Сегнетоэлектрический элемент памяти Советский патент 1983 года по МПК G11C11/22 

сл |

:о эо Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано в запоминающих уотройствах вычислительных машин. Известен элемент памяти, содержа щий две жестко связанные по общей плоскости сегнетокерамические пласт ны, из которых одна является входно секцией элемента, тгамяти, имеющей- не менное направление вектора поряриза ции- и служащей для опроса инфсрма.ции. Эта пластина изготовлена из горячепрессованной пь.езокерамики толщиной 230 мкм. Вторая пластина является выходной секцией элемента памяти, несущей на свободной поверх ности один или более электродов, на равление вектора полярности под которыми изменяется в соответствии С за данным-кодом информации, и служит для хранения информации. Эта пласти имеет толщину 60 мкм l Недостатком устройства является неудовлетворительное энергопотребление , обусловленное высокими напря ниями для записи информации. Наиболее близким .по технической сущности к предлагаемому/.является элемент памяти, содержащий две с,егл токерамические пластины.толщиной 10Q мкм, соединенные по общему элек роду 2j . . . Однако известное устройство хара теризуется также высоким энергопотреблением. в связи с-тем что напряжение записи равно 150 В. Цель изобретения - снижение энергопотребления сегнетоэлектрического элемента памяти. Поставленная цель достигается те НТО, в сегнетоэлектрический элемент ,1амяти, содержащий две пл.астины сегнетокерамического материала, на первую из которых нанесены общий электрод и входной электрод, а на нторуй - два выходных электрода, -Введены дополнительная пластина сег токерамического материала, расположенная на общем электроде, и два дополнительных общих электрода, нанесенных на дополнительную пластину сегнетокерамического материала, а вторая пластина сегнетокерамического материала расположе.на на двух дополнительных общих электродах. На чертеже показан сегнетоэлектрический элемент памяти, поперечный разрез, Элемент содержит цве пластины 1 и 2 сегнетокерамического материала, .дополнительную пластину 3 сегнетокерамического материала, общий электрод 4, выходные электроды 5, дополнительные общие электроды 6 и входной электрод 7 . Элемент работает следующим обра-. зом. . Пластина 1 служит для возбуходения в пластинах 2 и 3 механических напряжений. Входное напряжение записи подается на электроды 4 и 7, причем электрод 4 может быть заземлен. Пластина 3 служит для записи информации. На электрод 4 подают .положительный потенциал импульса записи, а на электрол 6 - отрицательный потенциал импульса записи для записи 1. Для записи в пл астину 3 кода О положительный: потенциал импуль.Са записи, подают на электрод 6, а отрицательный потенциал - на электрод 4,. Направление векторов поляризации в пластинах 1 и 2 остается постоянным. При считывании информации на электроды 4 и 7 подается испульс опроса, выходное напряжение снимается с электродов 4 и 5. : Испытание сегнетоэлектрического элемента памяти показывает, что напряжение записи может быть уменьшено до 15 В при выходном сигнале считывания не менее 200 мВ, что существенно снижает энергопотребление элемента памяти,

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий две пластины сег нетокерамического материала, на первую из которых нанесены общий элект- . род и. входной электрод, а на вторую два выходных электрода, о т л и ч аю щ и. и с я тем, что, с целью снижения энергопотребления элемента памя ти, в него введенц дополнительная пластина сегнетокёрамического мате- риала, расположенная на общем электроде,, и два дополнительных обЩих электрода, нанесенных на дополнительную пластину сегнетокерамического материала, а вторая пластина сегнетокерамического материала расположена на двух дополнительных общих электродах.