Способ определения доли позитронов, аннигилирующих в источнике Советский патент 1991 года по МПК G01N23/18 

Изобретение относится к прикладной ядерной физике и может быть использовано при исследовании материалов методом аннигиляции позитронов.

Цель изобретения - повышение точности определения доли позитронов, аннигилирующих в источнике позитронов.

Для определения доли позитронов по данному способу измерения проводились нл образцах с близкими значениями 2эр(р, но отличающимися вероятностью аннигиляции. В качестве первого образца был взят поликристаллический отожженный в вакууме алюминия А1, в качестве второго - аморфное кварцевое стекло a-Si(., образцы имели одинаковые размеры и толщину (в мг/см). Измерения спектров времени жизни позитронов проводились на временном спектрометре с рабочим разрешением 380 пс. Обработка спектров производилась по программе POSTTRONETT EXTENDED по трем компонентам.

Источник позитронов был изготовлен следующим образом.

Раствор радиоактивной соли NaCl выпаривался на подложку из майлара (1,5 мг/см ), затем подложка помещалась в пакетик из майлара, который запаивался. Активность источника составляла величину порядка 30 мкКи.

ю j

х

Р. спектре времени жи пш позитронов пег |едуемог источника и образца Л1 при обработке выделяются гри компоненты: (,t (164 + 2) г.„, Ј (Д0/±10) не; з (1680+ 70) пс с интенсивноегями 1 (15+0,3)% и I-j- (5 + 0, ПА Пти этом компонента с, 1т, имеет ор го-тю штрониевую природу, а а, I по;итронную

Значение вероятности анниги лчции н аморфном SiO молит быть определено измерением интенсивности узкого, позитрониево о типа в ре углзьои корреляции аннигиляцион- ных л- вангсв и времени жизни долго- живущей компоненты в спектре времени лизни i о штпоноя в аморфном SiOr по стандфгнои методике.

Hpi: обрабо ке спектра ьременп жиз - ни по : грон п ц тморфном SiOr, погуче- но JH х ение з, (1500 + 30) не, а ин генснрь сть узкого пика1Ы (13+0,5)%, гак кл,с конверсия в d-SiOij не иде1 то

л,

, ,у- 3-1М- ()х -

372

-3

7 1 0, 0 /) I О

счета гройШ)х совпадзний ari n i ионных -квантов в А и a-Si( ; мерялись в геометрии, в ко- тг- i Гч- гочнт1к и образцы размещени в i н измерения При этом скорое- cuera тройных совпадений за вы- ч Tia в .1 составича N

vl , )2 j, I 0) имгт/ч,1 в

1 I 1 По-Л 1 Г Ч,тт /

-юрфном -

,1(;N мп/ч Вычисленное ачоние f оказалось равным

и

ы i; -i

) ;,

i ip e.ine с pi зутьтачом оппедете- i№.. i in грототипу (f 18 + 0,5)% пок з; (Bdc r, что определенное по пред- Л1 А-- ) способу значение t правое- xonvr - учетом ошибки измерения зна- t, предьленное по прототипу, что -щд тельот о наличии неуч- теы О1 короткой компоненты в спектре

П 5

источника при определении доли f по пр 5гогиму. Спедует отметить, что ошибка н опредеиении f по данному способу определяется, Е основном, точностью измерения К,, N и может бить существенно уменьшена за сче увеличения статистики отсчетов при измерении N4, No. Приведенные резупь- таты свидетельствуют о достижении положи ельного эффекта, достигаемого при использовании данного способа

Формула изобретения

Способ определения доли позитрО нов, аннигилирующих з источнике,вклкг чающий изменение спектра времени жиз Ш1 позитронов в образце с одной ко ротксячивущей компонентой в спектре и ьер я г ностью трехквантовои анниги пяцни чозитронов РЗ-Т и определение itia к ния времени жизни и интенсив IKK-i ей долгоживутих компонент в спект

- T| i i 2, ...), обуслов

С

5

0

5

рс

la) i

i

jciii аннигиляцией позитронов в ис ro., отличающийся том, что, с целью повышения точности о о.; еления допи позитронов, допол- ни льно измеряют скорости счета N f троимых совпадений аннигиляционных квг.нгов в том же образце, а также во втором образце N с близким к первому образцу значением вероятности

трехквантовои аннигиляции позитро-

(j иов Pg-ax и, используя результаты

проведенных измерений, определяют ; iiiio позитронов f по соотношению

utyV Рв -з1 1

у

о

интенсивность и время жизни орто-пояитроние- вой компоненты в спектре времени жизни позитронов исследуемого источника и первого образца; собственное время жизни орто-позитрония.

Изобретение относится к прикладной ядерной физике и может быть использовано при исследовании мате риалов методом аннигиляции позитронов. Целью способа является повышение точности измерения доли позитронов аннигилирующих в источнике. Для этого дополнительно измеряется скорость счета тройных совпадений в изучаемом веществе, а также в веществе, отличающемся от излучаемого вероятностью трехквантовой аннигиляции, однако имеющем одинаковую с ним плотность. В качестве таких дополнительных образцов можно использовать ионные кристаллы NaCl, BaF5 и др цеолиты, нанокристалли - ческие материалы. Долю позитронов, аннигилирующих в источнике, рассчитывают по формуле, приведенной в описании изобретения. . SS (/, С