между первой точкой пересечения и третьей точкой пересечения; B – длина отрезка между первой точкой пересечения и второй точкой пересечения; S - длина отрезка между второй точкой пересечения и третьей точкой пересечения; H - длина отрезка между третьей точкой пересечения и опорной точкой, причем опорная точка является точкой пересечения второй опорной линии и третьей опорной линии, и третья опорная линия является прямой линией, проходящей через третью точку пересечения и перпендикулярной базовой подложке; L - длина отрезка между второй точкой пересечения и опорной точкой; Δ - ширина первой боковой поверхности второго участка дамбы в первом направлении.

Как вариант, на опорной поверхности расстояние между первой точкой пересечения и поверхностью первого электрода, обращенной от базовой подложки, равно h1, расстояние между третьей точкой пересечения и поверхностью первого электрода, обращенной от базовой подложки, равно h3; отношение h1 к h3 составляет значение между 0,494 и 0,742.

Как вариант, отношение h1 к h3 составляет 0,618.

Как вариант, панель дисплея дополнительно содержит слой цветовых фильтров, расположенный на стороне слоя структуры инкапсуляции, обращенной от базовой подложки, причем слой цветовых фильтров содержит множество фильтровых блоков, чтобы без потерь пропускать свет выбранных цветов, и по меньшей мере два смежных фильтровых блока для пропуска без потерь света различных цветов накладываются друг на друга.

Как вариант, панель дисплея дополнительно содержит цветовой резистивный слой, расположенный на боковой стороне слоя структуры инкапсуляции, обращенной от базовой подложки; цветовой резистивный слой содержит множество первых цветовых резистивных участков, проходящих вдоль первого направления, причем множество первых цветовых резистивных участков последовательно расположены во втором направлении, цветовой резистивный слой также содержит множество групп вторых цветовых резистивных участков, причем каждая группа вторых цветовых резистивных участков содержит множество вторых цветовых резистивных участков, которые соответственно расположены между двумя смежными первыми цветовыми резистивными участками и расположены с промежутками вдоль первого направления, и каждый из вторых цветовых резистивных участков проходит вдоль второго направления.

Как вариант, второй цветовой резистивный участок образуется перекрывающимся участком двух смежных фильтровых блоков для пропускания без потерь света различных цветов в первом направлении; или материал второго цветового резистивного участка содержит по меньшей мере одно из следующего: металлический хром, окись хрома или черный пластик.

Как вариант, угол β наклона первой подобласти и угол α наклона второй подобласти удовлетворяют следующему соотношению: β < arctg(n*×HW/(LBM-L3)); α < arctg(n*×HW/LBM); где n* - эквивалентный показатель преломления пленки, 1 < n* <2; HW - расстояние между функциональным светоизлучающим слоем первой функциональной области и вторым цветовым резистивным участком в направлении, перпендикулярном базовой подложке; LBM - ширина второго цветового резистивного участка в первом направлении; L3 - ширина функционального светоизлучающего слоя первой функциональной области в первом направлении.

Как вариант, ортогональная проекция первого цветового резистивного участка на базовую подложку содержит ортогональную проекцию первого сквозного отверстия слоя планаризации на базовую подложку; или ортогональная проекция первого цветового резистивного участка на базовую подложку частично перекрывает ортогональную проекцию первого сквозного отверстия на базовую подложку.

Как вариант, первый слой электродов содержит первую подобласть и вторую подобласть, вторая подобласть имеет по меньшей мере участок первых электродов и средняя толщина указанного по меньшей мере участка первых электродов в направлении, перпендикулярном базовой подложке, больше, чем средняя толщина первого электрода первой подобласти в направлении, перпендикулярном базовой подложке.

Как вариант, вторая подобласть расположена на круговой боковой стенке первого сквозного отверстия и покрывает поверхность круговой боковой стены первого сквозного отверстия вблизи одного конца базовой подложки.

Как вариант, вторая подобласть имеет кольцевую структуру, и отношение ширины ортогональной проекции первого электрода второй подобласти на базовую подложку в первом направлении к ширине ортогональной проекции первого электрода на базовую подложку в первом направлении составляет значение между 1/4 и 1/2.

Как вариант, ширина ортогональной проекции первого электрода второй подобласти на базовую подложку в первом направлении составляет значение между 1 мкм и 2 мкм.

Как вариант, ортогональная проекция второго участка дамбы на базовую подложку не перекрывает ортогональную проекцию первого сквозного отверстия на базовую подложку.

Как вариант, материал первого участка дамбы содержит по меньшей мере одно из следующего: нитрид кремния, окись кремния и оксинитрид кремния, материал второго участка дамбы содержит по меньшей мере одно из следующего: нитрид кремния, окись кремния и оксинитрид кремния, материал первого участка дамбы дополнительно содержит лиофильный материал, а материал второго участка дамбы дополнительно содержит лиофобный материал.

Как вариант, второй участок дамбы содержит первую боковую поверхность, обращенную к пиксельному отверстию, первая боковая поверхность второго участка дамбы содержит первую функциональную область и вторую функциональную область, последовательно расположенные в направлении от базовой подложки, и вторая функциональная область содержит первую подобласть и вторую подобласть, расположенные в направлении от базовой подложки; первая подобласть соединена с первой функциональной областью и второй подобластью, и существует по меньшей мере одно поперечное сечение в направлении, перпендикулярном базовой подложке, так чтобы формы первой функциональной области, первой подобласти и второй подобласти все были непрерывными изогнутыми поверхностями.

Как вариант, по меньшей мере в одном поперечном сечении, перпендикулярном направлению базовой подложки, первая функциональная область образует вогнутую поверхность в направлении к базовой подложке, первая подобласть образует вогнутую поверхность в направлении к базовой подложке, и вторая подобласть образует выпуклую поверхность в направлении от базовой подложки.

Как вариант, линия пересечения первой подобласти и второй подобласти является первой линией пересечения, и линия пересечения первой подобласти и первой функциональной области является второй линией пересечения; линия пересечения между второй подобластью и первой поверхностью второго участка дамбы является третьей линией пересечения, и линия пересечения между первой функциональной областью и поверхностью первого электрода, обращенной от базовой подложки, является четвертой линией пересечения; точка пересечения первой линии пересечения и опорной поверхности является первой точкой пересечения, точка пересечения второй линии пересечения и опорной поверхности является второй точкой пересечения, точка пересечения третьей линии пересечения и опорной поверхности является третьей точкой пересечения, точка пересечения четвертой линии пересечения и опорной поверхности является четвертой точкой пересечения, и опорная поверхность является поперечным сечением, параллельным первому направлению и перпендикулярным базовой подложке; на опорной поверхности линия пересечения первой функциональной области и опорной поверхности является кривой соединяющей линией между второй точкой пересечения и четвертой точкой пересечения; линия пересечения между первой подобластью и опорной поверхностью является первой дугой, соединяющей первую точку пересечения и вторую точку пересечения, линия пересечения между второй подобластью и опорной поверхностью является второй дугой, соединяющей первую точку пересечения и третью точку пересечения, и изогнутая линия, образованная первой дугой и второй дугой, является кривой S-образной формы.

Как вариант, прямая линия, проходящая через вторую точку пересечения и через третью точку пересечения, является первой опорной линией, радиус кривизны первой подобласти равен радиусу кривизны второй подобласти и первая точка пересечения расположена на первой опорной линии.

Как вариант, прямая линия, проходящая через вторую точку пересечения и третью точку пересечения, является первой опорной линией, радиус кривизны первой подобласти меньше, чем радиус кривизны второй подобласти, и первая точка пересечения расположена со стороны первой опорной линии, удаленной от базовой подложки.

Как вариант, прямая линия, проходящая через вторую точку пересечения и третью точку пересечения, является первой опорной линией, радиус кривизны первой подобласти больше, чем радиус кривизны второй подобласти, и первая точка пересечения расположена со стороны первой опорной линии, находящейся вблизи базовой подложки.

Как вариант, радиус Rb кривизны первой подобласти и радиус Ra кривизны второй подобласти удовлетворяют условию: 0 ≤ |1/Ra-1/Rb | / |cosα-cosβ | < G/σ; где β – градиентный угол первой подобласти, α – градиентный угол второй подобласти, и G - гравитационная постоянная материала; σ – постоянная поверхностного натяжения чернил слоя светоизлучающей структуры.

Как вариант, по меньшей мере участок линии пересечения второй функциональной области и опорной поверхности удовлетворяет следующему соотношению:

Z = (Z2-Z1) ×arctg (X-X0)/a×Π + (Z2+Z1)/2;

где (X, Z) - координата по меньшей мере части точек на линии пересечения второй функциональной области и опорной поверхности; а – конструктивный параметр; Π - π; Z1 - толщина первой функциональной области в направлении, перпендикулярном базовой подложке; Z2 - высота первой боковой поверхности второго участка дамбы в направлении, перпендикулярном базовой подложке; X0 - расстояние между центром второй функциональной области и началом координат, и начало координат является ортогональной проекцией геометрического центра поверхности первого электрода, представленного отверстием пикселя, на опорную поверхность.

Как вариант, по меньшей мере часть линии пересечения первой функциональной области и опорной поверхности удовлетворяет следующему соотношению:

Z = (1/a) ^ (X ± X0+L/2) +Z1-1;

где (X, Z) - координата по меньшей мере части точек на линии пересечения первой функциональной области и опорной поверхности; а – конструктивный параметр; Π - π; L - ширина второй функциональной области в первом направлении; X0 - расстояние между центром второй функциональной области и началом координат, и начало координат является ортогональной проекцией геометрического центра поверхности первого электрода, представленного отверстием пикселя, на опорную поверхность.

Как вариант, панель дисплея дополнительно содержит затемняющий слой, расположенный на поверхности стороны слоя структуры инкапсуляции, обращенной от базовой подложки, и слой цветовых фильтров и цветовой резистивный слой, расположенные на поверхности стороны затемняющего слоя, обращенной от базовой подложки; поверхность стороны слоя структуры инкапсуляции, обращенной от базовой подложки, обладает плоским участком и изогнутым участком, причем изогнутый участок содержит, по меньшей мере, частичную область, выступающую в направлении от базовой подложки.

Как вариант, цветовой резистивный слой содержит множество первых цветовых резистивных участков, проходящих вдоль первого направления, причем множество первых цветовых резистивных участков последовательно расположены во втором направлении, цветовой резистивный слой также содержит множество групп вторых цветовых резистивных участков, каждая группа вторых цветовых резистивных участков содержит множество вторых цветовых резистивных участков, которые расположены между двумя смежными первыми цветовыми резистивными участками, соответственно, и расположены с промежутками вдоль первого направления, и каждый из вторых цветовых резистивных участков проходит вдоль второго направления; существует перекрывающийся участок ортогональной проекции изогнутого участка на базовую положку и ортогональной проекции второго цветового резистивного участка на базовую подложку; второй участок дамбы содержит первую боковую поверхность, обращенную к пиксельному отверстию, первая боковая поверхность второго участка дамбы содержит первую функциональную область и вторую функциональную область, последовательно расположенные в направлении от базовой подложки, и существует перекрывающийся участок между ортогональной проекцией изогнутого участка на базовую подложку и ортогональной проекцией первой функциональной области на базовую подложку.

Как вариант, поперечное сечение частичной области изогнутого участка, выступающего в направлении от базовой подложки, по плоскости, параллельной первому направлению и перпендикулярной базовой подложке, является по меньшей мере одним из следующего:

частичная область первого эллипса, причем длина половины короткой оси первого эллипса равна a1, длина половины длинной оси равна b1, a1=H1/2, b1=L4/2;

частичная область второго эллипса, причем половина короткой оси второго эллипса равна a2, длина половины длинной оси второго эллипса равна b2, a2 ≥ H2/2, b2 = L4/2;

местоположение между поверхностью стороны первого эллипса, обращенной от базовой подложки, и поверхностью стороны второго эллипса, обращенной от базовой подложки; где H1 - толщина слоя структуры инкапсуляции на плоском участке; H2 - максимальная толщина слоя структуры инкапсуляции в направлении, перпендикулярном базовой подложке; L4 - ширина изогнутого участка в первом направлении.

Как вариант, в поперечном сечении, параллельном первому направлению и перпендикулярном базовой подложке, площадь S поперечного сечения изогнутого участка содержит площадь S0 частичной области, выступающей в направлении от базовой подложки, и площадь S1 частичной области, не выступающей к направлении от базовой подложки, площадь S поперечного сечения изогнутого участка и площадь S0 частичной области изогнутого участка, выступающей в направлению от базовой подложки, удовлетворяют следующим требованиям: S=S0+S1, πa1b1 <S <πa2b2, πa1b1+S0 <πa2b2.

Как вариант, изогнутый участок содержит первый изогнутый участок, переходный участок и второй изогнутый участок, соединенные последовательно в первом направлении, причем первый изогнутый участок и второй изогнутый участок каждый содержит, по меньшей мере, частичную область, выступающую из переходного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, поверхность стороны изогнутого участка, обращенной от базовой подложки, расположена между поверхностью стороны первого эллипса, обращенной от базовой подложки, и поверхностью стороны второго эллипса, обращенной от базовой подложки.

Как вариант, изогнутый участок содержит первый наклонный участок, первый изогнутый участок, переходный участок, второй изогнутый участок и второй наклонный участок, соединенные последовательно в первом направлении, и каждый из первого наклонного участка и второго наклонного участка выступает из переходного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке.

Как вариант, существует перекрывающийся участок между ортогональной проекцией переходного участка на базовую подложку и ортогональной проекцией второго цветового резистивного участка на базовую подложку.

Как вариант, показатель преломления слоя цветовых фильтров больше, чем показатель преломления затемняющего слоя.

Как вариант, показатель преломления слоя структуры инкапсуляции больше, чем показатель преломления затемняющего слоя, и показатель преломления второго цветового резистивного участка больше, чем показатель преломления затемняющего слоя.

Как вариант, площадь поверхности затемняющего слоя, контактирующая со слоем структуры инкапсуляции, больше, чем площадь поверхности затемняющего слоя, контактирующая со слоем цветовых фильтров и с цветовым резистивным слоем.

Как вариант, слой цветовых фильтров содержит множество фильтровых блоков с различными цветами, второй цветовой резистивный участок образован в перекрывающейся части фильтровых блоков двух смежных субпикселей различных цветов в первом направлении, и угол наклона на сопряжении фильтровых блоков двух смежных субпикселей различных цветов в первом направлении постепенно становится больше в направлении от базовой подложки.

Как вариант, угол наклона участков сопряжения фильтровых блоков двух субпикселей различных цветов, смежных в первом направлении, находится в пределах между 10° и 75°.

Как вариант, участок сопряжения фильтровых блоков двух субпикселей различных цветов, смежных в первом направлении, содержит первый участок сопряжения и второй участок сопряжения, соединенные последовательно в направлении от базовой подложки, угол наклона первого участка сопряжения составляет значение между 28° и 32°, угол наклона второго участка сопряжения составляет значение между 55° и 65°, и первый участок сопряжения и второй участок сопряжения являются изогнутыми поверхностями или наклонными поверхностями.

Как вариант, материал слоя структуры инкапсуляции содержит азот и кремний.

Как вариант, материал затемняющего слоя содержит углерод, кислород и кремний.

Как вариант, материал слоя цветовых фильтров содержит углерод и алюминий.

Как вариант, затемняющий слой обладает адгезивностью.

Как вариант, материал слоя планаризации содержит углерод, фтор, элемент кислород и азот.

Как вариант, первый слой электродов имеет многослойную структуру, первый слой электродов содержит первый подслой первых электродов и второй подслой первых электродов, расположенные на стороне первого субслоя первых электродов, обращенной от базовой подложки, причем материал первого субслоя первых электродов содержит алюминий, а материал второго субслоя первых электродов содержит иттербий, кремний и кислород.

Как вариант, средняя толщина первого субслоя первых электродов больше, чем средняя толщина второго субслоя первых электродов.

Как вариант, по меньшей мере один из пиксельных блоков содержит первый субпиксель, излучающий свет первого цвета, второй субпиксель, излучающий свет второго цвета и третий субпиксель, излучающий свет третьего цвета; толщина функционального светоизлучающего слоя первого субпикселя, излучающего свет первого цвета, больше, чем толщина функционального светоизлучающего слоя второго субпикселя, излучающего свет второго цвета, и толщина функционального светоизлучающего слоя второго субпикселя, излучающего свет второго цвета, больше, чем толщина функционального светоизлучающего слоя третьего субпикселя, излучающих свет третьего цвета.

Как вариант, второй слой электродов имеет многослойную структуру, второй слой электродов содержит первый субслой вторых электродов и второй субслой вторых электродов, расположенных на стороне первого субслоя вторых электродов, обращенной от базовой подложки, причем материал первого субслоя вторых электродов содержит индий, цинк и кислород, а материал второго слоя вторых субэлектродов содержит серебро.

Как вариант, средняя толщина первого субслоя вторых электродов больше, чем средняя толщина второго слоя вторых электродов.

Как вариант, схема управления пикселей содержит первый транзистор, второй транзистор, третий транзистор, четвертый транзистор и накопительный конденсатора, и субпиксель содержит первую линию затвора, вторую линию затвора и третью линию затвора, причем электрод затвора первого транзистора соединен с первой линией затвора, первый электрод первого транзистора соединен с линией данных, второй электрод первого транзистора соединен со вторым электродом второго транзистора, электродом затвора третьего транзистора и первой электродной пластиной накопительного конденсатора, электрод затвора второго транзистора соединяется со второй линией затвора, первый электрод второго транзистора соединен со второй линией сигнала инициализации, второй электрод третьего транзистора соединен с первой линией электропитания, вторая электродная пластина накопительного конденсатора соединена с первым электродом третьего транзистора и вторым электродом четвертого транзистора, электрод затвора четвертого транзистора соединен с третьей линией затвора, первый электрод четвертого транзистора соединен с первой линией сигнала инициализации, и второй электрод соединен со второй линией электропитания; ортогональная проекция второй электродной пластины накопительного конденсатора на базовую подложку частично перекрывает ортогональную проекцию первого сквозного отверстия на базовую подложку, и вторая электродная пластина накопительного конденсатора соединена с первым электродом через первое сквозное отверстие.

Как вариант, первый транзистор, второй транзистор, третий транзистор и четвертый транзистор все являются транзисторами N-типа.

Как вариант, по меньшей мере один транзистор из первого транзистора, второго транзистора, третьего транзистора и четвертого транзистора является транзистором P-типа.

Как вариант, слой структуры управления содержит активный полупроводниковый слой, изолирующий слой затвора, расположенный на стороне активного полупроводникового слоя, обращенной от базовой подложки, первый слой проводящего шаблона, расположенный на стороне изолирующего слоя затвора, обращенной от базовой подложки, промежуточный изолирующий слой, расположенный на стороне первого слоя проводящего шаблона, обращенного от базовой подложки, второй слой проводящего шаблона, расположенный на стороне промежуточного изолирующего слоя, обращенной от базовой подложки, изолирующий слой, расположенный на стороне второго слоя проводящего шаблона, обращенной от базовой подложки, и первый электрод расположен на стороне изолирующего слоя, обращенной от базовой подложки.

Как вариант, первый слой проводящего шаблона содержит первую электродную пластину накопительного конденсатора и множество соединительных электродов, множество соединительных электродов содержат первый соединительный электрод, третий соединительный электрод и четвертый соединительный электрод; второй слой проводящего шаблона содержит вторую электродную пластину накопительного конденсатора, первую линию затвора, вторую линию затвора и третью линию затвора.

Как вариант, первый соединительный электрод соединен с третьей линией затвора через сквозное отверстие, и первый соединительный электрод служит в качестве электрода затвора четвертого транзистора; третий соединительный электрод соединен с первой линией затвора через сквозное отверстие, и третий соединительный электрод служит в качестве электрода затвора первого транзистора; четвертый соединительный электрод соединен со второй линией затвора через сквозное отверстие, и четвертый соединительный электрод служит в качестве электрода затвора второго транзистора.

Как вариант, первая линия электропитания содержит первую линию сигнала электропитания, проходящую вдоль первого направления, и первую соединительную линию электропитания, проходящую вдоль второго направления, причем первая линия сигнала электропитания и первая соединительная линия электропитания соединены друг с другом.

Как вариант, первая соединительная линия электропитания содержит первый участок, второй участок и третий участок, соединенные последовательно, первая линия сигнала электропитания и второй участок первой соединительной линии электропитания расположены во втором слое проводящего шаблона, и первый участок и третий участок первой соединительной линии электропитания расположены в первом слое проводящего шаблона.

Как вариант, первая линия сигнала электропитания и второй участок первой соединительной линии электропитания соединены напрямую, первый участок и второй участок первой соединительной линии электропитания соединены через сквозное отверстие, и второй участок и третий участок первой соединительной линии электропитания соединены через сквозное отверстие.

Как вариант, первая линия сигнала инициализации содержит сублинию сигнала инициализации, проходящую вдоль первого направления, и первую соединительную линию инициализации, проходящую вдоль второго направления, причем первая сублиния сигнала инициализации и первая соединительная линия инициализации соединены друг с другом.

Как вариант, первая соединительная линия инициализации содержит первый участок, второй участок и третий участок, соединенные последовательно. Первая сублиния сигнала инициализации и второй участок первой соединительной линии инициализации расположены во втором слое проводящего шаблона, а первый и третий участки первой соединительной линии инициализации расположены в первом слое проводящего шаблона.

Как вариант, первая линия сигнала субинициализации и первый участок первой соединительной линии инициализации соединены через сквозное отверстие, первый участок и второй участок первой соединительной линии инициализации соединены через сквозное отверстие, и второй участок и третий участок первой соединительной линии инициализации соединены через сквозное отверстие.

Как вариант, вторая линия сигнала инициализации содержит вторую сублинию сигнала инициализации, проходящую вдоль первого направления, и вторую соединительную линию инициализации, проходящую вдоль второго направления, и вторая сублиния сигнала инициализации и вторая соединительная линия инициализации соединены друг с другом.

