Фототермопластический материал и способ его получения Советский патент 1983 года по МПК G03G5/22 G03G5/08 

(54) ФОТОТШ МОПЛАСТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ Изобретение относится к электрофотогра фии, в частности к фототермопластическим материалам (ФТП) н способу их получения, и может быть использовано для оперативной регистрации, хране1шя и обработки оптической информации, голографии, прямой съемки; и т.п Известен ФТП мате{жал, состоящий из ме таллизированной подложки, инжекционного . слоя селена и фотопроводящегослоя, включаю щего полн-Ы-виннлкарбазол (ПВК) и теломер стирола с дившшлом {Ц. Недостатками этого материала являются низкая электрофотографитеская чувствительность в области спектра 600-700 нм, а также низкая термостабильность и сохраняемость. Наиболее близким по технической сущности к изобретению является фототермопластиЧеский материал, состояидкй из ленты - под ложки с последовательно нанесенными на нее электропроводящим слоем, янжекционным слоем, содержащим селен и теллур, и фотбпро вЬдящим слоем на основе теломера стирола с дивинилом 2. Известный материал нмеет более высокую электрофотографнческую чувствительность во всей видимой области спекгра, включая область 600-650 нм, однако для ряда применений, в частности для прямой съемки и голографической записи на длине волнь 695 нм, его чувствительность недостаточно высока. Другим важным недостатком указанного материала является низкая термостабнльность н сохраняемость. , Цель изобретения - увеличение злектрофотографической чувствительности, термостабнльности и жизнёспособностн материала при хранении. Поставленная цель достигается тем, что известный фототермопластнческий материал , состояощй из ленты - подложки с последовательно нанесенными на нее электропроводящим слоем, инжекщюнным слоем, содержащим селен и теллур, и фотопроводящим слоем на основе теломера стнрола с дивинилом, содержит инжекционный слой толщиной 0,03-0,5 мкм с переменной по толщине данного слоя концентрацией теллура, возрастающей от поверхнос39ТИ электропроводящего слоя до поверхности фотопроводящего слоя с 0,01-3,0 до 5,0- 2р,0 ат.%. Для достижения поставленной цели в известном способе получения указанного матери ала, включающем нанесение на ленту - подложку электропроводящего слоя, вакуумное напыление на электропроводящий слой инжекдионного слоя нз селена и теллура и полив из раствора фотопроводящего слоя на инжекционный слой, последний напыляют из раздельных источников на ленту - подложку, пе ремещаемую с постоянной скоростью в направлении от источника селена к источнику теллура, причем относительную скорость концентрации веществ вдоль зоны напыления в направлении движения подложки меняют от 0,01-3,0 до 5,0-20,0 ат.% для теллура и от 97,0-99,99 до 80,0-95 ат.% для селена. Пример l.Ha полимерную основу с нанесенным прозрачным электропроводящим слоем никеля, перемещаемую со скоростью 3 м/мин, наносится слой селена с примесью теллура термическим испарением селена и теллура в вакууме 1-5 мм рт . ст. из раздельных источников нри температуре испарителя селена 330-335° С и теллура 420-425° С. Подложка-лента перемещалась от источника селе на к источнику теллура. Расстояние между источниками составляло 80 мм, а от исто шиков до основы - 170 мм. С помощью подвижных зкраж ; разделительного между источниками и двух, ограничивающих зону напыления со стороны селена и теллура, создавалось такое распределение, скоростей конденсаадш селена и теллура вроль зоны цапыления, что концентрация теллура у подложки составляла 0,01 ат.%, а у поверхности слоя - 20 ат.%. Толщина с|1оя составляла 0,1 мкм. Поверх инжекционного слоя из толуольного раствора наносилась композиция ПВК и теломера стирола с дивинилом в весовом соотнощении 1:1. Электрофотографическая чувствительность измерялась после сушки полученного слоя толщиной 2 мкм и оценивалась по времени фотоиндуцированного спада поверхностного потенциала до величины А V/Vo -0,1. Пример 2. На , металлизирюванную подложку наносился слой чистого селена марки ОС Ч термическим испарением в вакууме при температуре испарителя 330-335°С, а затем фотопроводящий слой по примеру 1. Пример 3. На металлизированную подложку термическим испарением в вакууме механической смеси селена с добавками при температуре испарителя 330-335°С наносился однородный по толщине ийжекционный слой толщиной 0,1 мкм (содержание примесей в испаряемой смеск -;составляло: Те - 8 вес.%; Sb - 1 вес.%; S - 1 вес.%. Поверх инжекционного слоя наносился фотопроводящий слой по примеру 1. Примеры 4-21. Изготавливались образцы ФТП материала по примеру 1, но перемещением экранов (5) и (12) и изменением направления движения подлоЯски изменялись граничные концентрации теллура и знак градиента, его концентрации. Значения граничных концентраций теллура и сравнительные характеристики образцов ФТП материалов по примерам 1-21 приведены в таблице.

