Способ определения скорости высокотемпературной ползучести Советский патент 1983 года по МПК G01N3/00 

Изобретение относится к исследованию прочностных свойств материалов, а именно к способам определения скорости высокотемпературной ползучести. Известен способ определения скор)ости высокотемпературной ползучести, основан ный на измерении параметров позитронной аннигиляции деформируемых образцов. В известном способе определяют кривые углового распределения аннигиляционных У -фотонов, Испытывают образцы на простое последействие и по полученным результатам судят о скорости высокотемпературной ползучести { 1

Недостатком известного способа является низкая производительность определения скорости ползучести, поскольку даже небольшие изменения в структурном состоянии материала вызывают изменение скорости ползучести и необходимо произ. водить испытание на простое последействие каждого образца.

©lA QUA

где ::- и --

- параметры аннигиЧА П ляции, отнесенные Цель изобретения.- повышение производительности определения скорости высокотемпературной ползучести. Указанная цель достигается тем, что в способе определения скорости высокотемпературной ползучести, основанном на измерении параметров позитронной аннигиляции деформируемого материала, используют два образца одного материала разной структуры,определяют у каждого образца параметры Q и 0 позитронной аннигиляции, испытывают один из образцов на ползучесть и определяют скорость д его ползучести, а скорость ползучести второго образца вычисляют по формуле к показателю i расщепления дислок ций, в первом обрй зае; - параметры аннигик показателю la расщепления дисло каций, во втором образце. Способ осуществляют следующим образом. Используют два образца из одного и того же материала, но имеющего разную структуру или различное исходное состоя ние. Например, один из образцов подвергают предварительной ультразвуковой обработке, У каждого образца определяют параметры 0- и SQ позитронной аннигиляции и показатель i расщепления дислока ций. Для этого строят кривые углового распределения аннигиляционных фоторов при позитронной аннигиляции в материале и аппроксимируют кривые параболическими составляющими. Для одного из образцов определ5цот параметры 0.д и 6,2 д и показатель д, а для второго параметры , и в-2.в и показатель %. Затем один из образцов испытывак т под нагрузкой и определяют скорость бд его высокотемпературнрй ползучести. Скорость ползучести ёр, второго образца вычисляют по формуле ( Y ( с - V & /V Е) /. .f0.A.v Использование изобретения позволяет повысить производительность определения скорости высокотемпературной ползучести и обеспечить тем самым эффективность исследования высокотемпературных свойс материала и технологический контроль его структуры. Формула из об р е т е н и я Способ определения скорости высокотемпературной ползучести,основанный на измерении параметров позитронной аннигиляции деформируемого материала, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности определения, используют два образца одного материала разной структуры, определяют у каждого образца параметры б и & позитронной аннигиляции, испытывают один из образцов на ползучесть и определяют скорость ЁД его ползучести, а скорость ползучести второго образца вычисляют по формулеч) ,а f с - ч -ib / с, ь fe reut 1) гдй Х1Г -параметры анниги Аляции, отнесенные к показателю д расщепления дислокаций в первом образце -параметры анниги ляции, отнесенные к показателю & расщепления дислокаций, во втором образце. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Дехтяр А. И. и др. Позитронная аннигиляция в деформированных монокристаллах молибдена с примесью Физика твердого тела, 1978, т. 20, вьш. 4, с. 1218-1220 (прототип).