Как вариант, вторая соединительная линия инициализации содержит первый участок, второй участок и третий участок, соединенные последовательно, вторая сублиния сигнала инициализации и второй участок второй соединительной линии инициализации расположены во втором слое проводящего шаблона, и первая и третья части второй соединительной линии инициализации расположены в первом слое проводящего шаблона.

Как вариант, вторая сублиния сигнала инициализации и третий участок второй соединительной линии инициализации соединены через сквозное отверстие, первый участок и второй участок второй соединительной линии инициализации соединены через сквозное отверстие, и второй участок и третий участок второй соединительной линии инициализации соединены через сквозное отверстие.

Как вариант, накопительный конденсатор является параллельным конденсатором, накопительный конденсатор содержит первую электродную пластину, вторую электродную пластину и третью электродную пластину, причем вторая электродная пластина и третья электродная электрода соответственно расположены с двух сторон первой электродной пластины в направлении, перпендикулярном базовой подложке, и вторая электродная пластина и третья электродная пластина соединены через сквозное отверстие.

Как вариант, существует участок перекрытия между ортогональными проекциями второй электродной пластины и первой электродной пластины на базовую подложку и существует участок перекрытия ортогональных проекций третьей электродной пластины и первой электродной пластины на базовую подложку.

Как вариант, схема управления пикселем содержит первый транзистор, второй транзистор, третий транзистор, четвертый транзистор, пятый транзистор, накопительный конденсатор и светоизлучающее устройство, и субпиксель содержит первую линию затвора, вторую линию затвора и третью линию затвора, причем электрод затвора первого транзистора соединен с первой линией затвора, первый электрод первого транзистора соединен с линией данных, второй электрод первого транзистора соединен со вторым электродом второго транзистора, электродом затвора третьего транзистора, электродом затвора пятого транзистора и первой электродной пластиной накопительного конденсатора, электрод затвора второго транзистора соединен со второй линией затвора, первый электрод второго транзистора соединен с линией сигнала инициализации, электрод затвора четвертого транзистора соединен с линией сигнала светового излучения, первый электрод четвертого транзистора соединен с первой линией электропитания, второй электрод четвертого транзистора соединен с первым электродом третьего транзистора, второй электрод третьего транзистора соединен с первым электродом пятого транзистора, второй электрод пятого транзистора соединен со второй электродной пластиной накопительного конденсатора и первым электродом светоизлучающего устройства, и второй электрод светоизлучающего устройства соединен со второй линией электропитания.

Как вариант, первый транзистор, второй транзистор, третий транзистор и пятый транзистор все являются транзисторами N-типа, а четвертый транзистор является транзистором P-типа или транзистором N-типа.

Вариант осуществления настоящего раскрытия дополнительно обеспечивает устройство дисплея, содержащее панель дисплея по любому из вышеупомянутых вариантов осуществления.

Другие подходы могут стать понятны после прочтения и понимания чертежей и подробного описания.

Краткое описание чертежей

Чертежи предназначены представить дополнительное понимание технических решений настоящего раскрытия, составляют часть описания и используются для объяснения технических решений настоящего раскрытия совместно с вариантами осуществления настоящего раскрытия и не предназначены ограничивать технические решения настоящего раскрытия. Формы и размеры различных компонент на чертежах не отражают фактические масштабы и предназначены только для схематичного иллюстрирования содержания настоящего раскрытия.

Фиг. 1 –расположение пикселей панели дисплея в соответствии с некоторыми примерными вариантами осуществления;

Фиг. 2A – вид в разрезе области A-A на фиг. 1;

Фиг. 2B – вид в плане слоя цветовых фильтров и цветового резистивного слоя области панели дисплея в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 2C – вид сверху первого электрода в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 3A – вид в плане слоя определения пикселей области отображения панели дисплея в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 3B – органический светоизлучающий слой, сформированный струйной печатью в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 3C – вид в плане слоя определения пикселей и функционального светоизлучающего слоя области отображения панели дисплея в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 4 – вид в частичном сечении панели дисплея в соответствии с примерным вариантом осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 5 – частичный линейный контур второго участка дамбы слоя определения пикселей, показанного на фиг. 4;

Фиг. 6 - позиционные соотношения между цветовым резистивным слоем и органическим светоизлучающим слоем в области рассеянного света панели дисплея в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 7А - 7C - три вида частичных линейных контуров второго участка дамбы слоя определения пикселей в других примерных вариантах осуществления;

Фиг. 7D – способ определения градиентных углов первой функциональной области, первой подобласти и второй подобласти второй функциональной области в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 8A - 8F – структуры в поперечном сечении нескольких частичных пленочных слоев панели дисплея в некоторых примерных вариантах осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 9 – пиксельная схема в панели дисплея, управляющая светоизлучающим элементом для излучения света;

Фиг. 10 - схема управления пикселем и светоизлучающий элемент в одном субпикселе в соответствии с примерным вариантом осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 11 – планировка панели дисплея, представляемая в некоторых примерных вариантах осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 12 – вид в сечении вдоль области A1-A2 на фиг. 11;

Фиг. 13А - 13G – виды в плане одиночного слоя панели дисплея, показанной на фиг. 11;

Фиг. 14А - 14D – виды в плане частичного ламинирования панели, показанной на фиг. 11;

Фиг. 15 – планировка панели дисплея, представляемая в некоторых примерных вариантах осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 16A – вид в плане слоя определения пикселей в панели дисплея, представленный в некоторых вариантах осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 16B – вид в плане слоя определения пикселей в панели дисплея, представленный в некоторых вариантах осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 17 – схематичное представление панели дисплея в некоторых вариантах осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 18 – вид в плане панели дисплея, представляемой в некоторых вариантах осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 19 - временная диаграмма управления схемы управления пикселем, показанной на фиг. 10;

Фиг. 20 – схема управления пикселем и светоизлучающий элемент в одном субпикселе, соответствующие другим примерным вариантам осуществления настоящего раскрытия;

Фиг. 21 – планировка панели дисплея, представляемая в других примерных вариантах осуществления настоящего раскрытия; и

Фиг. 22 - временная диаграмма управления схемы управления пикселем, показанной на фиг. 20.

Осуществления изобретения

Чтобы сделать задачи, технических решения и преимущества настоящего раскрытия более понятными, варианты осуществления настоящего раскрытия будут подробно описаны со ссылкой на сопроводительные чертежи. Следует заметить, что способы реализации могут быть осуществлены в нескольких различных формах. Специалисты в данной области техники могут легко понять тот факт, что реализации и содержание могут быть преобразованы в различные формы, не отступая от цели и объема защиты настоящего раскрытия. Поэтому настоящая раскрытие не должно трактоваться как ограничиваемое содержанием, описанным только в последующих способах реализации. Варианты осуществления в настоящем раскрытии и признаки в вариантах осуществления могут произвольно объединяться друг с другом, если не существует никакого противоречия. Для поддержания четкости и краткости последующего описания вариантов осуществления настоящего раскрытия, в настоящем раскрытии опущены подробные описания части известных функций и известных компонент. Чертежи вариантов осуществления настоящего раскрытия содержат только структуры, используемые в вариантах осуществления настоящего раскрытия, а другие структуры могут обращаться к стандартным проектам.

На чертежах размер каждого составляющего элемента, толщина слоя или область для ясности иногда преувеличиваются. Поэтому любой из способов реализации настоящего раскрытия не обязательно ограничивается размерами и формы и размеры различных компонент на чертежах не отражают фактические масштабы. Кроме того, чертежи схематично иллюстрируют идеальные примеры и ни одна реализация настоящего раскрытия не ограничивается формами, численными значениями и т. п., показанными на чертежах.

Порядковые числительные, такие как “первый”, “второй” и “третий” в настоящем описании установлены, чтобы избежать беспорядка составляющих элементов, но не для установления предела количества.

В настоящем описании для удобства выражения, указывающие на ориентацию или позиционные соотношения, такие как “средний”, “верхний”, “нижний”, “передний”, “задний”, “вертикальный”, “горизонтальный”, “верх”, “низ”, “внутри” и “снаружи”, используются для демонстрации позиционных соотношений между составляющими элементами со ссылкой на чертежи и просто для упрощения описания настоящего раскрытия, вместо того, чтобы указывать или подразумевать, что упомянутое устройство или элемент должны иметь конкретную ориентацию и конструироваться и действовать при конкретной ориентации. Поэтому они не должны пониматься как ограничения настоящего раскрытия. Позиционные соотношения между составляющими элементами могут изменяться по мере необходимости соответственно указаниям для описания различных составляющих элементов. Поэтому соответствующие замены могут делаться в соответствии с ситуациями, не ограничиваясь формулировками, приведенными в описании.

В описании, если не определено как-либо иначе и не указано явно, термины “монтировать”, “взаимно соединять”, и “соединять” должны пониматься в широком смысле. Например, соединение может быть фиксированным соединением или разъемным соединением или интегрированным соединением. Оно может быть механическим соединением или электрическим соединением. Оно может быть прямым взаимным соединением или косвенным соединением через промежуточные средства или внутренним соединением между двумя компонентами. Специалисты в данной области техники могут понимать конкретный смысл этих терминов в настоящем раскрытии в соответствии с конкретными ситуациями.

В настоящем описании транзистор относится к компоненту, содержащему по меньшей мере три вывода, т. е., электрод затвора, электрод стока и электрод истока. Транзистор имеет область канала между электродом стока (выводом электрода стока, выводом области стока или выводом стока) и электродом истока (выводом электрода истока, выводом области истока или выводом истока) и ток может протекать через электрод стока, область канала и электрод истока. Следует заметить, что в настоящем описании область канала относится к области, через которую ток течет главным образом.

В настоящем описании первый электрод может быть электродом стока, а второй электрод может быть электродом истока. Или первый электрод может быть электродом истока, а второй электрод может быть электродом стока. В случаях использования транзисторов с противоположными полярностями, направление тока изменяется во время работы схемы и т. п., функции “электрода истока” и “электрода стока” иногда являются взаимозаменяемыми. Поэтому “электрод истока” и “электрод стока” в настоящем описании являются взаимозаменяемыми.

В настоящем описании “электрическое соединение” содержит случай, когда составляющие элементы соединяются вместе через элемент с определенным электрическим действием. Термин “элемент с определенным электрическим действием” конкретно не ограничивается, пока между соединенными составляющими элементами электрические сигналы могут посылаться и приниматься. Примерами “элемента с определенным электрическим действием” являются не только электроды и монтаж, но также и элементы коммутации, такие как транзисторы, резисторы, индуктивности, конденсаторы, другие элементы с различными функциями и т. д.

В настоящем описании “параллельно” относится к состоянию, в котором угол, образуемый двумя прямыми линиями, имеет значение выше -10° и ниже 10° и, таким образом, также содержит состояние, при котором угол выше -5° и ниже 5°. Кроме того, “перпендикулярно” относится к состоянию, в котором угол, образуемый двумя прямыми линиями, имеет значение выше 80° и ниже 100° и, таким образом, также содержит состояние, в котором угол выше 85° и ниже 95°.

В настоящем описании “пленка” и “слой” являются взаимозаменяемыми. Например, “проводящий слой” иногда может заменяться “проводящей пленкой”. Точно также, “изолирующая пленка ” может иногда заменяться “изолирующим слоем”.

Выражение “A и B расположены в одном и том же слое”, упоминаемое в настоящем описании, означает, что A и B формируются одновременно посредством одного и того же процесса копирования. Выражение “Ортогональная проекция А, включающая в себя ортогональную проекцию B” означает, что граница ортогональной проекции B находится в пределах границы ортогональной проекции A или граница ортогональной проекции А накладывается на границу ортогональной проекции B.

В настоящем раскрытии “примерно” относится к тому, что граница определяется не так строго и численные значения в рамках процесса и диапазонов погрешности измерения допускаются.

В обычном органическом светодиодном (Organic light-emitting Diode OLED) дисплее для изготовления органического светоизлучающего слоя необходим процесс испарения, который требует строгих технологических условий, и большую площадь получить трудно.

Струйная печать является наилучшим способом достигнуть недорогого производства OLED и позволить OLED конкурировать на рынке средних-высоких высоких технологий. Струйная печать является эффективным процессом. По сравнению с испарением, струйная печать имеет меньше отходов материала и очень быстрая.

При использовании струйной печати для формирования функционального светоизлучающего слоя органического светодиода, главным образом, с помощью растворителя растворяется органический материал для формирования раствора (чернил), и затем раствор (чернила) напрямую струйно распечатываются на поверхности базовой подложки, чтобы сформировать функциональный светоизлучающий слой субпикселей, таких как красный (R), зеленый (G), синий (B) и т. д. По сравнению с технологией испарения, технология струйной печати OLED имеет явные преимущества в производственном процессе по производительности и стоимости. Например, функциональный светоизлучающий слой может содержать органический светоизлучающий слой (слой светоизлучающего материала) и функциональный светоизлучающий слой может дополнительно содержать по меньшей мере один из таких слоев, как слой инжекции дырок, слой переноса дырок, слой переноса электронов, слой инжекции электронов и т. п., которые могут быть выбраны в функциональном светоизлучающем слое в соответствии с необходимостью. В процессе струйной печати может быть изготовлен по меньшей мере один пленочный слой функционального светоизлучающего слоя.

Однако в процессе струйной печати легко может происходить переполнение чернил, который будет вызывать смешивание цветов различных цветовых субпикселей и отрицательно влиять на результат отображения.

На фиг. 1 схематично представлена структура расположения пикселей панели дисплея, соответствующая варианту осуществления настоящего раскрытия. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 1, панель дисплея содержит область 101 дисплея и область 102 отсутствия отображения, расположенные вокруг области 101 дисплея. Область 101 дисплея содержит множество пиксельных блоков P, расположенных в виде матрицы на базовой подложке, и каждый пиксельный блок P содержит множество субпикселей. Например, каждый пиксельный блок P может содержать три субпикселя, расположенных рядом в первом направлении X (которое может упоминаться как направление строки), соответственно, первый субпиксель P1, излучающий свет первого цвета (например, красный свет), второй субпиксель P2, излучающий свет второго цвета (например, зеленый свет), и третий субпиксель P3, излучающий свет третьего цвета (например, синий свет). Множество пиксельных блоков P, которые располагаются последовательно в первом направлении X, и множество субпикселей, которые располагаются в одном и том же столбце во втором направлении Y (которое может упоминаться как направление столбца), могут излучать свет одинакового цвета. Первое направление X пересекает второе направление Y, например, первое направление X и второе направление Y могут быть перпендикулярны друг другу. Множество субпикселей, излучающих свет одинакового цвета, можно назвать субпикселями одинакового цвета. В других вариантах осуществления каждый пиксельный блок P может содержать субпиксели, которые излучают свет других цветов. Варианты осуществления настоящего раскрытия не ограничивают расположение пикселей панели дисплея и типы и количества субпикселей, содержащихся в каждом пиксельном блоке.

На фиг. 2A представлена структурная поперечного сечения области A-A, показанной на фиг. 1. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 2A, панель дисплея содержит слой 11 структуры управления, слой 12 светоизлучающей структуры и слой 13 структуры инкапсуляции, последовательно уложенные на базовой подложке.

Слой 11 структуры управления может содержать схему 1011 управления пикселем (транзистор, и конденсатор схематично показаны на чертеже), расположенную на базовой подложке 10, и слой 111 планаризации, обеспечиваемый на стороне схемы 1011 управления пикселем вдали от базовой подложки 10. Слой 111 планаризации снабжен первым сквозным отверстием K1 и первое сквозное отверстие K1 расположено так, что первый электрод 121, сформированный впоследствии, будет соединен со схемой 1011 управления пикселем через первое сквозное отверстие K1. Схема 1011 управления пикселем может содержать множество тонкопленочных транзисторов (T) и накопительный конденсатор (C) и может иметь конфигурацию 3T1C, 4T1C, 5T1C, 5T2C, 6T1C, 7T1C и т. д. Вариант осуществления настоящего раскрытия этим не ограничивается. Слой 11 структуры управления также содержит множество линий данных и множество линий затвора, а также другие сигнальные линии.

Слой 12 светоизлучающей структуры может содержать первый слой электродов, слой 122 определения пикселей, слой 123 светоизлучающей функции и второй слой электродов. Первый слой электродов может содержать множество первых электродов 121, обеспечиваемых на слое 11 структуры управления, первый электрод 121 соединяется со схемой управления пикселем через первое сквозное отверстие K1, обеспечиваемое в слое 111 планаризации, и второй слой электродов содержит второй электрод 124. Например, схема 1011 управления пикселем может содержать соединительный электрод, выполненный с возможностью соединения с первым электродом 121, первое сквозное отверстие, K1, обеспечиваемое в слое 111 планаризации, открывает соединительный электрод и первый электрод 121 обеспечивается на поверхности слоя 111 планаризации, удаленной от базовой подложки 10, и соединяется с соединительным электродом через первое сквозное отверстие K1. Первый электрод 121 частично формируется на круговой боковой стенке первого сквозного отверстия K1 и участок первого электрода 121, расположенный на круговой боковой стене первого сквозного отверстия K1, может утолщаться на конце первого сквозного отверстия вблизи базовой подложки 10.

Слой 122 определения пикселей обеспечивается на стороне множества первых электродов 121, дальней от базовой подложки 10, и снабжен множеством пиксельных отверстий 203, причем каждое из пиксельных отверстий 203 открывает доступ к поверхности соответствующего первого электрода 121, дальней от базовой подложки 10. Светоизлучающий функциональный слой 123 может быть расположен внутри пиксельного отверстия 203, светоизлучающий функциональный слой 123 может содержать органический светоизлучающий слой (т. е., слой светоизлучающего материала) и светоизлучающий функциональный слой 123 может содержать любой один или более таких слоев, как пленочные слои слоя инжекции дырок, слой переноса дырок, слой переноса электронов и слой инжекции электронов. По меньшей мере один пленочный слой (например, слой инжекции дырок, слой переноса дырок и органический светоизлучающий слой) светоизлучающего функционального слоя 123 может быть изготовлен, используя процесс струйной печати. Второй слой 124 электродов обеспечивается на стороне светоизлучающего функционального слоя 123, обращенной от базовой подложки 10. Первый электрод 121, светоизлучающий функциональный слой 123 и второй слой 124 электродов укладываются последовательно для формирования светоизлучающего устройства и светоизлучающее устройство может быть устройством OLED. Каждый субпиксель содержит светоизлучающее устройство и схему 1011 управления пикселем, соединенную со светоизлучающим устройством, и светоизлучающее устройство излучает свет, управляясь схемой 1011 управления пикселем. В некоторых примерных вариантах осуществления первый электрод 121 может быть анодом светоизлучающего устройства, а второй электрод 124 может быть катодом светоизлучающего устройства. Светоизлучающее устройство может быть верхним излучающим устройством.

Слой 13 структуры инкапсуляции может содержать множество уложенных слоев неорганического материала или может содержать первый слой неорганического материала, слой органического материала и второй слой неорганического материала, уложенные последовательно в направлении, обращенном от базовой подложки 10. Материалы первого слоя неорганического материала и второго слоя неорганического материала могут содержать любой один или более из следующих материалов: нитрид кремния, окись кремния и оксинитрид кремния. Материал слоя органического материала может быть пластиком.

На фиг. 2B схематично представлен вид в плане слоя цветовых фильтров и цветового резистивного слоя области отображения панели дисплея, соответствующий варианту осуществления настоящего раскрытия. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 2А и 2B, панель дисплея может дополнительно содержать слой 15 цветовых фильтров и цветовой резистивный слой 16, расположенные на стороне слоя 13 структуры инкапсуляции, обращенной в направлении от базовой подложки 10.

Слой 15 цветовых фильтров содержит множество фильтровых блоков 151, способных пропускать свет установленного цвета, таких как, блок красных фильтров, пропускающий красный свет, блок зеленых фильтров, пропускающий зеленый свет, и блок синих фильтров, пропускающий синий свет. Свет, излучаемый каждым светоизлучающим устройством, проходит через один из соответствующих блоков 151 фильтров и затем излучается свет соответствующего цвета.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 2B, цветовой резистивный слой 16 может иметь форму сетки и имеет множество отверстий в цветовом резистивном слое и каждый блок 151 фильтров может быть расположен внутри соответствующего одного из отверстий цветового резистивного слоя.

В некоторых примерных вариантах осуществления цветовой резистивный слой 16 может содержать множество первых цветовых резистивных участков 161, расположенных вдоль первого направления X, причем множество первых цветовых резистивных участков 161 последовательно располагаются во втором направлении Y, цветовой резистивный слой 16 дополнительно содержит множество групп вторых цветовых резистивных участков 162, каждая группа вторых цветовых резистивных участков 162 содержит множество вторых цветовых резистивных участков 162, расположенных между двумя смежными первыми цветовыми резистивными участками 161 и расположенных с промежутками вдоль первого направления X, и каждый второй цветовой резистивный участок 162 располагается вдоль второго направления Y. Второй цветовой резистивный участок 162 может быть образован перекрывающимся участком двух смежных фильтровых блоков 151, чтобы пропускать свет различных цветов в первом направлении X; или второй цветовой резистивный участок 162 может быть образован без помощи фильтровых блоков 151 и материал второго цветового резистивного участка 162 может содержать металлический хром (Cr), окись хрома (CrOx), черный пластик и т. п. Материал первого цветового резистивного участка 161 может содержать металлический хром (Cr), окись хрома (CrOx), черный пластик и т. п. Материал первого цветового резистивного участка 161 и материал второго цветового резистивного участка 162 могут быть одинаковыми или разными.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 2B, ортогональная проекция первого цветового резистивного участка 161 на базовую подложку 101 может содержать в себе ортогональную проекцию первого сквозного отверстия K1 слоя планаризации на базовую подложку 10; или ортогональная проекция первого цветового резистивного участка 161 на базовую подложку 10 частично перекрывает ортогональную проекцию первого сквозного отверстия K1 на базовую подложку 10.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 2B, ортогональная проекция второго цветового резистивного участка 162 на базовую подложку 10 не перекрывает ортогональную проекцию первого сквозного отверстия K1 на базовую подложку 10.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 2C, первый слой электродов содержит первую подобласть 121_1 и вторую подобласть 121_2, вторая подобласть 121_2 имеет, по меньшей мере, участок первого электрода 121 и средняя толщина, по меньшей мере, участка первых электродов 121 в направлении, перпендикулярном базовой подложке, больше, чем средняя толщина первого электрода 121 первой подобласти 121_1 в направлении, перпендикулярном базовой подложке.

