Способ определения коэффициента затухания ультразвука в слое вещества Советский патент 1983 года по МПК G01N29/00 

Изобретение относится к ультразвуковому контролю и может быть использовано для измерения коэффициента затухания ультразвука а биологггаеских материалах. Известен способ определения коэф фициента затухания ультразвука а слое вещества, заключающийся в том что размещают на его поверхности слой эталонной среды, вводят ультра звуковой импульс со стороны слоя вещества, измеряют амплитуду отраженного от свободной поверхности эталонного слоя ультразвукового импульса и учитывают г1мплитуду при определении коэффициента затухания ультразвука ,1. Однако этот способ характеризуется недостаточно широкими техио-. логическими возможностями, обус- ловленньали невозможностью определения с его помощью коэффициента зату хания ультразвука в слое не жидкого вещества. Целью изобретения является расширение технологических возможностей. . Цель достигается тем, что в способе определения коэффициента затухания ультразвука в слое вещества перёд вводом ультразвукового импуль са размещают между точкой ввода ультразвукового импульса и слоем вещества дополнительный слой эталонной среды, измеряют амплитуды от раженных от границ слоя вещества с зталонньми Ьлоями ультразвуковых 1Мпульсов, а коэффициент затухания ультразвука определяют из соотношения« () - expHe bbi где - коэффициент затуха)1ия ультразвука в слое вещества;oin коэффициент затухания эталонной среды;. t - толщина слоя вещества; Е - толщина дополнительного слоя эталонной среды; Cj- толщина основного слояэталонной среды; и - амплитуда отраженного от границы слоя вещества с дополнительньм слоем эталонной среды ультразвукового импульса; IL - амплитуда отраженного от границы слоя вещества с основным слоем эталонной среды ультразвукового импульса;и - амплитуда отраженного от свободной поверхности основного эталонного слоя ультразвукового импульса. Сущность способа определения коэффициента эатухаиия ультразвука: в слое вещества заключается в следую- ; щем. Размещают слой вещества между основным и дополнительным слоями эталонной среды, вводят ультразвуковой импульс со стороны дополнительного слоя эталонной среды, измеряют гшплитуды отраженного от свободной поверхности основного эталонного слоя, отраженных от границ слоя вещества с эталонньми слоями ультразвуковых импульсов, а коэффициент затухания ультразвука в слое вещества определяют из соотношения - .фи. Таким образом, благодаря измерению амплитуд отраженного от свободной поверхности основного эталонного слоя, отраженных от границ слоя вещества с эталонными слоями ультразвуковых импульсов, исключается необходимость изменения толщины слоя вещества и, твм-;самьм, расширяются технологические возможности.

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ЗАТУХАНИЯ УЛЬТРАЗВУКА В СЛОВ ВЕЩЕСТВА, заключающийся в , что размещают на его поверхности слой эталонной среды, вводят ультразвуковой Импульс со сторО1Ш слоя ве- щества, измеряют амплитуду отраженного от свободной поверхности эталонного слоя ультразвукового импу шса и учитывают амплитуду по определении коэффициента затухания ультразвука, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с йелью расширения технологических возможностей, перед вводом ультразвукового и шульса размвцают между точкой ввода ультразвукового импульса и слоем вещества дополнительный слой эталонной среды, измеряют амплитуду отраженных от границ слоя вещества с аталонньми слоями ультразвуковых импульсов, а коэффнциент затухания ультразвука опр целяют из соотношения (-t ,hJ4 .. cL козффициен затухания ультгде 1 звука в слое веп ства; cL - коэффициент затухания эталонной среды; в - толцина слоя веществау g - толщ;-на дополнительного слоя эталонной среды; Bjt - -толщина основного слоя эталонной среды; Ч, амплитуда отраженного от гранишь слоя вещества с дополнительным слоем эталонной среды ультразвукового импульса; . о. амплитуда отраженного от границы слоя вещества с основным слоем эталонной среды ультразвукового импульса; IND и. амплитуда отраженного от свободной поверхности основного эталонного слоя 10 ультразвукового импульса. со