250 200 300 250 300 300 300 200

300

0,4 0,04

20

,02 6 8 15 15 15 15

20

0,2 0,4

.0,6,:

360

360

0,8

360 0,8

100 0,4 Как видно из таблицы, образцы предлагземого материала с градиентом содержания тел лура в инжекциошюм слое имеют электрофотографическую чувствительность в 2-5 раз большую, чем известные с однородным содержанием примеси (пример 3), в 25 раз большую, чем известные с инжекщонным слоем чисто селена, в 18 раз меньшую скорость темнового спада потенциала. Результаты исследования влияния термообработки на характеристики образцов пока зали, что образш 1 предлагаемого материала ИЁ изменяют электрофотографической чувствнте ьносга при термообработке в течение 30 мин при температуре До 120С. В то же время у образцов известных материалов по примерам 2 и 3 термообработка уже при температуре в течение 30 мин приводила к необратимому уменьшению электрофотографической чувствительности более, , чем вдвое. Исследование злектрофот ографическсж чувс твительности образцов по примерам 1-21 в процессе их хранения в комнатных условиях показало, что у образцов предлагаемого материала чувствительности в области 440-550 нм не изменяется, а в области 600-650 им возрастает в те%ние десяти месяцев Хранения. У образцов известных материалов по примерам 1 и 2 %рез два месяца хранения чувствительность нео атимо уменьшилась более, чем вдвое. Формула изо б р е т е н и я 1. Фототермопластический материал, состоящий из ленты - подложки с последователыю нанесенными на нее электропроводящим слоем, инжекциошшм слоем,, содержащим селей н теллур, н фотсшроводящим слоем на основе теломера стирола с дивинилом, о т л и : чающийся тем, что, с целью увеличения злектрофотографической чувствительности, термостабипьиости и жизнеспособности материала 1фи хранении, ая содержит инжекциониый слой толщиной 0,03-0,5 мкм с переменной по толщине данного слоя концентрацией теллура, возрастающей от поверхности электропроводящего слоя до поверхности фо топроводящего слоя с 0,01-3,0 до 5,020,0 ат.%. 7 9950588 2. Способ получения материала по п, 1.подлож;ки меняют от 0,01-3,0 до 5,0-20,0 ат.% включающий нанесение на ленту-подложку для теллура н от 97,0-99,99 до 80,0-9510 ат.% электропроводящего слоя, вакуумное напылениедля селена, на электропроводящий слой инжекцнонного слоя нз селена и теллура н полив из раствора sИсточники информации, фотопроводящего слоя на инжекцнонный слой,принятые во внимание при экспертизе отличающийся тем, что инжек-1. Авторское свидетельство СССР N 336638, ционный слой напыляют из раздельных источ-кл. G 03 G 5/04, 1970. инков, ita леиту-подложку, , перемещаемую2. Недюжнй С. А.,. Павлов А. В., Табас постоянной скоростью в направлении от д р Чельцова Т. В. Регистрирующие источника селена к источнику теллура, причемсреды для изобразительной голографии и киноотносительную скорость концентрации веществголографии. Л. Наука, 1979,. 49 (протовдоль зоны напыления в направлений движениятир).