В некоторых примерных вариантах осуществления вторая подобласть 121_2 расположена на круговой боковой стенке первого сквозного отверстия K1 и покрывает поверхность круговой боковой стенки первого сквозного отверстия K1 вблизи одного конца базовой подложки.

В некоторых примерных вариантах осуществления вторая подобласть 121_2 имеет кольцевую структуру и отношение ширины r2 ортогональной проекции первого электрода 121 второй подобласти 121_2 на базовую подложку в первом направлении к ширине d1 ортогональной проекции первого электрода 121 на базовую подложку в первом направлении находится в пределах между 1/4 и 1/2.

В некоторых примерных вариантах осуществления ширина r2 ортогональной проекции первого электрода 121 второй подобласти 121_2 на базовую подложку в первом направлении находится в пределах между 1 мкм и 2 мкм.

Структура первого электрода, разработанная согласно варианту осуществления настоящего раскрытия, может снизить риск разъединения между первым электродом и схемой управления пикселем. Площадь контакта между первым электродом и схемой управления пикселем увеличена и контактное сопротивление между первым электродом и схемой управления пикселем уменьшено.

На фиг. 3A схематично представлен вид в плане слоя определения пикселей области отображения панели дисплея, соответствующий варианту осуществления настоящего раскрытия. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 3A, слой 122 определения пикселей может содержать множество первых участков 201 дамбы, расположенных в первом направлении X, и множестве вторых участков 202 дамбы, расположенных во втором направлении Y, причем множество первых участков 201 дамбы и множество вторых участков 202 дамбы пересекаются друг с другом и образуют множество пиксельных отверстий 203. Толщина второго участка 202 дамбы в третьем направлении может быть больше, чем толщина первого участка 201 дамбы в третьем направлении и третье направление может быть направлением, перпендикулярным панели дисплея. Поскольку субпиксели в одном и том же столбце во втором направлении Y являются субпикселями одинакового цвета, субпиксели смежных столбцов являются субпикселями разных цветов. Поэтому, как показано на фиг. 3B, когда органический светоизлучающий слой 123 функционального светоизлучающего слоя 123 формируется посредством струйной печати, чернила светоизлучающего слоя могут затекать между пиксельными отверстиями 203 одного и того же столбца субпикселей и второй участок 202 дамбы может блокировать чернила светоизлучающего слоя одного и того же столбца субпикселей от попадания на смежный столбец субпикселей, где ссылочные номера 51, 52 и 53 представляют чернила светоизлучающего слоя первого субпикселя, чернила светоизлучающего слоя второго субпикселя и чернила светоизлучающего слоя третьего субпикселя, соответственно.

В некоторых примерных вариантах осуществления пиксель слой 122 определения пикселей может содержать множество вторых участков 202 дамбы, расположенных во втором направлении Y, множество вторых участков 202 дамбы последовательно располагаются в первом направлении X, слой 122 определения пикселей может дополнительно содержать множество групп первых участков 201 дамбы, каждая группа первых участков 201 дамбы содержит множество первых участков 201 дамбы, расположенных между двумя смежными вторыми участками 202 дамбы и расположенных с промежутками вдоль второго направления Y, и каждый первый участок 201 дамбы проходит вдоль первого направления X; множество вторых участков 202 дамбы и множество групп первых участков 201 дамбы формируют множество пиксельных отверстий 203. В этом варианте осуществления первый участок 201 дамбы и второй участок 202 дамбы не накладываются друг на друга.

В некоторых примерных вариантах осуществления расстояние между поверхностью стороны первого участка 201 дамбы, дальней от базовой подложки 10, и поверхностью стороны слоя планаризации, дальней от базовой подложки 10, меньше, чем расстояние между поверхностью стороны второго участка 202 дамбы, дальней от базовой подложки 10, и поверхностью стороны слоя планаризации, дальней от базовой подложки 10.

В некоторых примерных вариантах осуществления второй участок 202 дамбы содержит первую поверхность стороны, дальнюю от базовой подложки 10, и вторую поверхность стороны, ближнюю к базовой подложке 10. Первый участок 201 дамбы содержит третью поверхность стороны, дальнюю от базовой подложки, и четвертую поверхность стороны, ближнюю к базовой подложке, и расстояние между первой поверхностью и второй поверхностью (т. е., толщина второго участка 202 дамбы в третьем направлении) больше, чем расстояние между третьей поверхностью и четвертой поверхностью (т. е., максимальная толщина первого участка 201 дамбы в третьем направлении).

В некоторых примерных вариантах осуществления толщина первого участка 201 дамбы в третьем направлении может быть в пределах между 0 нм и 300 нм.

На фиг. 3C схематично представлен вид в плане слоя определения пикселей и функционального светоизлучающего слоя области отображения панели дисплея в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия. В некоторых примерных реализациях, как показано на фиг. 3C, ортогональная проекция первого участка 201 дамбы на базовую подложку 10 может содержать ортогональную проекцию первого сквозного отверстия K1 слоя планаризации на базовую подложку 10; или ортогональная проекция первого участка 291 дамбы на базовую подложку 10 частично перекрывает ортогональную проекцию первого сквозного отверстия K1 на базовую подложку 10.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 3C, ортогональная проекция второго участка 202 дамбы на базовую подложку 10 не перекрывает ортогональную проекцию первого сквозного отверстия K1 на базовую подложку 10.

В некоторых примерных вариантах осуществления толщина второго участка 202 дамбы в третьем направлении может быть в пределах между 0,8 мкм и 1,2 мкм и, например, толщина второго участка 202 дамбы в третьем направлении может быть равна 1мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления ширина второго участка 202 дамбы в первом направлении X может быть в пределах между 12 мкм и 18 мкм. Ширина второго участка 202 дамбы в первом направлении X может быть приблизительно 15 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления материал первого участка 201 дамбы и второго участка 202 дамбы может содержать по меньшей мере один из таких материалов, как нитрид кремния, окись кремния и оксинитрид кремния, материал первого участка 201 дамбы может дополнительно содержать лиофильный материал, а материал второго участка 202 дамбы может дополнительно содержать лиофобный материал.

В некоторых примерных вариантах осуществления, в процессе формирования слоя 122 определения пикселей, сначала может быть сформирована тонкая пленка определения пикселей и затем первый участок 201 дамбы и второй участок 202 дамбы с различными толщинами могут быть окончательно сформированы посредством процессов покрытия фоторезистом, экспонируемого с помощью полутональной маски, проявления, травления и других процессов. Альтернативно, первый участок 201 дамбы может быть сформирован сначала, а затем может быть сформирован второй участок 202 дамбы.

На фиг. 4 показан вид в частичном сечении панели дисплея, соответствующей примерному варианту осуществления настоящего раскрытия. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 4, второй участок 202 дамбы может содержать первую боковую поверхность 2021, обращенную в направлении пиксельного отверстия 203, и первую поверхность 2022, обращенную в направлении от базовой подложки 10. Первая боковая поверхность 2021 второго участка 202 дамбы содержит первую функциональную область 21 и вторую функциональную область 22, последовательно расположенные в направлении удаления от базовой подложки 10, вторая функциональная область 22 содержит первую подобласть 221 и вторую подобласть 222, первая подобласть 221 соединяется с первой функциональной областью 21 и второй подобластью 222, и вторая подобласть 222 соединяется с первой подобластью 221 и первой поверхностью 2022 второго участка 202 дамбы; край первой функциональной области 21, дальний от второй функциональной области 22, может быть расположен на поверхности первого электрода 121, обращенной в направлении от базовой подложки 10. Область ортогональной проекции участка первого электрода 121, представленного пиксельным отверстием 203, на базовую подложку 10 рассматривается в качестве эффективной светоизлучающей области 31 панели дисплея; область ортогональной проекции первой функциональной области 21 на базовую подложку 10 используется в качестве области 32 рассеянного света панели дисплея, и область 32 рассеянного света обеспечивается таким образом, чтобы иметь возможность излучения рассеянного света; область ортогональной проекции второй функциональной области 22 на базовую подложку 10 используется в качестве области 33 фотоингибирования панели дисплея и область 33 фотоингибирования устанавливается так, чтобы не излучать свет.

На фиг. 5 схематично представлен частичный линейный контур второго участка 202 дамбы слоя 122 определения пикселей, показанного на фиг. 4. В некоторых примерных вариантах осуществления первая функциональная область 21, первая подобласть 221 и вторая подобласть 222 все могут быть наклонными поверхностями. В варианте осуществления настоящего раскрытия, когда линейный контур поперечного сечения определенной области является примерно прямой линией вместо явной дуги, область может приблизительно рассматриваться как наклонная поверхность. Угол β наклона первой подобласти 221 больше, чем угол α наклона второй подобласти 222, угол α наклона второй подобласти 222 больше, чем угол γ наклона первой функциональной области 21, где угол α наклона второй подобласти 222 является острым углом между второй подобластью 222 и плоской параллелью к базовой подложки 10, угол наклона β первой подобласти 221 является острым углом между первой подобластью 221 и плоскостью, параллельной базовой подложке 10, а угол γ наклона первой функциональной области 21 является острым углом между первой функциональной областью 21 и плоскостью, параллельной базовой подложке 10.

В некоторых примерных вариантах осуществления угол β наклона первой подобласти 221 имеет значение в пределах между 50° и 60°.

В некоторых примерных вариантах осуществления угол α наклона второй подобласти 222 имеет значение в пределах между 30° и 40°.

В некотором примерном варианте осуществления угол γ наклона первой функциональной области 21 имеет значение в пределах между 10° и 20°.

В варианте осуществления настоящего раскрытия вторая функциональная область 22 второго участка 202 дамбы выполнена с возможностью присутствия в ней первой подобласти 221 и второй подобласти 222, имеющих различные градиенты наклона в направлении удаления от базовой подложки 10, и угол β наклона первой подобласти 221 больше, чем угол α наклона второй подобласти 222, то есть, вторая подобласть 222 с меньшим углом наклона обеспечивается между первой подобластью 221 с большим углом наклона и первой поверхностью 2022 второго участка 202 дамбы для выполнения перехода. Таким образом, возможно избежать прямого соединения первой подобласти 221 с первой поверхностью 2022 второго участка 202 дамбы и сформировать острую топографию в месте соединения первой боковой поверхности 2021 и первой поверхности 2022 второго участка 202 дамбы (что не способствует устойчивости поверхностной топографии второго участка 202 дамбы и должно легко вызывать проблему пилинга между пленочным слоем, сформированным на поверхности второго участка 202 дамбы, и вторым участком 202 дамбы). Это упрощает стабилизацию поверхностной морфологии второго участка 202 дамбы 202, проблема пилинга между пленочным слоем, сформированным на поверхности второго участка 202 дамбы, и вторым участком 202 дамбы предотвращается и обеспечивается, что побочный путь распространения света в области рассеянного света в панели дисплея, будет минимальным. Кроме того, вторая функциональная область 22 может все еще эффективно блокировать перелив чернил, когда пленочный слой в функциональном светоизлучающем слое 123 формируется струйной печатью.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 4 и 5, линия пересечения между первой подобластью 221 и второй подобластью 222 используется в качестве первой линии пересечения, линия пересечения между первой подобластью 221 и первой функциональной областью 21 используется в качестве второй линии пересечения, линия пересечения между второй подобластью 222 и первой поверхностью 2022 второго участка 202 дамбы используется в качестве третьей линии пересечения и линия пересечения между первой функциональной областью 21 и поверхностью первого электрода 121, обращенной в направлении от базовой подложки 10, используется в качестве четвертой линии пересечения (т. е., края первой функциональной области 21, дальнего от второй функциональной области 22). Плоскость, параллельная первому направлению X и перпендикулярная базовой подложке 10, используется в качестве опорной поверхности, точка пересечения первой линии пересечения и опорной поверхности является первой точкой a1 пересечения, точка пересечения второй линии пересечения и опорной поверхности является второй точкой а2 пересечения, точка пересечения третьей линии пересечения и опорной поверхности является третьей точкой а3 пересечения и точка пересечения четвертой линии пересечения и опорной поверхности является четвертой точкой а4 пересечения. Линия пересечения между первой функциональной областью 21 и опорной поверхностью может быть приблизительно прямой линией, соединяющей вторую точку а2 пересечения и четвертую точку пересечения a4, линия пересечения между первой подобластью 221 и опорной поверхностью может быть приблизительно прямой линией, соединяющей первую точку a1 пересечения и вторую точку а2 пересечения, и линия пересечения между второй подобластью 222 и опорной поверхностью может быть приблизительно прямой линией, соединяющей первую точку a1 пересечения и третью точку а3 пересечения.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 5, на опорной поверхности прямая линия, проходящая через вторую точку а2 пересечения и третью точку а3 пересечения, проводится как первая опорная линия m1, прямая линия, проходящая через вторую точку а2 пересечения и параллельно базовой подложки 10, проводится как вторая опорная линия m2, и прямая линия, проходящая через третью точку а3 пересечения и перпендикулярная к базовой подложке 10, проводится как третья опорная линия m3. Пересечение второй опорной линии m2 и третьей опорной линии m3 является опорной точкой P, острый угол между первой опорной линией m1 и второй опорной линией m2 равен θ и расстояние от первой точки а1 пересечения до первой опорной линии m1 (т. е., длина линейного сегмента между точкой a1’ и первой точкой пересечения a1, полученная путем проведения перпендикулярной линии от первой точки а1 пересечения до первой опорной линии m1) равно d.

В некоторых примерных вариантах осуществления острый угол θ между первой опорной линией m1 и второй опорной линией m2 имеет значение в пределах между 38° и 42°. Таким образом пленочная структура панели дисплея стабильна и боковой путь распространения света в области рассеянного света в панели дисплея минимизирован.

В некоторых примерных вариантах осуществления расстояние d от первой точки а1 пересечения до первой опорной линии m1 удовлетворяет следующему условию:

0 < d ≤ D < AB/S, 0 < D < Δ/2-HL/S;

где A - длина прямой линии, соединяющей первую точку а1 пересечения и третью точку а3 пересечения;

B - длина прямой линии, соединяющей первую точку а1 пересечения и вторую точку а2 пересечения;

S - длина прямой линии, соединяющей вторую точку а2 пересечения и третью точку а3 пересечения;

H - длина прямой линии, соединяющей третью точку а3 пересечения и опорную точку P;

L - длина прямой линии, соединяющей вторую точку а2 пересечения и опорную точку P;

Δ - ширина первой боковой поверхности 2021 второго участка 202 дамбы в первом направлении X.

В варианте осуществления настоящего раскрытия расстояние d от первой точки а1 пересечения до первой опорной линии m1 удовлетворяет вышеупомянутому соотношению, то есть, положение первой линии пересечения между первой подобластью 221 и второй подобластью 222 во второй функциональной области 22 соответственно ограничивается, таким образом, поверхностная морфология второй функциональной области 22 может быть стабилизирована (т. е., механическая структурная устойчивость может быть обеспечена), проблема пилинга между пленочным слоем, сформированным на поверхности второго участка 202 дамбы и второй функциональной областью 22, может быть предотвращена и вторая функциональная область 22 может эффективно блокировать перелив чернил.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 5, на опорной поверхности прямая линия, проходящая через третью точку а3 пересечения и перпендикулярно к базовой подложке 10, проводится как третья опорная линия m3, перпендикулярная линия проводится через четвертую точку а4 пересечения к третьей опорной линии m3 с помощью опорной точки O, и перпендикулярная линия проводится через первую точку а1 пересечения к третьей опорной линии m3 с помощью опорной точки Q. Длина линейного сегмента между опорной точкой O и опорной точкой Q равна h1 и длина линейного сегмента между вертикальной опорной точкой O и третьей точкой а3 пересечения равна h3, тогда отношение h1 к h3 может быть в пределах между 0,494 и 0,742. Например, отношение h1 к h3 может быть равно 0,618, т. е., отношение h1 к h3 удовлетворяет отношению золотого сечения.

В варианте осуществления настоящего раскрытия отношение h1 к h3 устанавливается в пределах от 0,494 до 0,742, то есть, положение первой линии пересечения между первой подобластью 221 и второй подобластью 222 во второй функциональной области 22 соответственно ограничивается. Таким образом, поверхностная морфология второй функциональной области 22 может быть стабилизирована (т. е., механическая структурная устойчивость может быть обеспечена), проблема пилинга между пленочным слоем, сформированным на поверхности второго участка 202 дамбы, и второй функциональной областью 22 может быть предотвращена, и гарантируется, что вторая функциональная область 22 может эффективно заблокировать перелив чернил. Когда отношение h1 к h3 равно 0,618, что равно (-1)/2, отношение h1 к h3 удовлетворяет отношение золотого сечения и механическая структура является наиболее стабильной.

На фиг. 6 схематично представлено позиционное соотношение между цветовым резистивным слоем 16 и органическим светоизлучающим слоем 32 в области рассеянного света панели дисплея в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия. На фиг. 6 показан только органический светоизлучающий слой области 32 рассеянного света 32. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 4 и 6, принимая любой субпиксель в качестве опорного субпикселя, плоскость, параллельная первому направлению X и перпендикулярная базовой подложке 10, используется в качестве опорной поверхности, органический светоизлучающий слой имеет первый участок сопряжения на границе между областью 32 рассеянного света и эффективной светоизлучающей областью 31 опорного субпикселя, органический светоизлучающий слой имеет второй участок сопряжения на границе между областью 32 рассеянного света и областью 33 фотоингибирования опорного субпикселя, средняя точка линии пересечения между первым участком сопряжения и опорной поверхностью в направлении, перпендикулярном базовой подложке 10, является точкой E1, и средняя точка линии пересечения между вторым участком сопряжения и опорной поверхностью в направлении, перпендикулярном базовой подложке 10, является точкой E2. Поверхность второго цветового резистивного участка 162, обращенная в направлении опорной подложки 10, имеют первый край и второй край в первом направлении X, первый край находится ближе к центру эффективной светоизлучающей области 31 опорного субпикселя, чем второй край, точкой пересечения первого края и опорной поверхности является точка B1, и точкой пересечения второго края и опорной поверхности является точка B2. На опорной поверхности острый угол между прямой линией, проходящей через точку B2 пересечения и точку Е1 пересечения, и плоскостью, параллельной базовой подложке 10, используется в качестве первого угла и острый угол между прямой линией, проходящей через точку B2 пересечения и точку E2 пересечения, и плоскостью, параллельной базовой подложке 10, используется в качестве второго угла. Первый угол может быть равен углу α наклона второй подобласти 222 и второй угол может быть равен углу β наклона первой подобласти 221.

В некоторых примерных вариантах осуществления угол β наклона первой подобласти 221 и угол α наклона второй подобласти 222 могут удовлетворить следующим соотношениям: β < arctg (n*×HW / (LBM-L3)); α < arctg (n* × HW/LBM) или второй цветовой резистивный участок 162 может удовлетворить следующим соотношениям: LBM <(n*×HW + L3×tg β)/tg β; LBM < n* × HW × cotg α.

Здесь, n* - эквивалентный показатель преломления пленки, 1 < n* <2;

HW - расстояние от центрального местоположения органического светоизлучающего слоя области 32 рассеянного света в третьем направлении Z до второго цветового резистивного участка 162 в направлении, перпендикулярном базовой подложке 10;

LBM - ширина второй цветовой резистивной части 162 в первом направлении X;

L3 - ширина области 32 рассеянного света в первом направлении X.

В варианте осуществления настоящего раскрытия угол β наклона первой подобласти 221 и угол α наклона второй подобласти 222 удовлетворяют вышеупомянутым соотношениям или вторая секция 162 блокировки цвета удовлетворяет вышеупомянутым соотношениям, так чтобы рассеянный свет, излучаемый органическим светоизлучающим слоем, расположенным в области 32 рассеянного света, мог быть поглощен второй функциональной областью 22 и второй секцией 162 блокировки цвета, тем самым уменьшая эмиссию рассеянного света, улучшая качество излучения света панели дисплея и уменьшая явление смещения цветов.

На фиг. 7A схематично показан частичный линейный контур первого рода второго участка 202 дамбы слоя 122 определения пикселей в других примерных вариантах осуществления, на фиг. 7B схематично показан частичный линейный контур второго рода второго участка 202 дамбы слоя 122 определения пикселей в других примерных вариантах осуществления, на фиг. 7С схематично показан частичный линейный контур третьего рода второго участка 202 дамбы слоя 122 определения пикселей в других примерных вариантах осуществления. В других примерах этих вариантов осуществления, как показано на фиг. 7A, 7B и 7C, формы первой функциональной области 21 и первой подобласти 221 и второй подобласти 222 второй функциональной области 22 обе могут быть изогнутыми поверхностями. Первая функциональная область 21 может иметь форму дуги, вогнутой в направлении второго участка 202 дамбы, где расположена первая функциональная область 21. Первая подобласть 221 может иметь форму дуги, вогнутой в направлении второго участка 202 дамбы, где расположена первая подобласть 221. Вторая подобласть 222 может иметь форму дуги, выступающей из второго участка 202 дамбы, где расположена вторая подобласть 222. Радиусом кривизны первой подобласти 221 является Rb и радиусом кривизны второй подобласти 222 является Rа и может быть установлено Rа ≤ Rb или Ra ≥ Rb.

Математически, изогнутая поверхность может рассматриваться как траектория, сформированная непрерывным движением движущейся линии (прямой линии или кривой) в пространстве. Термин "изогнутая поверхность", как он используется здесь, содержит отклонения от идеальной изогнутой поверхности из-за ошибок производственного процесса. А именно, "изогнутая поверхность", описанная в данной заявке, содержит не только непрерывную пленочную поверхность, изготовленную одноэтапным процессом, но также выпуклую или вогнутую структуру пленочной поверхности, вызванную морфологической наследственностью. Дополнительно, "изогнутая поверхность", описанная в данной заявке, может также содержать локально сложную пленочную структуру, сформированную процессом полуэкспозиции или многократным выполнением одного и того же процесса, и ее поверхность не демонстрирует излом или явное разрушение.

