Фототермопластический материал Советский патент 1983 года по МПК G03G5/22 G03G5/08 G03G5/85 G03C1/72 C03C3/26 

Описание патента на изобретение SU1040460A1

Изобретение относится к несеребряным регистрирующим материалам, конкретно к фототермопластическому материалу, который может быть испол зован для быстрой регистрации и воспроизведения информации-в обычно и голографической форме. Из вестен фототермопластический материал, состоящий из электроизоли рующей подложки, электропроводящего покрытия, инжекционного слоя из сплава селена с фосфором и фототерм .пластического слоя, содержащего поли-М-винилкарбазол и теломер стирола с дивинилом. Данный фототермопластический материал прозрачен, обладает высокой чувствительностью к видимой области спектра и термо-. стабильностью l . Недостатком указанного материала является низк.ая чувствительность к длинноволновой области спектра л-О, О 5 для обеспечения работы в голографических устройствах при записи информации на длинах волн 441 и 633 нм.. Наиболее близким к предлагаемому является фототермопластический материал 2j , состоящий из электроизолирующей подложки, электропроводящего покрытия, инжекционного слоя толщиной 0,11-0,2 мкм из стеклообразного селена с мышьяком и теллуром и фототермопластйческого слоя, включающего пoли-N-винилкapбaзoл и термопластический полимер,причем инжекционный слой содержит, мас.%: Селен85-91 Мышьяк3-5 Теллур, 6-10 Данный материал прозрачен, тер мостабилен, обладает высокой чувствительностью к видимой области спек ра и более высокой к длинноволновой зоне спектра (V 2,5 ). Однако эта чувствительность является недостаточно высокой для обеспечения работы этих материалов в голографических устройствах при записи информации на длине волны 633 нм. Цель изобретения - повышение чувствительности материала к длинно волновой области спектра при сохранении его термостабильности и прозрачности. Указанная цель достигается тем, что фототермопластический материал, состоящий из электроизолирующей подложки и последовательно нанесенных на нее электропроводящего покры тия, инжекционного слоя толщиной 0,1-0,2 мкм из стеклообразного трех компонентного сплава, содержащего с лен и теллур, и фототермопластического слоя, согласно изобретению, ин жекционный слой в качестве стеклооб разного трехкомпонентного сплава со держит сплав селена с теллуром и фосфором при следующем соотношении компонентов, ат.%: Селен89,7-94,9 Теллур5,0-10,0 Фосфор0,1-0,3 Пример 1 |прототщ1). На |металлизированную никелем полиэтилен|терефталатную основу напыляют инжек1ЦИОННЫЙ слой сплава селена с теллуipoM и мышьяком состава, ат.%: селен 85; теллур 10; мышьяк5. Толщина слоя 0,1 мкм. Затем методом купающего ролика из раствора в толуоле наносят фототермопластическую композицию состава: поли-К-винилкарбазол и теломер стирола с дивинилом в соотношении 1:1. Толщина полимерного, покрытия составляет 2-3 мкм. Приготовленный материал высушивают в вакуумном сушильном шкафу при комнат- ной температуре в течение 2-3 ч. Пример 2. Аналогично приме-, ру 1 получают фототермопластический материал при использовании в качестве инжекционного слоя сплава селена с теллуром и фосфором состава, ат.%: селен 89,9; теллур 10 и фосфор 0,1. Толщина инжекционного слоя 0,15 мкм. Пример 3. Аналогично примеру 1 готовят фототермопластический материал с применением хрома при получении электропроводящего пЪкрытия и сплава селена с теллуром и фосфором состава соответственно (92,2: :7,5:О , З) ат.% в качестве инжекционного слоя толщиной 0,1 мкм. Пример 4. Аналогично примеру 1 получают фототермопластический (ФТП| материал с применением в качестве термопластического полимера канифоли, модифицированной диалином, а в качестве инжекционного слоя толщиной 0,2 мкм спла.ва, содержащего 94,9 ат.% селена, 5 ат.% теллура и 0,1 ат.% фосфора. Пример 5, Аналогично -примеру, 1 получают ФТП-материал при ис- пользований в качестве инжекционного слоя сплава селена с теллуром и фосфором состава, ат.%: селен 89,5; теллур 10 и фосфор 0,5. Толщина инжекционного слоя 0,1 мкм. Пример 6. Аналогично примеру 1 получают ФТП-материал с применением в качестве инжекционного слоя сплава селена с теллуром и фосфором состава, ат.%: селен 87,9, теллур 12 и фосфор 0,1. Толщина инжекционного слоя 0,1 мкм. Пример 7. Аналогично примеру 1 получают ФТП-материал с применением в качестве инжекционного слоя сплава селена с теллуром и фосфором со/става, ат.%: селен 96,9; теллур 3,0 и фосфор 0,1. Толщина инжекционного слоя 0,1 мкм.

