Способ определения теплофизических свойств плоских твердых тел Советский патент 1983 года по МПК G01N25/18 

Изобретение относится к области технической физики и может быть использовано при определении теплофизи- ческих свойств ,твердых тел.

Цель изобретения - повышение точности измерений на образцах малой толщины ,

Способ осуществляется следующим образом,

Устанавливают датчик температуры, например, пирометр, относительно источника энергии на расстояние, большее или равное Х,, где Х„,,„ - минималь-. ное значение X, удовлетворяющее слег дующей системе неравенств:

d

СА Ф

:т1 ,5-а

Х 5/-/К,,

где сГ - толщина образца (м); а

макс максимальная верхняя граница диапазона возможного изменения величины температур опр овод иос т и материалов образца ( сек ); V - скорость перемещения источника и датчика температуры (м -сек ) J К - коэффициент сосредоточенности нормально кругового источника энергии (м ), Затем источник энергии и установленный на расстоя1ШИ, большем или равном Х„„к от него датчик температуры перемещают с пос тоянной скоростью вдоль поверхности образца так, чтобы источник и датчи перемещались вдоль одной и той же л нии. Измеряют временную зависимость температуры поверхности образца. Оп ределяют предельную температуру поверхности образца, соответствующую установившемуся квазистационарному режиму нагрева, а температуропроводиЬсть материала образца определяют по формуле (T-To) Ч где q - мощность источника энергии (Вт); Т - предельная температура по верхности образца (град); Т - начальная температура образца (град); V - скорость перемещения источника энергии и датчика температуры (м « сек); L - расстояние между центром пятна нагрева источника энергии на поверхности образца и точкой, в которой измеряется поверхностная температура образца (м); - толщина образца (м); ( - теплопроводность материала образца (Вт.м-град ). Изобретение позволяет измерять температуропроводность тонких плоски образцов. Формула изобретения Способ определения температуропро водности твердых тел, включающий нагрев образца сосредоточенным источником энергии, перемещаемым с постоянной скоростью относительно образца измерение датчиком температуры временной зависимости поверхностной те1 ературы образца, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, на образцах малой толщины, нагрев образца осуществляют нормально круговым источником энергии, а датчик температуры, расположенный от источника энергии на расстоянии, большем или равном минимальному значению X, удовлетворяющему следующей системе неравенств: , Х77,5а,,, V .УК где толщина образца, м;; верхняя граница диапазона возможного изменения величины температуропроводности материалов образца, м -сек) V - скорость перемещения источника энергии и датчика температуры, м/сек; К - коэффициент сосредоточенности нормально кругового источника энергии, м, перемещают синхронно с источником энергии по ОД-. ной и той же прямой, при этом температуропроводность материала образца определяют по формуле: «.J ЖЖЧ.Г J о J 4frVL i -.A-. (Т-Тр) Д сС 1 где q - мощность источника энергии, Вт, Т - предельная температура поверхности образца, соответствующая установившемуся режиму нагрева, град, TO - начальная температура образца, град, L - расстояние между центром пятна нагрева источника энергии на поверхности образца и точкой, в которой измеряется поверхностная температура образца, м, А- теплопроводность материала образца, Вт м -град

.Изобретение отн;осится к области технической физики и может быть ис- ; пользовано при определении теплофизических свойств твердых тел. Цель изобретения - повьпиение точности измерений на образцах малой толщины, При , осуществлении способа устанавливают бесконтактный датчик температуры относительно источника энергии на тонкие, удовлетворяющее следующей .системе неравенств ,5а Х 5/-/К, где толщина образца, микс верхняя граница диапазона возможного изменения величины температуропроводности материалов образца; V - скорость перемещения источника энергии; К - коэффициент сосредотрченности нормально кругового источника энергии. Затем перемещают источник энергии и датчик температурь с постоянной скоростью вдоль поверхности образца так, чтобы источник и датчик перемещались по одной и той же линии; , Измеряют временную зависимость поверх(Л |Ностной температуры образца, определя;ют предельную температуру поверхности С образца, соответствующую установивщемуся квазистационарному режиму нагрева, по величине которой судят об искомом параметре.