В некоторых примерных вариантах осуществления, линия пересечения между первой подобластью 221 и второй подобластью 222 используется в качестве первой линии пересечения, линия пересечения между первой подобластью 221 и первой функциональной областью 21 используется в качестве второй линии пересечения, линия пересечения между второй подобластью 222 и первой поверхностью 2022 второго участка 202 дамбы используется в качестве третьей линии пересечения и линия пересечения между первой функциональной областью 21 и поверхностью первого электрода 121, обращенная в направлении от базовой подложки 10, используется в качестве четвертой линии пересечения (т. е., край первой функциональной области 21, дальний от второй функциональной области 22). Плоскость, параллельная первому направлению X и перпендикулярная базовой подложке 10, используется в качестве опорной поверхности, точка пересечения первой линии пересечения и опорной поверхности является первой точкой а1 пересечения, точка пересечения второй линии пересечения и опорной поверхности является второй точкой а2 пересечения, точка пересечения третьей линии пересечения и опорной поверхности является третьей точкой а3 пересечения и точка пересечения четвертой линии пересечения и опорной поверхности является четвертой точкой а4 пересечения. Линия пересечения первой функциональной области 21 и опорной поверхности может быть приблизительно кривой, соединяющей вторую точку а2 пересечения и четвертую точку а4 пересечения. Линия пересечения первой подобласти 221 и опорной поверхности может быть приблизительно первой дугой, соединяющей первую точку а1 пересечения и вторую точку а2 пересечения, а линия пересечения второй подобласти 222 и опорной поверхности может быть приблизительно второй дугой, соединяющей первую точку а1 пересечения и третью точку а3 пересечения.

На опорной поверхности прямая линия, проходящая через вторую точку а2 пересечения и третью точку а3 пересечения, проводится как первая опорная линия m1. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7A, радиус Rb кривизны первой подобласти 221 может быть равен радиусу кривизны Rа второй подобласти 222 и первая точка а1 пересечения может быть расположена на первой опорной линии m1, с первой линией дуги и второй линией дуги, соответственно расположенными с обеих сторон первой опорной линии m1. В других примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7B, радиус Rb кривизны первой подобласти 221 может быть меньше, чем радиус Rа кривизны второй подобласти 222, и первая точка а1 пересечения может быть расположена на стороне первой опорной линии m1, дальней от базовой подложки 10. Во еще других примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7C, радиус Rb кривизны первой подобласти 221 может быть больше, чем радиус Rа кривизны второй подобласти 222 и первая точка а1 пересечения может быть расположена на стороне первой опорной линии m1, ближней к базовой подложке 10.

На фиг. 7D показано, когда формы первой функциональной области 21 и первой подобласти 221 и второй подобласти 222 второй функциональной области 22 все являются изогнутыми кривыми поверхностями. Угол α наклона второй подобласти 222 определяется как острый угол между прямой линией, соединяющей первую точку a1 пересечения и третью точку a3 пересечения, и плоскостью, параллельной базовой подложке 10. Угол β наклона первой подобласти 221 определяется как острый угол между прямой линией, соединяющей первую точку a1 пересечения и вторую точку a2 пересечения, и плоскостью, параллельной базовой подложке 10, и угол γ наклона первой функциональной области 21 определяется как острый угол между прямой линией, соединяющей вторую точку а2 пересечения и четвертую точку а4 пересечения, и плоскостью, параллельной базовой подложке 10. На фиг. 7D показано, что первая точка а1 пересечения расположена на стороне первой опорной линии m1, дальней от базовой подложки 10. Однако, когда первая точка а1 пересечения расположена на стороне первой опорной линии m1, ближней к базовой подложке 10, или в случае, когда первая точка а1 пересечения расположена на первой опорной линии m1, определения угла α наклона второй подобласти 222, угла β наклона первой подобласти 221 и угла γ наклона первой функциональной области 21 одинаково применимы.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, радиус Rb кривизны первой подобласти 221 и радиус Ra кривизны второй подобласти 222 могут удовлетворять следующему соотношению: 0 ≤ |1/Ra-1/Rb| / |cosα-cosβ | < G/σ = K;

где G - постоянная, связанная с гравитацией материала.

σ – постоянная поверхностного натяжения чернил.

K - технические стандартные параметры при конкретных условиях.

В этом варианте осуществления берется элемент площади, покрывающий ближайшего соседа смежных точек первой поверхности подобласти и второй поверхности подобласти, и анализ сил выполняется на этих двух изогнутых поверхностях, соответственно, чтобы получить:

p1 - p2 = σ* (1/Ra - 1/R), p1' - p2 = σ* (1/Rb - 1/R),

где Ra и Rb являются радиусами кривизны элемента площади в контактной точке двух изогнутых поверхностей, соответственно, p - давление, принимаемое каплей, и p1 - p2 и p1' - p2 - перепады давлений, принимаемые элементом площади на двух изогнутых поверхностях, соответственно.

В результате может быть получено p1 - p1' = σ* |1/Ra - 1/Rb |.

Посредством конструкции локальной кривизны, для достижения лучших механических характеристик, так чтобы капли полностью и непрерывно попадали в интервал высокой банки (то есть, между смежными вторыми участками дамбы), мы используем в конструкции компонент силы тяжести, который должен отвечать следующим требованиям:

p1 - p1' = σ* |1/Ra - 1/Rb | < G* | cos α - cos β |

0 ≤ |1/Ra - 1/Rb | / |cos α - cos β | < G/σ = K;

где G - значение, связанным с силой тяжести капелек чернил, σ – постоянная поверхностного натяжения капель чернил, K - фактический параметр, выбранным изделием из учетной записи при достижении лучших технических результатов, и здесь желательно выбирать 1,03 < K < 4,54. Когда значение К близко к верхнему пределу, вторая подобласть может полностью использоваться для блокирования перелива капель чернил и эффект блокирования хороший. Когда значение K близко к нижнему пределу, совместную площадь этих двух подобластей трудно повредить и структура более стабильна.

В варианте осуществления настоящего раскрытия радиус кривизны первой подобласти 221 и второй подобласти 222 удовлетворяет вышеупомянутым соотношениям, которые предпочтительны для сохранения формы первой боковой поверхности 2021 второго участка 202 дамбы, стабильных по структуре. Кроме того, когда пленочный слой в функциональном светоизлучающем слое 123 формируется струйной печатью, вторая функциональная область 22 может продолжать эффективно блокировать перелив чернил.

В некоторых примерных вариантах осуществления радиус Rb кривизны первой подобласти 221 может иметь значение между 2,10 микрон и 3,14 микрон, такое как 2,62 микрон. Радиус Ra кривизны второй подобласти 222 может иметь значение между 1,14 микрон и 1,71 микрон, такое как 1,43 микрон.

В некоторых примерных вариантах осуществления линия пересечения второй функциональной области 22 с опорной поверхностью может служить кривой подгонки второй функциональной области 22 (т. е., кривой, сформированной первой дугой, а вторую дугу можно считать S-образной кривой). Как показано на фиг. 7D, вторая функциональная область 22 является непрерывно изменяющейся кривой внутри опорной поверхности.

Как вариант, когда установлена плоская система прямоугольных координат, начало координат является ортогональной проекцией геометрического центра поверхности первого электрода 121, представленного пиксельным отверстием 203, на опорную поверхность, первое направление X является направлением оси X и третье направление Z (т. е., направление, перпендикулярное базовой подложке 10) является направлением оси Z. Затем вторая функциональная область 22 формируется в кривую, представленную следующими направлениями процесса с половинной экспозицией:

Z = (Z2 - Z1) ×arctg (X - X0)/a×Π + (Z2 + Z1)/2;

где а – конструктивный параметр, который удовлетворяет условию, что первая функциональная область 21 и вторая функциональная область 22 могут непрерывно изменяться, вторая функциональная область 22 и первая поверхность 2022 второго участка 202 дамбы (плоский участок второго участка 202 дамбы), которые обращены в направлении от базовой подложки 10, могут непрерывно изменяться;

Π – равно π, которое может быть равно 3,14;

Z1 - толщина первой функциональной области 21 в направления, перпендикулярном базовой подложке 10;

Z2 - высота первой боковой поверхности 2021 второго участка 202 дамбы в направлении, перпендикулярном базовой подложке 10;

X0 - расстояние между центром второй функциональной области 22 и началом координат.

В некоторых примерных вариантах осуществления линия пересечения первой функциональной области 21 с опорной поверхностью может служить в качестве кривой подгонки первой функциональной области 21. Как показано на фиг. 7D, первая функциональная область 21 является непрерывно изменяющейся кривой в пределах опорной поверхности.

Как вариант, когда установлена плоская система прямоугольных координат, начало координат является ортогональной проекцией геометрического центра поверхности первого электрода 121, представленного пиксельным отверстием 203, на опорную поверхность, первое направление X является направлением оси X и третье направление Z (т. е., направление, перпендикулярное базовой подложке 10) является направлением оси Z. Затем первая функциональная область 21 формируется в кривую, представленную следующими направлениями процесса половинной экспозиции:

Z = (1/a) ^ (X ± X0+L/2) +Z1-1;

где а – конструктивный параметр, который удовлетворяет условию, что первая функциональная область 21 и вторая функциональная область 22 могут непрерывно изменяться, вторая функциональная область 22 и первая функциональная область 21 и первый слой электродов могут непрерывно изменяться;

Z1 - толщина первой функциональной области 21 в направления, перпендикулярном базовой подложке 10;

L – ширина второй функциональной области 22 в первом направлении Х;

X0 - расстояние между центром второй функциональной области 22 и началом координат.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, ширина D1 пиксельного отверстия 203 в первом направлении X имеет значение между 29,2 мкм и 30 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, ширина D2 эффективной светоизлучающей области 31 в первом направлении X имеет значение между 26,7 мкм и 27,5 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, ширина L второй функциональной области 22 в первом направлении X имеет значение между 0,95 мкм и 1,05 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, ширина L1 второй подобласти 222 в первом направлении X имеет значение между 0,52 мкм и 0,57 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, ширина L2 первой подобласти 221 в первом направлении X имеет значение между 0,43 мкм и 0,48 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, ширина L3 первой функциональной области 21 в первом направлении X имеет значение между 0,76 мкм и 0,81 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, расстояние X0 между центром второй функциональной области 22 второго участка 202 дамбы и началом координат имеет значение между 10,5 мкм и 10,9 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, толщина Z2 второго участка 202 дамбы в направлении, перпендикулярном базовой подложке 10, имеет значение между 0,83 мкм и 1мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, толщина Z1 первой функциональной области 21 в направлении, перпендикулярном базовой подложке 10, имеет значение между 0,14 мкм и 0,19 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, толщина Z второй функциональной области 22 в направлении, перпендикулярном базовой подложке 10, имеет значение между 0,71 мкм и 0,81 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, толщина Z3 первой подобласти 221 в направлении, перпендикулярном базовой подложке 10, имеет значение между 0,33 мкм и 0,38 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 7D, толщина Z4 второй подобласти 222 в направлении, перпендикулярном базовой подложке 10, имеет значение между 0,38 мкм и 0,43 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления толщина слоя планаризации в направлении, перпендикулярном базовой подложке 10, имеет значение между 4 мкм и 4,4 мкм.

На фиг. 8А - 8D схематично представлена секционная структура четырех частичных пленочных слоев панели дисплее, соответствующая варианту осуществления настоящего раскрытия. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 2, 8А - 8D, панель дисплея может дополнительно содержать затемняющий слой 14, расположенный на поверхность слоя 13 структуры инкапсуляции на стороне, дальней от базовой подложки 10, и слой 15 цветовых фильтров и цветовой резистивный слой 16, расположенный на поверхности затемняющего слоя 14 на стороне, дальней от базовой подложки 10. Показатель преломления слоя 13 структуры инкапсуляции больше, чем у затемняющего слоя 14, и показатель преломления второго цветового резистивного участка 162 больше, чем у затемняющего слоя 14. Поверхность слоя 13 структуры инкапсуляции на стороне, дальней от базовой подложки 10, снабжена плоским участком и изогнутым участком 40. Изогнутый участок 40 содержит, по меньшей мере, частичную область, выступающую в направлении удаления от базовой подложки. Существует перекрывающийся участок между ортогональной проекцией изогнутого участка 40 на базовую подложку 10, и ортогональной проекцией второго цветового резистивного участка 162 на базовую подложку 10, и существует перекрывающийся участок между ортогональной проекцией изогнутого участка 40 на базовую подложку 10 и ортогональной проекцией первой функциональной области 21 на базовую подложку 10.

В варианте осуществления настоящего раскрытия, поскольку слой 13 структуры инкапсуляции обеспечивается изогнутым участком 40, поверхность затемняющего слоя 14, контактирующая со слоем 13 структуры инкапсуляции, соответственно формируется с углублением в месте, соответствующем изогнутому участку 40, затемняющий слой 14 формирует вогнутую линзу на углубленном участке и показатель преломления слоя 13 структуры инкапсуляции больше, чем у затемняющего слоя 14. Таким образом, свет, излучаемый изогнутым участком 40 слоя 13 структуры инкапсуляции, может сходиться после того, как он излучается через затемняющий слой 14. Рассеянный свет, излучаемый из области 32 рассеянного света, может больше поглощаться вторым участком 162 блокирования цвета, уменьшая, таким образом, излучение рассеянного света и уменьшая перекрестные помехи между различными субпикселями, и свет, излучаемый эффективной светоизлучающей областью 31, может сходиться больше в направлении, более близком к положительному углу обзора панели дисплея.

В некоторых примерных вариантах осуществления поверхность слоя 13 структуры инкапсуляции на стороне, дальней от базовой подложки 10, может быть снабжена множеством изогнутых участков 40, каждый из которых может проходить во втором направлении Y.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 8B, поперечное сечение частичной области изогнутого участка 40, выступающего в направлении от базовой подложки, разрезается плоскостью, параллельной первому направлению X и перпендикулярной базовой подложке 10, поперечное сечение является частичной областью первого эллипса, имеющего длину а1 короткой полуоси, длину b1 длинной полуоси, a1 = H1/2, b1 = L4/2, где H1 - толщина слоя 13 структуры инкапсуляции на плоском участке; L4 - ширина изогнутого участка 40 в первом направлении X.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 8C, поперечное сечение частичной области изогнутого участка 40, выступающего в направлении от базовой подложки, разрезается плоскостью, параллельной первому направлению X и перпендикулярной базовой подложке 10, и это поперечное сечение является частичной областью второго эллипса, имеющего длину а2 короткой полуоси, длину b2 длиной полуоси, a2 = H2/2, b2 = L4/2, где H2 - максимальная толщина слоя 13 структуры инкапсуляции в направлении, перпендикулярном базовой подложке; L4 - ширина изогнутого участка 40 в первом направлении X.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 8D, изогнутый участок 40 может содержать первый изогнутый участок 42, переходный участок 43 и второй изогнутый участок 44, соединенные последовательно в первом направлении X, каждый из первого изогнутого участка 42 и второго изогнутого участка 44 имеет, по меньшей мере, частичную область, проецируемую от переходного участка 43 в третьем направлении Z. Поверхность изогнутого участка 40 на стороне, обращенной от базовой подложки, расположена между поверхностью первого эллипса на стороне, дальней от базовой подложки, и поверхностью второго эллипса на стороне, дальней от базовой подложки.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 8A, изогнутый участок 40 может содержать первый наклонный участок 41, первый изогнутый участок 42, переходный участок 43, второй изогнутый участок 44 и второй наклонный участок 45, соединенные последовательно в первом направлении X, и каждый из первого изогнутого участка 42 и второго изогнутого участка 44 выступает из переходного участка 43 в третьем направлении Z.

В некоторых примерных вариантах осуществления переходный участок 43 может быть, по существу, плоскостью и первый наклонный участок 41 и второй наклонный участок 45 могут быть изогнутой поверхностью или наклонной плоскостью.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 8A, угол φ3 наклона первого наклонного участка 41 может быть в пределах между 15° и 25° и угол φ4 наклона второго наклонного участка 45 может быть в пределах между 15° и 25°.

В настоящей заявке градиентный угол точки на изогнутой поверхности относится к углу между плоскостью, касательной к точке на изогнутой поверхности, и плоскостью, параллельной базовой подложке 10, и градиентный угол изогнутой поверхности может рассматриваться как диапазон градиентных углов, образованный градиентными углами в каждой точке на изогнутой поверхности.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 8A, средняя толщина H1 изогнутого участка 40 на переходном участке 43 может быть в пределах между 221,3 нм и 252,9 нм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 8A, максимальная толщина H2 изогнутого участка 40 на первом изогнутом участке 42 и на втором изогнутом участке 44 может быть в пределах между 276,6 нм и 316,1 нм.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 8A, существует область перекрытия между ортогональной проекцией переходного участка 43 на базовую подложку 10 и ортогональной проекцией второго цветового резистивного участка 162 на базовую подложку 10. Например, ортогональная проекция переходного участка 43 на базовую подложку 10 может содержать ортогональную проекцию второго цветового резистивного участка 162 на базовую подложку 10.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 8F, на поперечном сечении, параллельном первому направлению X и перпендикулярном базовой подложке 10, если область S поперечного сечения изогнутого участка 40 слоя 13 структуры инкапсуляции содержит площадь S0 частичной области, выступающей в направлении удаления от базовой подложки, и площадь S1 частичной области, не выступающей в направлении удаления от базовой подложки, площадь S поперечного сечения изогнутого участка 40 и площадь S0 частичной области, выступающей в направлении удаления от базовой подложки, удовлетворяют следующим требованиям: S = S0 + S1, πa1b1 < S < πa2b2, πa1b1 + S0 < πa2b2;

где a1 = H1/2, a2 > H2/2, b1= b2 = L4/2;

H1 - толщина слоя 13 структуры инкапсуляции на плоском участке;

H2 - максимальная толщина слоя 13 структуры инкапсуляции в третьем направлении;

L4 – ширина изогнутого участка 40 в первом направлении X;

a1 и b1 – длина короткой полуоси и длина длинной полуоси первого эллипса (т. е., наибольшего вписанного эллипса изогнутого участка 40), соответственно;

a2 и b2 – длина короткой полуоси и длина длинной полуоси второго эллипса (т. е., наименьшего описанного эллипса изогнутого участка 40), соответственно.

В некоторых примерных вариантах осуществления показатель преломления слоя 15 цветовых фильтров может быть больше, чем показатель преломления затемняющего слоя 14.

В некоторых примерных вариантах осуществления площадь поверхности затемняющего слоя 14, контактирующей со слоем 13 структуры инкапсуляции, больше, чем площадь поверхности затемняющего слоя 14, контактирующая со слоем 15 цветовых фильтров и цветовым резистивным слоем 16.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 8А и 8E, второй цветовой резистивный участок 162 формируется на перекрывающемся участке фильтровых блоков 151 из двух смежных субпикселей различных цветов в первом направлении X и угол φ наклона поверхности сопряжения фильтровых блоков 151 двух смежных субпикселей различных цветов в первом направлении X может постепенно становиться больше в направлении удаления от базовой подложки 10.

В некоторых примерных вариантах осуществления участок сопряжения фильтровых блоков 151 двух субпикселей различных цветов, смежных в первом направлении X, может быть изогнутой поверхностью или может содержать множество присоединенных наклонных плоскостей.

В некоторых примерных вариантах осуществления угол φ наклона участка сопряжения фильтровых блоков 151 двух смежных субпикселей различных цветов в первом направлении X может быть в пределах между 10° и 75°.

В варианте осуществления настоящего раскрытия участок сопряжения фильтровых блоков 151 двух смежных субпикселей различных цветов в первом направлении X имеет определенный градиент и это гарантирует, что второй цветовой резистивный участок 162 имеет определенную ширину в первом направлении X, и угол φ наклона постепенно увеличивается в направлении удаления от базовой подложки 10, так чтобы для фильтровых блоков 151 двух смежных субпикселей различных цветов в первом направлении X было выгодно поддержать структурную устойчивость в месте сопряжения.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 8А и 8E, участок сопряжения фильтровых блоков, 151 двух субпикселей различных цветов, смежных в первом направлении X, может содержать первый участок сопряжения и второй участок сопряжения, соединенные последовательно в направлении удаления от базовой подложки 10, угол φ1 наклона первого участок сопряжения может быть в пределах между 28° и 32° и угол φ2 наклона второго участка сопряжения может быть в пределах между 55° и 65°. В некоторых примерных вариантах осуществления первый участок сопряжения и второй участок сопряжения могут быть наклонными плоскостями. В других примерных вариантах осуществления первый участок сопряжения и второй участок сопряжения могут быть изогнутыми поверхностями.

В некоторых примерных вариантах осуществления слой 13 структуры инкапсуляции может быть единым пленочным слоем, сформированным, используя химический процесс осаждения паров (chemical vapor deposition, CVD), и материал слоя 13 структуры инкапсуляции может содержать элементы азота (N) и кремния (Si).

В некоторых примерных вариантах осуществления средняя толщина слоя 13 структуры инкапсуляции может быть в пределах между 4,24 мкм и 6,36 мкм. Например, средняя толщина слоя 13 структуры инкапсуляции может быть равна приблизительно 5,3 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления материал затемняющего слоя 14 может содержать элементы углерода (C), кислорода (O) и кремния (Si).

В некоторых примерных вариантах осуществления средняя толщина затемняющего слоя 14 может быть в пределах от 6,72 мкм до 10,08 мкм. Например, средняя толщина затемняющего слоя 14 может быть равна приблизительно 8,4 нм.

В некоторых примерных вариантах осуществления материал слоя 15 цветовых фильтров может содержать элементы углерода (C) и алюминия (Al).

В некоторых примерных вариантах осуществления средняя толщина слоя 15 цветовых фильтров может быть в пределах между 1,84 мкм и 2,76 мкм. Например, средняя толщина слоя 15 цветовых фильтров может быть равна приблизительно 2,3 мкм.