П р и м е р 8. Аналогично примеру 1 получают .ФТП-материал с приме- нением титана при получении электропроводящего покрытия и сплава селена с теллуром и фосфором состава соответственно (92,7:7,5:0,3) ат.% в качестве инжекционного слоя толщиной О,1 мкм.

Пример 9. Аналогично примеру 1 получают ФТП-материал с применением в качестве термопластического полимера сополимер дифенилполи- j силоксана с фёнантринилсилоксаном, а в качестве инжеционного слоя толщиной 0,2 мкм сплава, содержащего 94,9.ат.% селена, 5 ат.% теллура и 0,1 ат.% фосфора.

Данные о чувствительности и термостабильности материалов приведены в таблице.

Похожие патенты SU1040460A1

название год авторы номер документа
Фототермопластический материал 1980
  • Зеленина Людмила Ивановна
  • Володина Авиэтта Петровна
  • Постников Александр Александрович
  • Павлов Александр Валентинович
  • Орлова Галина Михайловна
SU896591A1
Фототермопластический материал и способ его получения 1981
  • Ряннель Эро Федорович
  • Каплинская Людмила Викторовна
SU995058A1
Фототермопластический материал для записи информации 1981
  • Постников Александр Александрович
  • Табатадзе Джумбери Григорьевич
SU1108384A1
Фототермопластический материал 1976
  • Зеленина Л.И.
  • Постников А.А.
  • Табатадзе Д.Г.
  • Павлов А.В.
SU689586A1
Электрофотографический материал 1984
  • Ряннель Эро Федорович
  • Каплинская Людмила Викторовна
SU1223191A1
Фототермопластический материал 1980
  • Бородкина Мария Сергеевна
  • Чельцова Татьяна Всеволодовна
  • Черкасов Юрий Андреевич
  • Буров Павел Александрович
  • Толмачев Алексей Иванович
  • Кудинова Маргарита Александровна
  • Шулежко Людмила Михайловна
SU938242A1
Фототермопластический носитель информации 1981
  • Дзесова Фатима Кудзаговна
  • Бекичева Любовь Ивановна
  • Баратов Александр Гургенович
  • Пойманов Анатолий Михайлович
  • Волкова Анастасия Григорьевна
SU1004952A1
Фототермопластический материал 1991
  • Радугина Юлия Евгеньевна
  • Еремина Тамара Тихоновна
  • Крюков Владислав Валерьевич
  • Малахова Ирина Александровна
SU1768044A3
Способ изготовления фототермопластического материала 1988
  • Черкасов Юрий Андреевич
  • Александрова Елена Львовна
SU1665336A1
Фототермопластический материал для записи информации 1981
  • Бородкина Мария Сергеевна
  • Малахова Ирина Александровна
  • Чельцова Татьяна Всеволодовна
  • Черкасов Юрий Андреевич
  • Крюков Владислав Валерьевич
SU1108383A1

Реферат патента 1983 года Фототермопластический материал

ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЁСКИЙ МАТЕРИАЛ, состоящий из электроизолирующей подложки и последовательно нанесенных «а нее электропроводящего покЕ :1ТИя, инже цирниого слоя толщиной 0,1-0,2 мкм из стеклообразного трехкомпонентного сплава, сЬдержащего селен-и теллур, и фототермопластическрго слоя, о т ли ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения чувствительности материала к длинноволновойч области спектра при сохранении его термостабильности и прозрачности, инжекционный слой в качестве трехксмпонентного сплава cpeepjiatT сплав селена с тел9 луром и (фосфором при следукздем соотношении компоиентов, аФ.%« Селен89, Теллур i 5,0-10|fO ; Фосфор ;0,1-0,3

Формула изобретения SU 1 040 460 A1

Из таблицы видно, что чувствитель- у материала, полученного по протоность материала, полученного по пред- ;типу. При этом термостабильность и лагаемому способу, к излучению с прозрачность материала сохраня - 633 нм в 1,5-2 раза выше, чем 45 ют.ся.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1983 года SU1040460A1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Зеленина Л.И
и др
Неорганические фотопроводящие материалы, для носителей фототермопластической t записи
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Способ получения фтористых солей 1914
  • Коробочкин З.Х.
SU1980A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Нож для соломорезки 1922
  • Новиков А.И.
SU896A1
Кипятильник для воды 1921
  • Богач Б.И.
SU5A1
SLL, 1040460 А 3C5DQJI3 G j /022; G 03 G J5/08.; S,03 G 5/085;G 03 С 1/72; С 03
.
.
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
;:,...Г-.
v E-f-vfi i----

SU 1 040 460 A1

Авторы

Зеленина Людмила Ивановна

Володина Авиэтта Петровна

Постников Александр Александрович

Орлова Галина Михайловна

Туркина Елена Юрьевна

Даты

1983-09-07Публикация

1981-07-20Подача