В некоторых примерных вариантах осуществления затемняющий слой 14 может быть адгезивным слоем, таким как оптически прозрачный адгезив (такой как оптически прозрачная смола (Optically Clear Resin, OCR)).

В некоторых примерных вариантах осуществления панель дисплея может дополнительно содержать защитную панель, на стороне которой могут быть расположены слой 15 цветовых фильтров и цветовой резистивный слой 16, и сторона защитной панели, снабженная слоем 15 цветовых фильтров и цветовым резистивным слоем 16, наклеивается на сторону слоя 13 структуры инкапсуляции, обращенного в направлении от базовой подложки 10 через затемняющий слой 14. Защитная панель может быть из твердого или гибкого прозрачного материала, такого как стекло и т. п. При подготовке панели дисплея могут быть соответственно подготовлены первая подложка и вторая подложка, причем первая подложка содержит базовую подложку 10 и слой 11 структуры управления, слой 12 светоизлучающей структуры, слой 13 структуры инкапсуляции, которые последовательно укладываются на базовую подложку 10, а вторая подложка содержит вторую подложку и цветовой резистивный слой 16 и слой 15 цветовых фильтров, расположенные последовательно на второй подложке. Затем на первую подложку и/или на вторую подложку наносится клей для формирования затемняющего слоя 14 и первая подложка и вторая подложка выравниваются и подгоняются друг к другу затемняющим слоем 14, чтобы сформировать панель дисплея, соответствующую варианту осуществления настоящего раскрытия.

В других примерных вариантах осуществления слой 15 цветовых фильтров и цветовой резистивный слой 16 могут быть сформированы непосредственно на поверхности затемняющего слоя 14, дальней от базовой подложки 10. В подготовке панели дисплея слой 11 структуры управления, слой 12 светоизлучающей структуры, слой 13 структуры инкапсуляции, затемняющий слой 14, цветовой резистивный слой 16 и слой 15 цветовых фильтров могут последовательно подготавливаться на базовой подложке 10 и защитная панель может быть расположена на стороне цветового резистивного слоя 16 и слоя 15 цветовых фильтров, дальней от базовой подложки, для формирования панели дисплея в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия.

Хотя ни одна из панелей дисплея, показанных на фиг. 8А - 8E, где имеют структуру защитной панели дисплея, панели, показанные на фиг. 8А - 8E могут быть подготовлены, используя любой из вышеупомянутых способов подготовки.

В некоторых примерных вариантах осуществления материал слоя планаризации (planarization, PLN) может содержать элементы углерода (C), фтора (F), кислорода (O) и азота (N).

В примерном варианте осуществления первый слой электродов может быть однослойной структурой или многослойной структурой.

В некоторых примерных вариантах осуществления первый слой электродов может содержать первый слой 1211 первых субэлектродов и второй слой 1212 первых субэлектродов, расположенных на стороне первого слоя 1211 первых субэлектродов, дальней от базовой подложки, где материал первого слоя 1211 первых субэлектродов может содержать элемент алюминия (Al), а материал второго слоя 1212 первых субэлектродов могут содержать элементы иттербия (Yb), кремния (Si) и кислорода (O).

В некоторых примерных вариантах осуществления средняя толщина первого слоя 1211 первых субэлектродов больше, чем средняя толщина второго 1212 первых субэлектродов.

В некоторых примерных вариантах осуществления средняя толщина первого слоя 1211 первых субэлектродов находится в пределах между 164,8 нм и 247,2 нм. Например, средняя толщина первого слоя 1211 первых субэлектродов может быть равна приблизительно 206 нм.

В некоторых примерных вариантах осуществления средняя толщина второго слоя 1212 первых субэлектродов находится в пределах между 12,56 нм и 18,84 нм. Например, средняя толщина второго слоя 1212 первых субэлектродов может быть равна приблизительно 15,7 нм.

В некоторых примерных вариантах осуществления по меньшей мере один пиксельный блок содержит первый субпиксель, излучающий свет первого цвета, второй субпиксель, излучающий свет второго цвета, третий субпиксель, излучающий свет третьего цвета.

Толщина функционального светоизлучающего слоя 123 первого субпикселя, излучающего свет первого цвета, больше, чем толщина функционального светоизлучающего слоя 123 второго субпикселя, излучающего свет второго цвета, и толщина слоя 123 функции светового излучения второго субпикселя, излучающего второй цветовой свет, больше, чем толщина слоя 123 функции светового излучения третьего субпикселя, излучающего третий цветовой свет.

В некоторых примерных вариантах осуществления толщина функционального светоизлучающего слоя 123 первого субпикселя, излучающего свет первого цвета (например, красный свет), может быть в пределах между 120,8 нм и 181,2 нм, толщина функционального светоизлучающего слоя 123 второго субпикселя, излучающего свет второго цвета (например, зеленый свет), может быть в пределах между 83,2 нм и 124,8 нм, и толщина функционального светоизлучающего слоя 123 третьего субпикселя, излучающего свет третьего цвета (например, синий свет), может быть в пределах между 46,4 нм и 69,6 нм.

В некоторых примерных вариантах осуществления толщина функционального светоизлучающего слоя 123 первого субпикселя, излучающего свет первого цвета (например, красный свет), может составлять 151 нм, толщина функционального светоизлучающего слоя 123 второго субпикселя, излучающего свет второго цвета (например, зеленый свет), может составлять 104 нм, и толщина функционального светоизлучающего слоя 123 третьего субпикселя, излучающего свет третьего цвета (например, синий свет), может составлять 58 нм.

В примерном варианте осуществления второй слой электродов может иметь однослойную структуру или многослойную структуру.

В некоторых примерных вариантах осуществления второй слой электродов может содержать первый слой 1241 вторых субэлектродов и второй слой 1242 вторых субэлектродов, расположенный на стороне первого слоя 1241 вторых субэлектродов в направлении от базовой подложки, где материал первого слоя 1241 вторых субэлектродов может содержать элементы индия (In), цинка (Zn) и кислорода (O), а материал второго слоя 1242 вторых субэлектродов может содержать элементы серебра (Ag) элементы.

В некоторых примерных вариантах осуществления средняя толщина первого слоя 1241 вторых субэлектродов больше, чем средняя толщина второго слоя 1242 вторых субэлектродов.

В некоторых примерных вариантах осуществления средняя толщина первого слоя 1241 вторых субэлектродов находится в пределах между 63,28 нм и 94,92 нм. Например, средняя толщина первого слоя 1241 вторых субэлектродов может быть равна приблизительно 79,1 нм.

В некоторых примерных вариантах осуществления средняя толщина второго слоя 1242 вторых субэлектродов находится в пределах между 13,6 нм и 20,4 нм. Например, средняя толщина второго слоя 1242 вторых субэлектродов может быть равна приблизительно 17 нм.

На фиг. 9 схематично показана схема управления пикселем в панели дисплея, управляющая светоизлучающим элементом для излучения света в соответствии с вариантом осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 9, каждый субпиксель 100 содержит схему 100a управления пикселем и светоизлучающий элемент 100b, схема 100a управления пикселем соединяется со светоизлучающим элементом 100b и схема 100a управления пикселем выполнена с возможностью управления светоизлучающим элементом 100b. Например, схема управления пикселем выполнена с возможностью управления светоизлучающим элементом для излучения света. Светоизлучающий элемент 100b содержит область светового излучения. Расположение пикселей, показанное на фиг. 1, относится к месту установки светоизлучающей области светоизлучающего элемента 100b в субпикселе 100.

На фиг. 10 схематично показана схема управления пикселем и светоизлучающий элемент в одном субпикселе, соответствующие варианту осуществления настоящего раскрытия; на фиг. 11 схематично показана планировка панели дисплея, представляемая вариантом осуществления настоящего раскрытия. На фиг. 11 показана панель DS1 дисплея. На фиг. 12 схематично представлен вид в разрезе вдоль области A1-A2, показанной на фиг. 11. Фиг. 13 А - 13G каждый является планом одиночного слоя панели дисплея, показанной на фиг. 11. Фиг. 14 А - 14D каждый является планом частичной ламинации панели дисплея, показанной на фиг. 11.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10 и 11, в субпикселе 100 схема 100a управления пикселем содержит первый транзистор T1 (транзистор ввода данных), второй транзистор T2 (транзистор сброса), третий транзистор T3 (транзистор управления), четвертый транзистор T4 (транзистор сброса) и накопительный конденсатор 20, светоизлучающий элемент 100b соединяется с третьим транзистором T3. Второй транзистор T2 выполнен с возможностью сброса электрода T3g затвора третьего транзистора T3 и четвертый транзистор T4 выполнен с возможностью сброса первого электрода E1 светоизлучающего элемента 100b. Как показано на фиг. 10 и 11, накопительный конденсатор 20 содержит, по меньшей мере, первую электродную пластину 2010 и вторую электродную пластину 2020. В некоторых примерных реализациях, первый транзистор T1, второй транзистор T2, третий транзистор T3 и четвертый транзистор T4 все являются тонкопленочными транзисторами N-типа. В других примерных вариантах осуществления, по меньшей мере один транзистор из числа первого транзистора T1, второго транзистора T2, третьего транзистора T3 и четвертого транзистора T4 является транзистором P-типа.

Как показано на фиг. 10 и 11, панель дисплея содержит первую линию G1 затвора, вторую линию G2 затвора, третью линию G3 затвора, линию DT данных, первую линию PL1 электропитания, вторую линию PL2 электропитания, первую линию INT1 сигнала инициализации, вторую линию INT2 сигнала инициализации и т. п. Вторая линия G2 затвора и третья линия G3 затвора могут также упоминаться как линия RST сигнала управления сбросом. В некоторых примерах первая линия PL1 электропитания выполнена с возможностью подачи на схему пикселя сигнала VDD первого постоянного напряжения, вторая линия PL2 электропитания выполнена с возможностью подачи на схему пикселя сигнала VSS второго постоянного напряжения, и сигнал VDD первого напряжения больше, чем сигнал VSS второго напряжения. Первая линия G1 затвора выполнена с возможностью подачи сигнала сканирования SCAN на субпиксель 100, вторая линия G2 затвора выполнена с возможностью подачи на субпиксель 100 первого сигнала RESET1 управления сбросом, третья линия G3 затвора выполнена с возможностью подачи на субпиксель 100 второго сигнала RESET2 управления сбросом и линия DT данных выполнена с возможностью подачи на субпиксель 100 сигнала DATA данных (напряжения DATA). Первая линия INT1 сигнала инициализации выполнена с возможностью подачи на субпиксель 100 первого сигнала Vinit1 инициализации. Вторая линия INT2 сигнала инициализации выполнена с возможностью подачи на субпиксель 100 второго сигнала Vinit2 инициализации. Например, первый сигнал Vinit1 инициализации и второй сигнал Vinit2 инициализации являются сигналами постоянного напряжения, величина которых может быть в пределах, например, между первым сигналом VDD напряжения и вторым сигналом VSS напряжения, но не ограничиваясь только этим, например, первый сигнал Vinit1 инициализации и второй сигнал Vinit2 инициализации оба могут быть меньше или равны второму сигналу VSS напряжения. Например, в некоторых вариантах осуществления настоящего раскрытия, первая линия INT1 сигнала инициализации и вторая линия INT2 сигнала инициализации соединяются и каждая из них выполнена с возможностью подачи сигнала Vinit инициализации на субпиксель 100, то есть, первая линия INT1 сигнала инициализации и вторая линия INT2 сигнала инициализации и вместе упоминаются как линия INT сигнала инициализации, и первый сигнал Vinit1 инициализации и второй сигнал Vinit2 инициализации равны и оба равны Vinit, но не ограничиваясь только этим. В других вариантах осуществления первая линия INT1 сигнала инициализации и вторая линия INT2 сигнала инициализации изолированы друг от друга для подачи различных сигналов инициализации.

Как показано на фиг. 10 и фиг. 11, третий транзистор T3 электрически соединен со светоизлучающим элементом 100b и под управлением таких сигналов, как сигнал SCAN сканирования, сигнал DATA данных, сигнал VDD первого напряжения и сигнал VSS второго напряжения, выводит управляющий ток для управления светоизлучающим элементом, чтобы светоизлучающий элемент 100b излучал свет.

Например, светоизлучающий элемент 100b содержит органический светодиод (OLED) и светоизлучающий элемент излучает красный свет, зеленый свет, синий свет или белый свет и т. д. под управлением его соответствующей схемы 100a управления пикселем.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10 и 11, первый электрод E1 светоизлучающего элемента 100b соединяется с первым электродом T3a третьего транзистора T3, второй электрод E2 светоизлучающего элемента 100b соединяется со второй линией PL2 электропитания, второй электрод T3b третьего транзистора T3 соединяется с первой линией PL1 электропитания, электрод затвора T3g третьего транзистора T3 соединяется со вторым электродом T1b первого транзистора T1, первый электрод T1a первого транзистора T1 соединяется с линией DT данных и электрод T1g затвора первого транзистора T1 соединяется с первой линией G1 затвора.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10 и 11, электрод T3g затвора третьего транзистора T3 соединяется с первой электродной пластиной 2010 накопительного конденсатора 20 и вторая электродная пластина 2020 накопительного конденсатора 20 соединяется с первым электродом T3a третьего транзистора T3. Первая электродная пластина 2010 накопительного конденсатора 20 также соединяется со вторым электродом T1b первого транзистора T1.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10 и 11, первый электрод T2a второго транзистора T2 соединяется с первой линией INT1 сигнала инициализации, второй электрод T2b второго транзистора T2 соединяется с электродом T3g затвора третьего транзистора T3 и электрод T2g затвора второго транзистора T2 соединяется со второй линией G2 затвора.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10 и 11, первый электрод T4a четвертого транзистора T4 соединяется к второй линией INT2 сигнала инициализации, второй электрод T4b четвертого транзистора T4 соединяется с первым электродом E1 светоизлучающего элемента 100b и электрод затвора T4g четвертого транзистора T4 соединяется с третьей линией G3 затвора.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 12, панель дисплея содержит базовую подложку (base substrate BS), барьерный слой (barrier layer, BR) на базовой подложке BS и буферный слой (buffer layer, BF). Как показано на фиг. 12, буферный слой BF имеет активный полупроводниковый слой LY0, изолирующий слой (gate insulating, GI) затвора расположен на активном полупроводниковом слое LY0, первый слой LY1 проводящего шаблона расположен на изолирующем слое GI затвора, промежуточный изолирующий слой ILD расположен на первом слое LY1 проводящего шаблона, второй слой LY2 проводящего шаблона расположен на промежуточном изолирующем слое ILD, изолирующий слой ISL расположен на втором слое LY2 проводящего шаблона и первый слой LY3 электродов расположен на изолирующем слое ISL. На фиг. 12 также показан канал T3s третьего транзистора T3 в активном полупроводниковом слое LY0.

Как показано на фиг. 11 и 12, панель дисплея дополнительно содержит слой определения пикселей (pixel define layer, PDL), субпиксель 100 содержит множество пиксельных отверстий P0, выполненных с возможностью доступа, по меньшей мере, к части первого электрода E1, и пиксельное отверстие P0 выполнено с возможностью определения светоизлучающей области субпикселя 100.

В некоторых примерных вариантах осуществления угол наклона части слоя PDL определения пикселей, который определяет пиксельное отверстие P0, равен 40-65 градусов.

В варианте осуществления настоящего раскрытия вид в плане показывает первое направление X и второе направление Y и вид в поперечном сечении показывает третье направление Z. Первое направление X и второе направление Y оба являются направлениями, параллельными основной поверхности базовой подложки BS. Третье направление Z является направлением, перпендикулярным основной поверхности базовой подложки BS. Например, первое направление X и второе направление Y пересекаются. Варианты осуществления настоящего раскрытия описаны в качестве примера с первым направлением X и перпендикулярным ему вторым направлением Y. Как показано на фиг. 12, основная поверхность базовой подложки BS является поверхностью базовой подложки BS, на которой изготавливается каждый элемент. Как показано на фиг. 12, верхняя поверхность опорного базовой подложки BS является основной поверхностью базовой подложки BS.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11, множество субпикселей 100 содержит первый субпиксель 101, второй субпиксель 102 и третий субпиксель 103 и первый субпиксель 101, второй субпиксель 102 и третий субпиксель 103 располагаются последовательно в первом направлении X. Конечно, субпиксели в пикселе могут быть расположены и другими способами.

На фиг. 13G показано пиксельное отверстие P01 первого субпикселя 101, пиксельное отверстие P02 второго субпикселя 102 и пиксельное отверстие P03 третьего субпикселя 103. В некоторых примерных вариантах осуществления пиксельное отверстие P01 может упоминаться как первое пиксельное отверстие P01, пиксельное отверстие P02 - как второе пиксельное отверстие P02 и пиксельное отверстие P03 - как третье пиксельное отверстие P03.

На фиг. 13A показан активный полупроводниковый слой LY0. В некоторых примерных вариантах осуществления активный полупроводниковый слой LY0 содержит поликристаллический кремний, не ограничиваясь только этим.

На фиг. 13B показан первый слой LY1 проводящего шаблона. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 13B, первый слой LY1 проводящего шаблона содержит первую электродную пластину 2010, первый соединительный электрод CEa, второй соединительный электрод CEb, третий соединительный электрод CEc, четвертый соединительный электрод CEd и пятый соединительный электрод CEe.

На фиг. 13C показан промежуточный изолирующий слой ILD, промежуточный изолирующий слой показан с помощью сквозных отверстий в промежуточном изолирующем слое ILD. На фиг. 13C показаны первое-одиннадцатое сквозные отверстия V1 - V11 и двенадцатое-двадцать первое сквозные отверстия Va - Vj.

На фиг. 13D показан второй слой LY2 проводящего шаблона. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 13D, второй слой LY2 проводящего шаблона содержит вторую электродную пластину 2020 и шестой соединительный электрод CEf.

На фиг. 13E показан изолирующий слой ISL, изолирующего слоя ISL показан посредством сквозных отверстий VH в изолирующем слое ISL. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 13E, сквозные отверстия VH в изолирующем слое ISL содержат двадцать второе сквозное отверстие VH1, двадцать третье сквозное отверстие VH2 и двадцать четвертое сквозное отверстие VH3.

На фиг. 13F показан первый слой LY3 электродов светоизлучающего элемента. На фиг. 13F показаны три первые электрода E1.

На фиг. 13G показан слой PDL определения пикселей, представленный пиксельным отверстием P0 в слое PDL определения пикселей. Когда для панели дисплея по меньшей мере один пленочный слой для функционального светоизлучающего слоя FL изготавливается посредством процесса струйной печати, пленочный слой, изготовленный посредством струйной печати, располагается в пиксельном отверстии P0 слоя PDL определения пикселей.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10, 11, 13А13G и 14А-14D, первый соединительный электрод CEa соединяется к третьей линией G3 затвора через девятое сквозное отверстие V9 и первый соединительный электрод CEa служит электродом затвора четвертого транзистора T4.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10, 11, 13А13G и 14А-14D, один конец второго соединительного электрода CEb соединяется со второй линией INT2 сигнала инициализации через одиннадцатое сквозное отверстие V11, а другой конец второго соединительного электрода CEb соединяется с первым электродом T4a четвертого транзистора T4 через десятое сквозное отверстие V10.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10, 11, 13А13G и 14 А-14D, третий соединительный электрод CEc соединяется с первой линией G1 затвора через двенадцатое сквозное отверстие V12 и третий соединительный электрод CEc служит электродом затвора первого транзистора T1.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10, 11, 13А13G и 14А-14D, четвертый соединительный электрод CEd соединяется со второй линией G2 затвора через шестое сквозное отверстие V6 и четвертый соединительный электрод CEd служит электродом затвора второго транзистора T2.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10, 11, 13А13G и 14А-14D, один конец пятого соединительного электрода CEe соединяется с первой линией INT1 сигнала инициализации седьмое сквозное отверстие V7, а другой конец пятого соединительного электрода CEe соединяется с первым электродом T2a второго транзистора T2 через восьмое сквозное отверстие V8.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10, 11, 13А13G и 14А-14D, один конец шестого соединительного электрода CEf соединяется с первой электродной пластиной 2010 через третье сквозное отверстие V3, и другой конец шестого соединительного электрода CEf соединяется со вторым электродом T1b первого транзистора T1 через пятое сквозное отверстие V5.

На фиг. 14B показан канал T1s первого транзистора T1, канал T2s второго транзистора T2, канал T3s третьего транзистора T3 и канал T4s четвертого транзистора T4.

В вариантах осуществления настоящего раскрытия элементы, расположенные во втором слое LY2 проводящего шаблона, могут соединяться с элементами, расположенными на первом слое LY1 проводящего шаблона, и элементами, расположенными на активном полупроводниковом слое LY0, через сквозные отверстия, а элементы, расположенные в первом слое LY1 проводящего шаблона, и элементы, расположенные в активном полупроводниковом слое LY0, могут соединяться через элементы, расположенные во втором слое LY2 проводящего шаблона.

В некоторых примерных вариантах осуществления изолирующий слой, через который проходит сквозное отверстие, может быть определен в зависимости от изолирующего слоя между двумя слоями проводящего шаблона, соединенными через сквозное отверстие.

В некоторых примерных вариантах осуществления, в соответствии с панелью DS1 дисплея, представленной в некоторых вариантах осуществления настоящего раскрытия, активный полупроводниковый слой LY0, первый слой LY1 проводящего шаблона и второй слой LY2 проводящего шаблона используются для формирования схемы 100а управления пикселем, чтобы упростить процесс изготовления и уменьшить толщину панели дисплея. Первая линия INT1 сигнала инициализации, вторая линия INT2 сигнала инициализации и/или первая линия PL1 электропитания могут упоминаться как проводящая структура 40. Проводящая структура 40 содержит первую сигнальную линию 411, проходящую в первом направлении X, и сигнальную соединительную линию 412, проходящую во втором направлении Y, проводящая структура 40 выполнена с возможностью подачи сигнала напряжения на субпиксель 100 и сигнальная соединительная линия 412 электрически соединяется с первой сигнальной линией 411.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11, проводящая структура 40 имеет структуру сетки, содержащую участок, проходящий во втором направлении Y (т.е., сигнальную соединительную линию 412), и участок, проходящий в первом направлении X (т.е., первую сигнальную линию 411), соответственно.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11, проводящая структура 40 содержит первую проводящую структуру 400, вторую проводящую структуру 401 и третью проводящую структуру 402. Как показано на фиг. 11, первая линия PL1 электропитания может упоминаться как первая проводящая структура 400, первая линия INT1 сигнала инициализации может упоминаться как вторая проводящая структура 401 и вторая линия INT2 сигнала инициализации может упоминаться как третья проводящая структура 402.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11, первая линия PL1 электропитания содержит первую линию PL11 сигнала электропитания, проходящую в первом направлении X, и первую соединительную линию PL12 электропитания, проходящую во втором направлении Y, причем первая линия PL11 сигнала электропитания и первая соединительная линия PL12 электропитания соединены вместе.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11, первая линия INT1 сигнала инициализации содержит первую линию INT11 сигнала субинициализации, проходящую в первом направлении X, и первую соединительную линию INT12 инициализации, проходящую во втором направлении Y, причем первая линия INT11 сигнала субинициализации и первая соединительная линия INT12 инициализации соединены между собой. Как показано на фиг. 11, первая линия INT11 сигнала субинициализации и первая соединительная линия INT12 инициализации соединены через двадцать первое сквозное отверстие Vj.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11, вторая линия INT2 сигнала субинициализации содержит вторую линию INT21 сигнала субинициализации, проходящую в первом направлении X, и вторую соединительную линию INT22 инициализации, проходящую во втором направлении Y, причем вторая линия INT21 сигнала субинициализации и вторая соединительная линия INT22 инициализации соединены между собой. Как показано на фиг. 11, вторая линия INT21 сигнала субинициализиции и вторая соединительная линия INT22 инициализации соединяются через двадцатое сквозное отверстие Vi.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11, первая линия PL1 электропитания, первая линия INT1 сигнала инициализации, вторая линия INT2 сигнала инициализации и конденсатор 20 схемы 100a управления пикселем формируются, используя два слоя проводящих шаблонов. Участки первой линии PL1 электропитания, первой линии INT1 сигнала инициализации и второй линии INT2 сигнала инициализации, проходящие во втором направлении Y, формируются в секции. Участки первой линии PL1 электропитания, первой линии INT1 сигнала инициализации и второй линии INT2 сигнала инициализации, проходящие в первом направлении X, все расположены во втором слое LY2 проводящего шаблона.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11, соединительная сигнальная линия 412 содержит первый участок 412a, второй участок 412b и третий участок 412c, причем третий участок 412c соединяется с первым участком 412a посредством второго участка 412b, первый участок 412a и третий участок 412c располагаются на первом слое LY1 проводящего шаблона, и второй участок 412b расположен на втором слое LY2 проводящего шаблона. Сигнальная соединительная линия 412 содержит по меньшей мере одной из следующего: первая соединительная линия PL12 электропитания, первая соединительная линия INT12 инициализации и вторая соединительная линия INT22 инициализации.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11, первый участок и второй участок первой соединительной линии PL12 электропитания соединяются через двенадцатое сквозное отверстие Va, и второй участок и третий участок первой соединительной линии PL12 электропитания соединяются через тринадцатое сквозное отверстие Vb.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11, первый участок и второй участок второй соединительной линии INT22 инициализации соединяются через шестнадцатое сквозное отверстие Ve и второй участок и третий участок второй соединительной линии INT22 инициализации, соединяются через семнадцатое сквозное отверстие Vf.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11, первый участок и второй участок первой соединительной линии INT12 инициализации соединяются через восемнадцатое сквозное отверстие Vg и второй участок и третий участок первой соединительной линии INT12 инициализации соединяются через девятнадцатое сквозное отверстие Vh.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11, линия DT данных проходит вдоль второго направления Y и линия DT данных формируется сегментами. Линия DT данных содержит первый участок DTa, второй участок DTb и третий участок DTc. Первый участок DTa и третий участок DTc соединяются через второй участок DTb, первый участок DTa и третий участок DTc располагаются в первом слое LY1 проводящего шаблона, а второй участок DTb располагается во втором слое LY2 проводящего шаблона.

На фиг. 15 схематично показана планировка панели дисплея, обеспечиваемая в варианте осуществления настоящего раскрытия. На фиг. 15 показана панель DS2 дисплея.

Панель DS2 дисплея, показанная на фиг. 15, регулируется по размеру пиксельного отверстия P0 слоя PDL определения пикселей по сравнению с панелью DS1 дисплея, показанной на фиг. 11. Как показано на фиг. 15, размер пиксельного отверстия P0 третьего субпикселя 103 в первом направлении X больше, чем размер пиксельного отверстия P0 второго субпикселя 102 в первом направлении X, и больше, чем размер пиксельного отверстия P0 первого субпикселя 101 в первом направлении X. Как показано на фиг. 15, размер пиксельного отверстия P0 третьего субпикселя 103 в первом направлении X больше, чем размер пиксельного отверстия P0 первого субпикселя 101 в первом направлении X, и размер пиксельного отверстия P0 первого субпикселя 101 в первом направлении X больше, чем размер пиксельного отверстия P0 второго субпикселя 102 в первом направлении X.

По сравнению с панелью DS1 дисплея, показанной на фиг. 11, в панели DS2 дисплея, показанной на фиг. 15, размер пиксельного отверстия P0 второго субпикселя 102 в первом направлении X регулируется для упрощения увеличения размера пиксельного отверстия P0 третьего субпикселя 103 в первом направлении X.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 15, ортогональная проекция пиксельного отверстия P0 второго субпикселя 102 на базовую подложку не перекрывает ортогональную проекцию второго участка первой линии INT1 сигнала инициализации (участок первой соединительной линии INT12 инициализации, расположенный во втором слое LY2 проводящем шаблона) на базовую подложку, и не перекрывает ортогональную проекцию второго участка второй линии INT2 сигнала инициализации (участок второй соединительной линии INT22 инициализации, расположенный во втором слое LY2 проводящего шаблона) на базовую подложку.

По сравнению с панелью DS1 дисплея, показанной на фиг. 11, на панели DS2 дисплея, показанной на фиг. 15, два противоположных края пиксельного отверстия P0 третьего субпикселя 103 проходят влево и вправо, соответственно, в первом направлении X. Например, в первом направлении X, один из двух противоположных краев пиксельного отверстия P0 третьего субпикселя 103 проходит мимо линии данных, обеспечивающей сигнал данных третьему субпикселю 103. Другой из двух противоположных краев пиксельного отверстия P0 третьего субпикселя 103 проходит мимо или заделывается на первую соединительную линию PL12 электропитания, накладывающуюся на третий субпиксель 103, конечно, в других вариантах осуществления другой из двух противоположных краев пиксельного отверстия P0 третьего субпикселя 103 накладывается на первую соединительную линию PL12 электропитания, накладывающуюся на третий субпиксель 103. Поэтому предпочтительно уменьшать цветовой сдвиг левого и правого углов обзора панели дисплея.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11 и фиг. 15, линия DT данных содержит первую линию данных DT1, вторую линию данных DT2 и третью линию данных DT3. Первая линия DT1 данных обеспечивает сигнал данных для первого субпикселя 101, вторая линия DT2 данных обеспечивает сигнал данных для второго субпикселя 102 и третья линия DT3 данных обеспечивает сигнал данных для третьего субпикселя 103.

На фиг. 16A представлен вид в плане слоя определения пикселей в панели дисплея, обеспечиваемый в варианте осуществления настоящего раскрытия. На фиг. 16B представлен вид в плане слоя определения пикселей, обеспечиваемый в варианте осуществления настоящего раскрытия. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 16А и 16B, слой (PDL) определения пикселей содержит множество первых участков 301 дамбы и множество вторых участков 302 дамбы, множество первых участков 301 дамбы расположены в первом направлении X, второй участок 302 дамбы проходит во втором направлении Y, множество первых участков 301 дамбы расположены во множестве групп 0301, каждая группа первых участков 301 дамбы расположена между двумя смежными вторыми участками 302 дамбы, первые участки 301 дамбы проходят в первом направлении X и первые участки 301 дамбы 301 в каждой группе располагаются во втором направлении Y.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 12, 16А и 16B, максимальная высота h1 первого участка 301 дамбы относительно слоя планаризации меньше, чем максимальная высота h2 второго участка 302 дамбы относительно слоя планаризации.

На фиг. 17 схематично представлена панель дисплея, соответствующая варианту осуществления настоящего раскрытия. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 17, базовая подложка BS содержит область R01 дисплея и периферийную область R02, расположенную по меньшей мере на стороны области R01 дисплея. Как показано на фиг. 17, ортогональная проекция участка DT01 линии DT данных, расположенной в области R01 дисплея, на базовую подложку BS находится в пределах ортогональной проекции второго участка 302 дамбы на базовую подложку BS. Как показано на фиг. 17, ортогональная проекция области R01 дисплея на базовую подложку BS накладывается на ортогональную проекцию слоя PDL определения пикселей на базовую подложку BS. Ортогональная проекция пиксельного отверстия P0 слоя PDL определения пикселей на базовую подложку BS находится в пределах ортогональной проекции области R01 дисплея на базовую подложку BS.

На фиг. 17 показаны только две линии DT данных. Например, второй участок 302 дамбы может соответствовать одной линии данных, но не ограничиваясь только этим.

В варианте осуществления настоящего раскрытия схема управления пикселем не ограничивается показанным на фиг. 10 и могут иметься и другие подходящие схемы управления пикселем и схема планировки панели дисплея не ограничивается показанным на фиг. 11 и фиг. 15 и может корректироваться на основе фиг. 11 и фиг. 15, а также могут быть приняты и другие способы планировки. Например, положения первой соединительной линии INT12 инициализации первой линии INT1 сигнала инициализации и второй соединительной линии INT22 инициализации второй линии INT2 сигнала инициализации на фиг. 11 могут быть инвертированы.

Как показано на фиг. 11 и 12, варианты осуществления, соответствующие настоящему раскрытию, обеспечивают панель дисплея, содержащую базовую подложку BS и множество субпикселей 100 расположенных на базовой подложке BS.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 11 и 12, субпиксель 100 содержит: схему 100a управления пикселем, содержащую накопительный конденсатор 20, первую электродную пластину 2010, более близкую к базовой подложке BS, чем вторая электродная пластина 2020, и светоизлучающий элемент 100b, содержащий первый электрод E1, второй электрод E2 и функциональный светоизлучающий слой FL, расположенный между первым электродом E1 и вторым электродом E2, и схему 100a управления пикселем, выполненную с возможностью управления светоизлучающим элементом 100b.

На фиг. 18 представлен вид в плане панели дисплея, обеспечиваемой вариантом осуществления настоящего раскрытия. В примерном варианте осуществления, как показано на фиг. 18, ортогональная проекция пиксельного отверстия P0 на базовую подложку BS, по меньшей мере, частично покрывает ортогональную проекцию второй электродной пластины 2020 на базовую подложку BS.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 18, вторая электродная пластина 2020 содержит первый край CL1, проходящий во втором направлении Y, и второй край CL2, проходящий во втором направлении Y. Пиксельное отверстие P0 содержит первый край KL1, проходящий во втором направлении Y, и второй край KL2, проходящий во втором направлении Y. Первый край CL1 второй электродной пластины, 2020 находится ближе к первому краю KL1 пиксельного отверстия P0, чем второй край CL2 второй электродной пластины 2020, и второй край CL2 второй электродной пластины 2020 находится ближе ко второму краю KL2 пиксельного отверстия P0, чем первый край CL1 второй электродной пластины 2020.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 18, вторая электродная пластина 2020 дополнительно содержит третий край CL3, проходящий вдоль первого направления X, и четвертый край CL4, проходящий вдоль первого направления X, и пиксельное отверстие P0 содержит третий край KL3, проходящий вдоль первого направления X, и четвертый край KL4, проходящий вдоль первого направления X.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 18, ортогональная проекция третьего края CL3 на базовую подложку расположена вне ортогональной проекции пиксельного отверстия P0 на базовую подложку.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 18, ортогональная проекция четвертого края CL4 на базовую подложку находится внутри ортогональной проекции пиксельного отверстия P0 на базовую подложку.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 18, первый край CL1 и второй край CL2 расположены друг напротив друга и третий край CL3 соединяется с первым краем CL1 и вторым краем CL2 элементами сопряжения, соответственно. Третий край CL3 и четвертый край CL4 расположены друг напротив друга и четвертый край CL4, соединяется с первым краем CL1 и вторым краем CL2 крепежными рейками, соответственно. Конечно, в других вариантах осуществлениях смежные края отверстий могут не соединяться крепежными рейками.

В некоторых примерных вариантах осуществления в схеме управления пикселем, показанной на фиг. 10, первый транзистор T1, второй транзистор T2, третий транзистор T3 и четвертый транзистор, T4 все могут быть транзисторами N-типа и могут быть сформированы, используя с помощью процесса с использованием низкотемпературного поликристаллического кремния (low temperature polysilicon, LTPS).

В некоторых примерных вариантах осуществления схема управления пикселем, показанная на фиг. 10, может управляться, используя синхронизацию управления, показанную на фиг. 19. Как показано на фиг. 19, первая линия G1 затвора, вторая линия G2 затвора и третья линия G3 затвора соответственно соединяются с различными схемами управления затвором (схемы GOA), предоставляя, таким образом, различные сигналы сканирования схемам управления пикселем. На первом этапе A1 вторая линия G2 затвора и третья линия G3 затвора обеспечивают сигнал высокого уровня и первая линия G1 затвора обеспечивает сигнал низкого уровня. На втором этапе A2 вторая линия G2 затвора обеспечивает сигнал высокого уровня и первая линия G1 затвора и третья линия затвора G3 обеспечивают сигнал низкого уровня. На третьем этапе A3 первая линия G1 затвора, вторая линия G2 затвора и третья линия G3 затвора все обеспечивают сигнал низкого уровня. На четвертом этапе A4 первая линия G1 затвора обеспечивает сигнал высокого уровня и вторая линия G2 затвора и третья линия G3 затвора обеспечивают сигнал низкого слоя.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10, 11, 13А13G, 14А-14D, первая линия G1 затвора, вторая линия G2 затвора и третья линия G3 затвора расположены на втором слое LY2 проводящего шаблона, первая электродная пластина 2010, первый соединительный электрод CEa, второй соединительный электрод CEb, третий соединительный электрод СЕс, четвертый соединительный электрод CEd и пятый соединительный электрод CEe расположена на первом слое LY1 проводящего шаблона, третий соединительный электрод CEc служит электродом затвора первого транзистора T1, а третий соединительный электрод CEc соединяется с первой линией G1 затвора двенадцатое сквозное отверстие V12 в промежуточном изолирующем слое ILD. Четвертый соединительный электрод CEd служит электродом затвора второго транзистора T2 и соединяется к второй линией G2 затвора через шестое сквозное отверстие V6 в промежуточном изолирующем слое ILD. Первый соединительный электрод CEa служит электродом затвора четвертого транзистора T4 и соединяется с третьей линией G3 затвора через девятое сквозное отверстие V9 в промежуточном изолирующем слое ILD.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10, 11, 13А13G, 14А-14D, первая линия PL1 электропитания содержит первую линию PL11 сигнала электропитания, проходящую в первом направлении X, и первую соединительную линию PL12 электропитания, проходящую во втором направлении Y, причем первая линия PL11 сигнала электропитания и первая соединительная линия PL12 электропитания соединены между собой. Первая соединительная линия PL12 электропитания содержит первый участок, второй участок и третий участок, соединенные последовательно, первая линия PL11 сигнала электропитания и второй участок первой соединительной линии PL12 электропитания расположены во втором слое LY2 проводящего шаблона, и первый участок и третий участок первой соединительной линии PL12 электропитания расположены в первом слое LY1 проводящего шаблона. Первая линия PL11 сигнала электропитания напрямую соединяется со вторым участком первой соединительной линии PL12 электропитания, первый участок и второй участок первой соединительной линии PL12 электропитания соединяются через двенадцатое сквозное отверстие Va и второй участок и третий участок первой соединительной линии PL12 электропитания соединяются через тринадцатое сквозное отверстие Vb.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10, 11, 13А13G, 14А-14D, первая линия INT1 сигнала инициализации содержит первую линию INT11 сигнала субинициализации, проходящую в первом направлении X, и первую соединительную линию INT12 инициализации, проходящую во втором направлении Y, первая линия INT11 сигнала субинициализации и первая соединительная линия INT12 инициализации соединены друг с другом. Первая соединительная линия INT12 инициализации содержит первый участок, второй участок и третий участок, соединенные последовательно, первая линия INT11 сигнала субинициализации и второй участок первой соединительной линии INT12 инициализации расположены во втором слое LY2 проводящего шаблона и первый участок и третий участок первой соединительной линии INT12 инициализации расположены в первом слое LY1 проводящего шаблона. Первая линия INT11 сигнала субинициализации соединяется с первым участком первой соединительной линии INT12 инициализации через двадцать первое сквозное отверстие Vj, первый участок и второй участок первой соединительной линии INT12 инициализации соединены через восемнадцатое сквозное отверстие Vg и второй участок и третий участок первой соединительной линии INT12 инициализации соединены через девятнадцатое сквозное отверстие Vh.

В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 10, 11, 13А13G, 14А-14D, вторая линия INT2 сигнала инициализации содержит вторую линию INT21 сигнала субинициализации, проходящую в первом направлении X, и вторую соединительную линию INT22 инициализации, проходящую во втором направлении Y, причем вторая линию INT21 сигнала субинициализации и вторая соединительная линия INT22 инициализации соединяются друг с другом. Вторая соединительная линия INT22 инициализации содержит первый участок, второй участок и третий участок, соединенные в последовательно, вторая линия INT21 сигнала субинициализации и второй участок второй соединительной линии INT22 инициализации расположены во втором слое LY2 проводящего шаблона, и первый участок и третий участок второй соединительной линии INT22 инициализации расположены в первом слое LY1 проводящего шаблона. Вторая линия INT21 сигнала субинициализации и третий участок второй соединительной линии INT22 инициализации соединяются через двадцатое сквозное отверстие Vi, первый участок и второй участок второй соединительной линии INT22 инициализации соединяются через шестнадцатое сквозное отверстие Ve и второй участок и третий участок второй соединительной линии INT22 инициализации соединяются через семнадцатое сквозное отверстие Vf.

В варианте осуществления настоящего раскрытия, первая линия PL1 электропитания, первая линия INT1 сигнала инициализации и вторая линия INT2 сигнала инициализации все формируются в форме сетки, уменьшая, таким образом, сопротивление монтажа.

В некоторых примерных вариантах осуществления первая линия INT1 сигнала инициализации может проходить во втором направлении Y и может соединяется с первым электродом второго транзистора T2 каждой строки субпикселей через полупроводниковый слой, где располагаются активные слои транзисторов множества субпикселей одной и той же строки.

В некоторых примерных вариантах осуществления накопительный конденсатор Cst может быть параллельным конденсатором и накопительный конденсатор Cst содержит первую электродную пластину и вторую электродную пластину, а также содержит третью электродную пластину, причем вторая электродная пластина и третья электродная пластина соответственно расположены с обеих сторон первой электродной пластины в направлении, перпендикулярном базовой подложке 10, и вторая электродная пластина и третья электродная пластина соединяются через сквозное отверстие. Существует область перекрытия между ортогональными проекциями второй электродной пластины и первой электродной пластины на базовую подложку и существует перекрывающийся участок между ортогональными проекциями третьей электродной пластины и первой электродной пластины на базовую подложку. То есть, вторая электродная пластина и первая электродная пластина формируют первую емкость, третья электродная пластина и первая электродная пластина формируют вторую емкость и емкость Cst запоминающего устройства содержит первую емкость и вторую емкость, включенные параллельно, так чтобы значение емкости Cst запоминающего устройства могло быть увеличено. Например, вторая электродная пластина может быть расположена на стороне первой электродной пластины вблизи от базовой подложки 10, и третья электродная пластина может быть расположена на стороне первой электродной пластины, удаленной от базовой подложки 10. Например, первая электродная пластина может быть расположена в первом слое LY1 проводящего шаблона, вторая электродная пластина может быть расположена в активном полупроводниковом слое LY0 и третья электродная пластина может быть расположена во втором слое LY2 проводящего шаблона, и вторая электродная пластина и третья электродная пластина соединяются через сквозное отверстие.

Вариант осуществления настоящего изобретения не ограничивает форму емкости, способ подведения монтажа, способ создания мостов, место расположения отверстий, ориентацию транзисторов и последовательность строк столбца схемы управления пикселем, которые могут быть скорректированы по мере необходимости.

На фиг. 20 показана эквивалентная схема управления пикселем других примерных вариантов осуществления настоящего раскрытия. В других примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 20, схема управления пикселем имеет конфигурацию 5T1C, содержащую первый транзистор T1, второй транзистор T2, третий транзистор T3, четвертый транзистор T4, пятый транзистор T5 и накопительный конденсатор Cst. Панель дисплея содержит первую линию G1 затвора, вторую линию затвора G2, линию данных Data, линию VIN сигнала инициализации, линию EN сигнала светоизлучения, первую линию VDD электропитания и вторую линию VSS электропитания. Электрод затвора первого транзистора T1 соединяется с первой линией G1 затвора. Первый электрод первого транзистора T1 соединяется с линией Data данных. Второй электрод первого транзистора T1 соединяется со вторым электродом второго транзистора T2, электродом затвора третьего транзистора T3, электродом затвора пятого транзистора T5 и первой электродной пластиной накопительного конденсатора Cst. Электрод затвора второго транзистора T2 соединяется со второй линией G2 затвора. Первый электрод второго транзистора T2 соединяется с линией VIN сигнала инициализации. Электрод затвора четвертого транзистора T4 соединяется с линией EN сигнала светового излучения. Первый электрод четвертого транзистора T4 соединяется с первой линией VDD электропитания. Второй электрод четвертого транзистора T4 соединяется с первым электродом третьего транзистора T3, второй электрод третьего транзистора T3 соединяется с первым электродом пятого транзистора T5, второй электрод пятого транзистора T5 соединяется со второй электродной пластиной накопительного конденсатора Cst и первый электрод 121 светоизлучающего устройства OLED и второй электрод 124 светоизлучающего устройства OLED соединяются со второй линией VSS электропитания. Схема управления пикселем варианта осуществления настоящего раскрытия не ограничивается структурой 5T1C настоящего примера.

Как показано на фиг. 20, каждый субпиксель содержит схему управления пикселем и светоизлучающее устройство. Первая линия G1 затвора выполнена с возможностью подачи субпикселям сигнала сканирования и вторая линия G2 затвора выполнена с возможностью подачи субпикселям сигнала управления сбросом. Линия VIN сигнала инициализации выполнена с возможностью подачи сигнала инициализации на субпиксели. Строка Data данных выполнена с возможностью подачи на субпиксели напряжения данных. Линия EN сигнала светового излучения выполнена с возможностью подачи субпикселям сигнала управления световым излучением. Первая линия VDD электропитания выполнена с возможностью подачи первого сигнала постоянного напряжения на схему субпикселя, вторая линия VSS электропитания выполнена с возможностью подачи на субпиксели второго сигнала постоянного напряжения, и первый сигнал напряжения больше, чем второй сигнал напряжения. Сигнал инициализации является сигналом постоянного напряжения, который может быть меньше или равен второму сигналу напряжения. Второй транзистор T2 выполнен с возможностью открывания по сигналу управления сбросом, подаваемым второй линией G2 затвора и линия VIN сигнала инициализации разряжает накопительный конденсатор Cst, электрод затвора третьего транзистора T3 и электрод затвора пятого транзистора T5 через открытый второй транзистор T2. Первый транзистор T1 выполнен с возможностью открывания по сигналу сканирования, подаваемому по первой линии G1 затвора и линия Data данных записывает напряжение данных в накопительный конденсатор Cst, электрод затвора третьего транзистора T3 и электрод затвора пятого транзистора T5 через открытый первый транзистор T1. Четвертый транзистор T4 выполнен с возможностью открывания по сигналу управления световым излучением, подаваемым по линии EN сигнала светового излучения. Пятый транзистор T5 подает управляющий ток и управляет светоизлучающим устройством OLED для излучения света под управлением первой линии G1 затвора, строки Data данных, линии EN светового излучения, первой линии VDD электропитания и второй линии VSS электропитания. Например, четвертый транзистор T4 может быть транзистором P-типа и первый транзистор T1, второй транзистор T2, третий транзистор T3 и пятый транзистор T5 все могут быть транзисторами N-типа.

На фиг. 21 схематично представлен вид в плане структуры множества субпикселей, использующих схему управления пикселем, показанную на фиг. 20 в других примерных вариантах осуществления. На фиг. 21 показаны три субпикселя, расположенные в одном ряду. В некоторых примерных вариантах осуществления, как показано на фиг. 21, первая линия G1 затвора, вторая линия G2 затвора и линия EN светового излучения все могут проходить в первом направлении X и линия Data данных проходит во втором направлении Y. Схема 1011 управления пикселем каждого субпикселя может быть расположена в области, определяемой двумя смежными первыми линиями G1 затвора (на фиг. 21 показана первая линия G1 затвора субпикселей в текущем ряду, но не показана первая линия затвора G1 затвора субпикселей в следующем ряду) и двумя смежными линиями Data данных. Схема 1011 управления пикселем каждого субпикселя соединяется с первой линией G1 затвора, второй линией G2 затвора и с линией EN сигнала светового излучения ряда субпикселей, в котором расположен субпиксель, и соединяется с линией Data данных столбца субпикселей, в котором расположен субпиксель. Вторая линия G2 затвора каждого субпикселя расположена между двумя смежными первыми линиями G1 затвора, вторая линия G2 затвора расположена вблизи первой линии G1 затвора субпикселя текущего ряда (n-ого ряда), и линия EN сигнала светового излучения может быть расположена между второй линией G2 затвора и первой линией G1 затвора субпикселя следующего ряда строки (n+1 ряда) и располагается вблизи первой линии G1 затвора субпикселя следующего ряда (n+1 ряда). Линия VIN сигнала инициализации и первая линия VDD электропитания обе могут иметь сеткоподобную структуру, так чтобы можно было уменьшить сопротивление. Линия VIN сигнала инициализации может содержать первую линию VIN-1 сигнала инициализации, проходящую в первом направлении X, и вторую линию VIN-2 сигнала инициализации, проходящую во втором направлении Y. Первая линия VIN-1 сигнала инициализации и вторая линия VIN-2 сигнала инициализации могут быть расположены водном и том же слое и соединяться вместе или могут быть расположены в разных слоях и соединен через сквозное отверстие. Первая линия VIN-1 сигнала инициализации может быть расположена между первой линией G1 затвора и второй линией G2 затвора и соединяться с первыми электродами вторых транзисторов T2 множества субпикселей в одном и том же ряду. Первая линия VDD электропитания может содержать третью соединительную линию VDD-1, проходящую в первом направлении X, и четвертую соединительную линию VDD-2, проходящую во втором направлении Y. Третья соединительная линия VDD-1 и четвертая соединительная линия VDD-2 могут быть расположены и соединены в одном и том же слое или расположены в разных слоях и соединены через сквозное отверстие. Третья соединительная линия VDD-1 может быть расположена на стороне линии EN сигнала светового излучения, дальней от второй линии G2 затвора, и третья соединительная линия VDD-1 соединяется с первым электродом четвертого транзистора T4 множества субпикселей в одном и том же ряду.

В некоторых примерных вариантах осуществления схема управления пикселем, показанная на фиг. 20, может управляться, используя синхронизации управления, показанную на фиг. 22. Как видно на фиг. 22, первая линия G1 затвора и вторая линия G2 затвора соответственно соединяются с разными схемами управления затвором (схемами GOA), так чтобы на схемы управления пикселем подавались различные сигналы сканирования. На первом этапе t01, на линии EN сигнала светового излучения, линии VIN сигнала инициализации, второй линии G2 затвора и на первой линии G1 затвора на всех присутствует сигнал низкого уровня. На втором этапе t02 как на линии EN сигнала светового излучения, так и на линии VIN сигнала инициализации появляется сигнал высокого уровня, а на второй линии G2 затвора и на первой линии G1 затвора присутствует сигнал низкого уровня. На третьем этапе t03 сигналы на линии EN сигнала светового излучения и на линии VIN сигнала инициализации переходят с сигнала высокого уровня на сигнал низкого слоя, на первой линии G1 затвора присутствует сигнал низкого уровня и на второй линии G2 затвора сигнал переходит на высокий уровень. На четвертом этапе t04 на линии EN сигнала светового излучения, линии VIN сигнала инициализации, второй линии G2 затвора и на первой линии G1 затвора везде присутствует сигнал низкого уровня. На пятом этапе t05 на линии EN сигнала светового излучения, на линии VIN сигнала инициализации и на второй линии G2 затвора, на всех присутствует сигнал низкого уровня, а на первой линии затвора G1 присутствует сигнал высокого уровня. На шестом этапе t06 на линии EN сигнала светового излучения, на линии VIN сигнала инициализации, на второй линии G2 затвора и на первой линии G1 затвора, на всех присутствует сигнал низкого уровня.

В некоторых примерных вариантах осуществления область 102 отсутствия изображения на панели дисплея может иметь контроллер синхронизации, схему управления данными и схему управления сканированием. Схема управления сканированием может быть расположена на противоположных сторонах дисплея 101 отображения (например, на обеих сторонах области 101 отображения в первом направлении X) и контроллер синхронизации и схема управления данными могут быть расположены на одной стороне области 101 отображения (например, на одной стороне области 101 отображения во втором направлении Y). Схема управления сканированием выполнена с возможностью подачи сигнала сканирования (сигнала управления) на множество рядов субпикселей через множество линий затвора и схема управления сканированием может быть интегральной микросхемой или схемой управления затвором (GOA), выполненной непосредственно на панели дисплея. Схема управления данными может подавать сигналы данных на множество столбцов субпикселей через множество линий данных. Контроллер синхронизации выполнен с возможностью управления схемой управления сканированием для подачи сигнала сканирования и схемой управления данными для подачи сигнала данных.

Например, область 102 отсутствия отображения панели дисплея может быть дополнительно снабжена кольцом катода, который является кольцевым и расположенным вокруг области 101 отображения. Кольцо катода соединяется со второй линией VSS электропитания и соединяется со вторым электродом, а вторая линия VSS электропитания подает сигналы на второй электрод 124 через кольцо катода. Как пример, кольцо катода может быть расположено в том же слое, что и первый электрод 121 и может соединяться со вторым электродом 124 через сквозное отверстие, обеспечиваемое в слое 122 определения пикселей. Вторая линия VSS электропитания может быть расположена в том же слое, что и первые электроды и вторые электроды множества транзисторов в схеме управления пикселем, и соединяется с кольцом катода через сквозное отверстие.

Например, область 102 отсутствия отображения панели дисплея может дополнительно быть снабжена блоком тестирования ячеек (Cell Test, CT), блоком электростатического разряда (electrostatic discharge, ESD) и т. п. Блок CT выполнен с возможностью обнаружения экрана дисплея, условий пробоя панели дисплея и т. д. и своевременного обнаружения и удаления дефектных изделий. Блок ESD выполнен с возможностью сброса статического электричества, накапливающегося на некоторых линиях сигналов (таких как линии данных, линии затвора и т. д.) панели дисплея, и функционирует в качестве схемы защиты.

Вариант осуществления настоящего раскрытия дополнительно обеспечивает устройство дисплея, которые содержит панель, описанную в любом из предшествующих вариантов осуществления. Устройство дисплея может быть любым изделием или компонентом с функцией дисплея, таким как мобильный телефон, планшетный компьютер, телевизор, дисплей, ноутбук, цифровая фоторамка и навигатор.

Хотя варианты осуществления, раскрытые в настоящем раскрытии, являются такими, как описано выше, представленное содержание является только вариантами осуществления, используемыми для удобства понимания настоящего раскрытия, и не предназначены для ограничения настоящего раскрытия. Любой специалист в данной области техники, к которой принадлежит настоящее раскрытие, может производить любую модификацию и изменения форм реализации и деталей, не отступая от сущности и объема защиты, представленных в настоящем раскрытии. Однако объем патентной защиты настоящего раскрытия продолжает подчиняться объему защиты, определяемому добавленной формулой изобретения.

Изобретение относится к области технологий дисплеев. Панель дисплея содержит слой (12) светоизлучающей структуры, слой (12) светоизлучающей структуры содержит слой (122) определения пикселей. Слой (122) определения пикселей содержит первый участок дамбы и второй участок дамбы. Первый участок дамбы и второй участок дамбы образуют множество пиксельных отверстий, расстояние между поверхностью стороны первого участка дамбы, обращенной от базовой подложки (10), и поверхностью стороны слоя планаризации, обращенной от базовой подложки (10), меньше, чем расстояние между поверхностью стороны второго участка дамбы, обращенной от базовой подложки (10), и поверхностью стороны слоя планаризации, обращенной от базовой подложки (10). Второй участок дамбы содержит первую поверхность стороны, обращенной от базовой подложки (10), и вторую поверхность стороны, обращенной к базовой подложке (10), первый участок дамбы содержит третью поверхность стороны, обращенной от базовой подложки (10), и четвертую поверхность стороны, обращенной к базовой подложке (10), и расстояние между первой поверхностью и второй поверхностью больше, чем расстояние между третьей поверхностью и четвертой поверхностью. Устройство обеспечивает повышение качества отображения. 2 н. и 68 з.п. ф-лы, 44 ил.

1. Панель дисплея, содержащая:

базовую подложку и слой структуры управления, слой светоизлучающей структуры и слой структуры инкапсуляции, последовательно расположенные на базовой подложке, при этом

слой светоизлучающей структуры содержит первый слой электродов, слой определения пикселей, функциональный светоизлучающий слой и второй слой электродов, причем первый слой электродов содержит первый электрод, а второй слой электродов содержит второй электрод; панель дисплея дополнительно содержит множество пиксельных блоков, причем каждый из множества пиксельных блоков содержит по меньшей мере один субпиксель, причем субпиксель выполнен со схемой управления пикселем, по меньшей мере одной линией данных, по меньшей мере одной линией электропитания и по меньшей мере одной линией управления, схема управления пикселем связана с первым электродом и/или со вторым электродом; схема управления пикселем содержит по меньшей мере один транзистор, транзистор содержит, по меньшей мере, область канала, электрод затвора, электрод истока и электрод стока, и линия управления выполнена с возможностью подачи сигнала управления для управления электродом затвора, чтобы включать и осуществлять связь с электродом истока и с электродом стока, или для управления электродом затвора, чтобы выключать и отсоединять электрод истока и электрод стока;

слой структуры управления содержит слой планаризации, слой планаризации расположен на стороне схемы управления пикселем, обращенной от базовой подложки, слой планаризации снабжен первым сквозным отверстием и первый электрод соединен со схемой управления пикселем через первое сквозное отверстие;

слой определения пикселей расположен на стороне слоя планаризации, обращенной от базовой подложки; слой определения пикселей содержит по меньшей мере первый участок дамбы и второй участок дамбы, причем первый участок дамбы проходит в первом направлении, второй участок дамбы проходит во втором направлении, первое направление пересекается со вторым направлением, в первом участке дамбы и втором участке дамбы образовано множество пиксельных отверстий, ортогональная проекция первого участка дамбы на базовую подложку содержит ортогональную проекцию первого сквозного отверстия слоя планаризации на базовую подложку или ортогональная проекция первого участка дамбы на базовую подложку частично перекрывается с ортогональной проекцией первого сквозного отверстия на базовую подложку;

расстояние между поверхностью стороны первого участка дамбы, обращенной от базовой подложки, и поверхностью стороны слоя планаризации, обращенной от базовой подложки, меньше, чем расстояние между поверхностью стороны второго участка дамбы, обращенной от базовой подложки, и поверхностью стороны слоя планаризации, обращенной от базовой подложки; и

второй участок дамбы содержит первую поверхность стороны, обращенной от базовой подложки, и вторую поверхность стороны, обращенной к базовой подложке, первый участок дамбы содержит третью поверхность стороны, обращенной от базовой подложки, и четвертую поверхность стороны, обращенной к базовой подложке, и расстояние между первой поверхностью и второй поверхностью больше, чем расстояние между третьей поверхностью и четвертой поверхностью.

2. Панель дисплея по п. 1, в которой:

второй участок дамбы содержит первую боковую поверхность, обращенную к пиксельным отверстиям, первая боковая поверхность второго участка дамбы содержит первую функциональную область и вторую функциональную область, последовательно расположенные в направлении удаления от базовой подложки, и вторая функциональная область содержит первую подобласть и вторую подобласть в направлении от базовой подложки;

первая подобласть соединена с первой функциональной областью и второй подобластью и существует по меньшей мере одно поперечное сечение в направлении, перпендикулярном базовой подложке, позволяющее первой функциональной области, первой подобласти и второй подобласти всем быть наклонными поверхностями; и

угол наклона первой подобласти больше, чем угол наклона второй подобласти; угол наклона второй подобласти больше, чем угол наклона первой функциональной области.

3. Панель дисплея по п. 2, в которой угол наклона первой подобласти находится в пределах между 50° и 60°; угол наклона второй подобласти находится в пределах между 30° и 40°; угол наклона первой функциональной области находится в пределах между 10°° и 20°.

4. Панель дисплея по п. 2, в которой:

линия пересечения первой подобласти и второй подобласти является первой линией пересечения и линия пересечения первой подобласти и первой функциональной области является второй линией пересечения; линия пересечения между второй подобластью и первой поверхностью второго участка дамбы является третьей линией пересечения и линия пересечения между первой функциональной областью и поверхностью первого электрода, обращенной от базовой подложки, является четвертой линией пересечения;

точка пересечения первой линии пересечения и опорной поверхности является первой точкой пересечения, точка пересечения второй линии пересечения и опорной поверхности является второй точкой пересечения, точка пересечения третьей линии пересечения и опорной поверхности является третьей точкой пересечения, точка пересечения четвертой линии пересечения и опорной поверхности является четвертой точкой пересечения и опорная поверхность является поперечным сечением, параллельным первому направлению и перпендикулярным базовой подложке; и

на опорной поверхности прямая линия, проходящая через вторую точку пересечения и третью точку пересечения, является первой опорной линией, прямая линия, проходящая через вторую точку пересечения и параллельная базовой подложке, является второй опорной линией и острый угол между первой опорной линией и второй опорной линией находится в пределах между 38° и 42°.

5. Панель дисплея по п. 4, в которой расстояние d от первой точки пересечения до первой опорной линии удовлетворяет условию: 0 < d ≤ D < AB/S, 0 < D < $$\Delta$$/2 - HL/S;

где D - действительное число больше 0; A – длина отрезка между первой точкой пересечения и третьей точкой пересечения; B - длина отрезка между первой точкой пересечения и второй точкой пересечения; S - длина отрезка между второй точкой пересечения и третьей точкой пересечения; H – длина отрезка между третьей точкой пересечения и опорной точкой, причем опорная точка является точкой пересечения между второй опорной линией и третьей опорной линией, и третья опорная линия является прямой линией, проходящей через третью точку пересечения и перпендикулярной базовой подложке; L - длина отрезка между второй точкой пересечения и опорной точкой; $$\Delta$$ - ширина первой боковой поверхности второго участка дамбы в первом направлении.

6. Панель дисплея по п. 5, в которой на опорной поверхности расстояние между первой точкой пересечения и поверхностью первого электрода, обращенной от базовой подложки, равно h1, расстояние между третьей точкой пересечения и поверхностью первого электрода, обращенной от базовой подложки, равно h3; отношение h1 к h3 находится в пределах между 0,494 и 0,742.

7. Панель дисплея по п. 6, в которой отношение h1 к h3 равно 0,618.

8. Панель дисплея по п. 6, дополнительно содержащая слой цветовых фильтров, расположенный на стороне слоя структуры инкапсуляции, обращенной от базовой подложки, причем слой цветовых фильтров содержит множество фильтровых блоков для пропускания без потерь света заданных цветов и по меньшей мере два смежных фильтровых блока для пропускания без потерь света различных цветов перекрываются друг с другом.

9. Панель дисплея по п. 8, дополнительно содержащая цветовой резистивный слой, расположенный на стороне слоя структуры инкапсуляции, обращенной от базовой подложки;

при этом цветовой резистивный слой содержит множество первых цветовых резистивных участков, проходящих вдоль первого направления, множество первых цветовых резистивных участков, последовательно расположенных во втором направлении, цветовой резистивный слой дополнительно содержит множество групп вторых цветовых резистивных участков, причем каждая группа вторых цветовых резистивных участков содержит множество вторых цветовых резистивных участков, которые расположены между двумя смежными первыми цветовыми резистивными участками и расположены с промежутками вдоль первого направления, и каждый из вторых цветовых резистивных участков проходит вдоль второго направления.

10. Панель дисплея по п. 9, в которой второй цветовой резистивный участок образован перекрывающимся участком двух смежных фильтровых блоков для пропускания света различных цветов в первом направлении или материал второго цветового резистивного участка содержит по меньшей мере одно из следующего: металлический хром, окись хрома или черную полимерную смолу.

11. Панель дисплея по п. 9, в которой угол $$\beta$$ наклона первой подобласти и угол $$\alpha$$ наклона второй подобласти удовлетворяют следующим соотношениям: $$\beta$$ < arctg (n* $$\times$$ HW/ (LBM - L3)); $$\alpha$$ < arctg (n* $$\times$$ HW/LBM), где:

n* - показатель преломления пленочного эквивалента, 1 < n* < 2;

HW - расстояние между функциональным светоизлучающим слоем первой функциональной области и вторым цветовым резистивным участком в направлении, перпендикулярном базовой подложке;

LBM - ширина второго цветового резистивного участка в первом направлении; и

L3 - ширина функционального светоизлучающего слоя первой функциональной области в первом направлении.

12. Панель дисплея по п. 9, в которой ортогональная проекция первого цветового резистивного участка на базовую подложку содержит ортогональную проекцию первого сквозного отверстия в слое планаризации на базовую подложку или ортогональная проекция первого цветового резистивного участка на базовую подложку частично перекрывается с ортогональной проекцией первого сквозного отверстия на базовую подложку.

13. Панель дисплея по п. 1, в которой первый слой электродов содержит первую подобласть и вторую подобласть, вторая подобласть содержит по меньшей мере часть первого электрода и средняя толщина указанной по меньшей мере части первого электрода в направлении, перпендикулярном базовой подложке, больше, чем средняя толщина первого электрода первой подобласти в направлении, перпендикулярном базовой подложке.

14. Панель дисплея по п. 13, в которой вторая подобласть расположена на круговой боковой стенке первого сквозного отверстия и перекрывает поверхность конца круговой боковой стенки первого сквозного отверстия, ближнего к базовой подложке.

15. Панель дисплея по п. 13, в которой вторая подобласть имеет кольцевую структуру и отношение ширины ортогональной проекции первого электрода второй подобласти на базовую подложку в первом направлении к ширине ортогональной проекции первого электрода на базовую подложку в первом направлении находится в пределах между 1/4 и 1/2.

16. Панель дисплея по п. 13, в которой ширина ортогональной проекции первого электрода второй подобласти на базовую подложку в первом направлении находится в пределах между 1 мкм и 2 мкм.

17. Панель дисплея по п. 1, в которой ортогональная проекция второго участка дамбы на базовую подложку не перекрывается с ортогональной проекцией первого сквозного отверстия на базовую подложку.

18. Панель дисплея по п. 1, в которой материал первого участка дамбы содержит по меньшей мере одно из следующего: нитрид кремния, окись кремния и оксинитрид кремния, материал второго участка дамбы содержит по меньшей мере одно из следующего: нитрид кремния, окись кремния и оксинитрид кремния, материал первого участка дамбы дополнительно содержит лиофильный материал, а материал второго участка дамбы дополнительно содержит лиофобный материал.

19. Панель дисплея по п. 1, в которой второй участок дамбы содержит первую боковую поверхность, обращенную к пиксельному отверстию, первая боковая поверхность второго участка дамбы содержит первую функциональную область и вторую функциональную область, последовательно расположенные в направлении от базовой подложки, и вторая функциональная область содержит первую подобласть и вторую подобласть в направлении от базовой подложки; и

первая подобласть соединена с первой функциональной областью и второй подобластью и в направлении, перпендикулярном базовой подложке, существует по меньшей мере одно поперечное сечение, позволяющее формам первой функциональной области, первой подобласти и второй подобласти быть непрерывными изогнутыми поверхностями.

20. Панель дисплея по п. 19, в которой по меньшей мере в одном поперечном сечении, перпендикулярном направлению базовой подложки, первая функциональная область образована как вогнутая поверхность в направлении к базовой подложке, первая подобласть образована как вогнутая поверхность в направлении к базовой подложке и вторая подобласть образована как выпуклая поверхность в направлении от базовой подложки.

21. Панель дисплея по п. 19, в которой:

линия пересечения первой подобласти и второй подобласти является первой линией пересечения и линия пересечения первой подобласти и первой функциональной области является второй линией пересечения; линия пересечения между второй подобластью и первой поверхностью второго участка дамбы является третьей линией пересечения и линия пересечения между первой функциональной областью и поверхностью первого электрода, обращенной от базовой подложки, является четвертой линией пересечения;

точка пересечения первой линии пересечения и опорной поверхности является первой точкой пересечения, точка пересечения второй линии пересечения и опорной поверхности является второй точкой пересечения, точка пересечения третьей линии пересечения и опорной поверхности является третьей точкой пересечения, точка пересечения четвертой линии пересечения и опорной поверхности является четвертой точкой пересечения и опорная поверхность является поперечным сечением, параллельным первому направлению и перпендикулярным базовой подложке;

на опорной поверхности линия пересечения между первой функциональной областью и опорной поверхностью является изогнутой соединительной линией между второй точкой пересечения и четвертой точкой пересечения; линия пересечения между первой подобластью и опорной поверхностью является первой дугой, соединяющей первую точку пересечения и вторую точку пересечения, линия пересечения между второй подобластью и опорной поверхностью является второй дугой, соединяющей первую точку пересечения и третью точку пересечения, и изогнутая линия, образованная первой дугой и второй дугой, является S-образной изогнутой линией.

22. Панель дисплея по п. 21, в которой прямая линия, проходящая через вторую точку пересечения и третью точку пересечения, является первой опорной линией, радиус кривизны первой подобласти равен радиусу кривизны второй подобласти и первая точка пересечения расположена на первой опорной линии.

23. Панель дисплея по п. 21, в которой прямая линия, проходящая через вторую точку пересечения и третью точку пересечения, является первой опорной линией, радиус кривизны первой подобласти меньше, чем радиус кривизны второй подобласти, и первая точка пересечения расположена на стороне первой опорной линии, дальней от базовой подложки.

24. Панель дисплея по п. 21, в которой прямая линия, проходящая через вторую точку пересечения и третью точку пересечения, является первой опорной линией, радиус кривизны первой подобласти больше, чем радиус кривизны второй подобласти, и первая точка пересечения расположена на стороне первой опорной линии, ближней к базовой подложке.

25. Панель дисплея по п. 21, в которой радиус кривизны Rb первой подобласти и радиус Ra кривизны второй подобласти удовлетворяет соотношению: 0 ≤ | 1/Ra - 1/Rb | / |cos$$\alpha$$ - cos$$\beta$$ | < G/$$\sigma$$;

где $$\beta$$ - угол наклона первой подобласти, $$\alpha$$ - угол наклона второй подобласти и G - гравитационная постоянная материала; $$\sigma$$ – постоянная поверхностного натяжения чернил слоя светоизлучающей структуры.

26. Панель дисплея по п. 21, в которой по меньшей мере участок линии пересечения второй функциональной области и опорной поверхности удовлетворяет следующему соотношению:

Z = (Z2 - Z1) $$\times$$ arctg (X - X0)/a $$\times$$ $$\Pi$$ + (Z2 + Z1)/2,

где (X, Z) - координаты по меньшей мере части точек на линии пересечения второй функциональной области и опорной поверхности;

а – конструктивный параметр;

$$\Pi$$ - π;

Z1 - толщина первой функциональной области в направлении, перпендикулярном базовой подложке;

Z2 - высота первой боковой поверхности второго участка дамбы в направлении, перпендикулярном базовой подложке; и

X0 - расстояние между центром второй функциональной области и началом координат, и начало координат является ортогональной проекцией геометрического центра поверхности первого электрода, представленного пиксельным отверстием, на опорную поверхность.

27. Панель по п. 21, в которой по меньшей мере участок линии пересечения первой функциональной области и опорной поверхности удовлетворяет следующему соотношению:

Z = (1/a) ^ (X ± X0 + L/2) + Z1 - 1,

где (X, Z) - координаты по меньшей мере части точек на линии пересечения первой функциональной области и опорной поверхности;

а - конструктивный параметр;

$$\Pi$$ - π;

Z1 - толщина первой функциональной области в направлении, перпендикулярном базовой подложке;

L - ширина второй функциональной области в первом направлении; и

X0 - расстояние между центром второй функциональной области и началом координат, и начало координат является ортогональной проекцией геометрического центра поверхности первого электрода, представленного пиксельным отверстием, на опорную поверхность.

28. Панель дисплея по п. 1, дополнительно содержащая затемняющий слой, расположенный на поверхности стороны слоя структуры инкапсуляции, обращенной от базовой подложки, и слой цветовых фильтров и цветовой резистивный слой, расположенные на поверхности стороны затемняющего слоя, обращенной в направлении от базовой подложки,

причем поверхность стороны слоя структуры инкапсуляции, обращенной от базовой подложки, снабжена плоским участком и изогнутым участком, причем изогнутый участок содержит, по меньшей мере, частичную область, выступающую в направлении от базовой подложки.

29. Панель дисплея по п. 28, в которой:

цветовой резистивный слой содержит множество первых цветовых резистивных участков, проходящих вдоль первого направления, множество первых цветовых резистивных участков расположены последовательно во втором направлении, цветовой резистивный слой дополнительно содержит множество групп вторых цветовых резистивных участков, каждая группа вторых цветовых резистивных участков содержит множество вторых цветовых резистивных участков, которые расположены между двумя смежными первыми цветовыми резистивными участками, соответственно, и расположены с промежутками вдоль первого направления, и каждый из вторых цветовых резистивных участков проходит вдоль второго направления; существует перекрывающийся участок между ортогональной проекцией изогнутого участка на базовую подложку и ортогональной проекцией второго цветового резистивного участка на базовую подложку; и

второй участок дамбы содержит первую боковую поверхность, обращенную к пиксельному отверстию, первая боковая поверхность второго участка дамбы содержит первую функциональную область и вторую функциональную область, расположенные последовательно в направлении от базовой подложки, и существует перекрывающийся участок между ортогональной проекцией изогнутого участка на базовую подложку и ортогональной проекцией первой функциональной области на базовую подложку.

30. Панель дисплея по п. 29, в которой поперечное сечение частичной области изогнутого участка, выступающего в направлении от базовой подложки, прорезанной плоскостью, параллельной первому направлению и перпендикулярной базовой подложке, является по меньшей мере одним из следующего:

частичной областью первого эллипса, причем длина половины короткой оси первого эллипса равна a1, длина половины длинной оси равна b1, a1=H1/2, b1=L4/2;

частичной областью второго эллипса, причем длина половины короткой оси второго эллипса равна a2, длина половины длинной оси второго эллипса равна b2, a2 ≥ H2/2, b2 = L4/2; или

местоположением между поверхностью стороны первого эллипса, обращенной от базовой подложки, и поверхностью стороны второго эллипса, обращенной от базовой подложки; где H1 - толщина слоя структуры инкапсуляции в плоской части; H2 - максимальная толщина слоя структуры инкапсуляции в направлении, перпендикулярном базовой подложке; L4 - ширина изогнутого участка в первом направлении.

31. Панель дисплея по п. 30, в которой в поперечном сечении, параллельном первому направлению и перпендикулярном базовой подложке, площадь S поперечного сечения изогнутого участка содержит площадь S0 частичной области, выступающей в направлении от базовой подложки, и площадь S1 частичной области, не выступающей в направлении от базовой подложки, площадь поперечного сечения S изогнутого участка и площадь S0 частичной области изогнутого участка, выступающей в направлении от базовой подложки, удовлетворяет соотношениям: S=S0+S1, $$\pi$$a1b1 < S <$$\pi$$a2b2, $$\pi$$a1b1+ S0 < $$\pi$$a2b2.

32. Панель дисплея по п. 30, в которой изогнутый участок содержит первый изогнутый участок, переходный участок и второй изогнутый участок, соединенные последовательно в первом направлении, каждый из первого изогнутого участка и второго изогнутого участка содержит, по меньшей мере, частичную область, выступающую из переходного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, поверхность стороны изогнутого участка, обращенной от базовой подложки, расположена между поверхностью стороны первого эллипса, обращенной от базовой подложки, и поверхностью стороны второго эллипса, обращенной от базовой подложки.

33. Панель дисплея по п. 30, в которой изогнутый участок содержит первый наклонный участок, первый изогнутый участок, переходный участок, второй изогнутый участок и второй наклонный участок, соединенные последовательно в первом направлении, и каждый из первого изогнутого участка и второго изогнутого участка выступает из переходного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке.

34. Панель дисплея по п. 33, в которой существует область перекрытия между ортогональной проекцией переходного участка на базовую подложку и ортогональной проекцией второго цветового резистивного участка на базовую подложку.

35. Панель дисплея по п. 29, в которой показатель преломления слоя цветовых фильтров больше, чем показатель преломления затемняющего слоя.

36. Панель дисплея по п. 29, в которой показатель преломления слоя структуры инкапсуляции больше, чем показатель преломления затемняющего слоя, и показатель преломления второго цветового резистивного участка больше, чем показатель преломления затемняющего слоя.

37. Панель дисплея по п. 29, в которой площадь поверхности затемняющего слоя, контактирующего со слоем структуры инкапсуляции, больше, чем площадь поверхности затемняющего слоя, контактирующего со слоем цветовых фильтров и цветового резистивного слоя.

38. Панель дисплея по п. 29, в которой слой цветовых фильтров содержит множество фильтровых блоков с различными цветами, второй цветовой резистивный участок образован на перекрывающемся участке фильтровых блоков двух смежных субпикселей различных цветов в первом направлении и угол наклона участка сопряжения фильтровых блоков двух смежных субпикселей различных цветов в первом направлении постепенно увеличивается в направлении удаления от базовой подложки.

39. Панель дисплея по п. 38, в которой угол наклона участка сопряжения фильтровых блоков двух субпикселей различных цветов, смежных в первом направлении, находится в пределах между 10° и 75°.

40. Панель дисплея по п. 38, в котором участок сопряжения фильтровых блоков двух субпикселей различных цветов, смежных в первом направлении, содержит первый участок сопряжения и второй участок сопряжения, соединенные последовательно в направлении удаления от базовой подложки, угла наклона первого участка сопряжения находится в пределах между 28° и 32°, угол наклона второго участка сопряжения находится в пределах между 55° и 65° и первый участок сопряжения и второй участок сопряжения являются изогнутыми поверхностями или наклонными поверхностями.

41. Панель дисплея по п. 28, в которой материал слоя структуры инкапсуляции содержит азот и кремний.

42. Панель дисплея по п. 28, в которой материал затемняющего слоя содержит углерод, кислород и кремний.

43. Панель дисплея по п. 28, в котором материал слоя цветовых фильтров содержит углерод и алюминий.

44. Панель дисплея по п. 28, в которой затемняющий слой обладает адгезивностью.

45. Панель дисплея по п. 28, в которой материал слоя планаризации содержит углерод, фтор, кислород и азот.

46. Панель дисплея по п. 1, в которой первый слой электродов имеет многослойную структуру, первый слой электродов содержит первый субслой первых электродов и второй субслой первых электродов, расположенный на стороне первого субслоя первых электродов, обращенного от базовой подложки, причем материал первого субслоя первых электродов содержит алюминий, а материал второго субслоя первых электродов содержит иттербий, кремний и кислород.

47. Панель дисплея по п. 46, в которой средняя толщина первого субслоя первых электродов больше, чем средняя толщина второго субслоя первых электродов.

48. Панель дисплея по п. 1, в которой по меньшей мере один из пиксельных блоков содержит первый субпиксель, излучающий свет первого цвета, второй субпиксель, излучающий свет второго цвета, и третий субпиксель, излучающий свет третьего цвета;

толщина функционального светоизлучающего слоя первого субпикселя, излучающего свет первого цвета, больше, чем толщина функционального светоизлучающего слоя, излучающего свет второго цвета, и толщина функционального светоизлучающего слоя второго субпикселя, излучающего свет второго цвета, больше, чем толщина функционального светоизлучающего слоя третьего субпикселя, излучающего свет третьего цвета.

49. Панель дисплея по п. 1, в которой второй слой электродов имеет многослойную структуру, второй слой электродов содержит первый субслой вторых электродов и второй субслой вторых электродов, расположенный на стороне первого субслоя вторых электродов, обращенной от базовой подложки, причем материал первого субслоя вторых электродов содержит индий, цинк и кислород, а материал второго субслоя вторых электродов содержит серебро.

50. Панель дисплея по п. 49, в которой средняя толщина первого субслоя вторых электродов больше, чем средняя толщина второго субслоя вторых электродов.

51. Панель дисплея по п. 1, в которой схема управления пикселем содержит первый транзистор, второй транзистор, третий транзистор, четвертый транзистор и накопительный конденсатор и субпиксель содержит первую линию затвора, вторую линию затвора и третью линию затвора, при этом

электрод затвора первого транзистора соединен с первой линией затвора, первый электрод первого транзистора соединен с линией данных, второй электрод первого транзистора соединен со вторым электродом второго транзистора, электродом затвора третьего транзистора и первой электродной пластиной накопительного конденсатора, электрод затвора второго транзистора соединен со второй линией затвора, первый электрод второго транзистора соединен со второй линией сигнала инициализации, второй электрод третьего транзистора соединен с первой линией электропитания, вторая электродная пластина накопительного конденсатора соединена с первым электродом третьего транзистора и вторым электродом четвертого транзистора, электрод затвора четвертого транзистора соединен с третьей линией затвора, первый электрод четвертого транзистора соединен с первой линией сигнала инициализации и второй электрод четвертого транзистора соединен со второй линией электропитания; и

ортогональная проекция второй электродной пластины накопительного конденсатора на базовую подложку частично перекрывает ортогональную проекцию первого сквозного отверстия на базовую подложку и вторая электродная пластина накопительного конденсатора соединена с первым электродом через первое сквозное отверстие.

52. Панель дисплея по п. 51, в которой первый транзистор, второй транзистор, третий транзистор и четвертый транзистор являются транзисторами N-типа.

53. Панель дисплея по п. 51, в которой по меньшей мере один транзистор из первого транзистора, второго транзистора, третьего транзистора и четвертого транзистора является транзистором P-типа.

54. Панель дисплея по п. 51, в которой слой структуры управления содержит активный полупроводниковый слой, изолирующий слой затвора, расположенный на стороне активного полупроводникового слоя, обращенной от базовой подложки, первый слой проводящего шаблона, расположенный на стороне изолирующего слоя затвора, обращенной от базовой подложки, промежуточный изолирующий слой, расположенный на стороне первого слоя проводящего шаблона, обращенной от базовой подложки, второй слой проводящего шаблона, расположенный на стороне промежуточного изолирующего слоя, обращенной от базовой подложки, изолирующий слой, расположенный на стороне второго слоя проводящего шаблона, обращенной от базовой подложки, причем первый электрод расположен на стороне изолирующего слоя, обращенной от базовой подложки.

55. Панель дисплея по п. 54, в которой первый слой проводящего шаблона содержит первую электродную пластину накопительного конденсатора и множество соединительных электродов, множество соединительных электродов содержит первый соединительный электрод, третий соединительный электрод и четвертый соединительный электрод; второй слой проводящего шаблона содержит вторую электродную пластину накопительного конденсатора, первую линию затвора, вторую линию затвора и третью линию затвора.

56. Панель дисплея по п. 55, в котором первый соединительный электрод соединен с третьей линией затвора через сквозное отверстие и первый соединительный электрод служит в качестве электрода затвора четвертого транзистора; третий соединительный электрод соединен с первой линией затвора через сквозное отверстие и третий соединительный электрод служит в качестве электрода затвора первого транзистора; четвертый соединительный электрод соединен со второй линией затвора через сквозное отверстие и четвертый соединительный электрод служит в качестве электрода затвора второго транзистора.

57. Панель дисплея по п. 55, в которой первая линия электропитания содержит первую линию сигнала электропитания, проходящую вдоль первого направления, и первую соединительную линию электропитания, проходящую вдоль второго направления, и линия сигнала электропитания и первая соединительная линия электропитания соединены друг с другом.

58. Панель дисплея по п. 57, в которой первая соединительная линия электропитания содержит первый участок, второй участок и третий участок, соединенные последовательно, первая линия сигнала электропитания и второй участок первой соединительной линии электропитания расположены во втором слое проводящего шаблона, а первый участок и третий участок первой соединительной линии электропитания расположены в первом слое проводящего шаблона.

59. Панель дисплея по п. 58, в которой первая линия сигнала электропитания и второй участок первой соединительной линии электропитания соединены напрямую, первый участок и второй участок первой соединительной линии электропитания соединены через сквозное отверстие и второй участок и третий участок первой соединительной линии электропитания соединены через сквозное отверстие.

60. Панель дисплея по п. 55, в которой первая линия сигнала инициализации содержит первую сублинию сигнала инициализации, проходящую вдоль первого направления, и первую соединительную линию инициализации, проходящую вдоль второго направления, и первая сублиния сигнала инициализации и первая соединительная линия инициализации соединены друг с другом.

61. Панель дисплея по п. 60, в которой первая соединительная линия инициализации содержит первый участок, второй участок и третий участок, соединенные последовательно, первая сублиния сигнала инициализации и второй участок первой соединительной линии инициализации расположены во втором слое проводящего шаблона и первый участок и третий участок первой соединительной линии инициализации расположены в первом слое проводящего шаблона.

62. Панель дисплея по п. 61, в которой первая сублиния сигнала инициализации и первый участок первой соединительной линии инициализации соединены через сквозное отверстие, первый участок и второй участок первой соединительной линии инициализации соединены через сквозное отверстие и второй участок и третий участок первой соединительной линии инициализации соединены через сквозное отверстие.

63. Панель дисплея по п. 55, в которой вторая линия сигнала инициализации содержит вторую сублинию сигнала инициализации, проходящую вдоль первого направления, и вторую соединительную линию инициализации, проходящую вдоль второго направления, причем вторая линии сигнала субинициализации и вторая соединительная линия инициализации соединены друг с другом.

64. Панель дисплея по п. 63, в которой вторая соединительная линия инициализации содержит первый участок, второй участок и третий участок, соединенные последовательно, вторая сублиния сигнала инициализации и второй участок второй соединительной линии инициализации расположены во втором слое проводящего шаблона и первый участок и третий участок второй соединительной линии инициализации расположены в первом слое проводящего шаблона.

65. Панель дисплея по п. 64, в которой вторая сублиния сигнала инициализации и третий участок второй соединительной линии инициализации соединены друг с другом через сквозное отверстие, первый участок и второй участок второй соединительной линии инициализации соединены через сквозное отверстие и второй участок и третий участок второй соединительной линии инициализации соединены через сквозное отверстие.

66. Панель дисплея по п. 55, в которой накопительный конденсатор является параллельным конденсатором, накопительный конденсатор содержит первую электродную пластину, вторую электродную пластину и третью электродную пластину, вторая электродная пластина и третья электродная пластина расположены соответственно с двух сторон первой электродной пластины в направлении, перпендикулярном базовой подложке, и вторая электродная пластина и третья электродная пластина соединены через сквозное отверстие.

67. Панель дисплея по п. 66, в которой существует перекрывающийся участок между ортогональными проекциями второй электродной пластины и первой электродной пластины на базовую подложку и существует перекрывающийся участок между ортогональными проекциями третьей электродной пластины и первой электродной пластины на базовую подложку.

68. Панель дисплея по п. 1, в которой схема управления пикселем содержит первый транзистор, второй транзистор, третий транзистор, четвертый транзистор, пятый транзистор, накопительный конденсатор и светоизлучающее устройство и субпиксель содержит первую линию затвора, вторую линию затвора и третью линию затвора, при этом

электрод затвора первого транзистора соединен с первой линией затвора, первый электрод первого транзистора соединен с линией данных, второй электрод первого транзистора соединен со вторым электродом второго транзистора, электродом затвора третьего транзистора, электродом затвора пятого транзистора и первой электродной пластиной накопительного конденсатора, электрод затвора второго транзистора соединен со второй линией затвора, первый электрод второго транзистора соединен с линией сигнала инициализации, электрод затвора четвертого транзистора соединен с линией сигнала светового излучения, первый электрод четвертого транзистора соединен с первой линией электропитания, второй электрод четвертого транзистора соединен с первым электродом третьего транзистора, второй электрод третьего транзистора соединен с первым электродом пятого транзистора, второй электрод пятого транзистора соединен со второй электродной пластиной накопительного конденсатора и первым электродом светоизлучающего устройства и второй электрод светоизлучающего устройства соединен со второй линией электропитания.

69. Панель дисплея по п. 68, в которой первый транзистор, второй транзистор, третий транзистор и пятый транзистор являются транзисторами N-типа, а четвертый транзистор является транзистором P-типа или транзистором N-типа.

70. Устройство дисплея, содержащее панель дисплея по любому из пп. 1-69.