СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ Советский патент 1973 года по МПК H01C7/04 

1

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к способу вакуумно-термического напыления тонкопленочных терморезисторов, используемых в качестве элементов тонкопленочных .микросхем.

Известен способ изготовления тонкопленочных терморезисторов путем нанесения на подложку смеси окислов марганца, кобальта и меди.

Недостатком известного способа является низкий температурный коэффициент сопротивления (ТК,С) и недостаточная стабильность изготовляемых терморезисторов.

По предлагаемому способу с целью повышения ТКС и стабильности терморезисторов смесь окислов марганца, кобальта и меди .методом термического испарения в вакууме наносят па предварительно осажденный тем же методом на подложку слой окиси марганца.

Согласно изобретению терморезисторы получают методом вакуумно-термического напыления тер.мочувствительной пленки на основе полупроводниковых окислов марганца, меди и

кобальта толщиной на предварительно осажденный в этом же технологическом дикле подслой окиси марганца толщиной 100-

о.300 А с последующим отжигом пленки на воздухе при температуре 400-500°С в течение 6-8 час для увеличения ТКС. Подслой окиси

марганца повышает адгезию термочувствительной пленки к подложке, снижает внутренние напряжения в пленке, что звеличивает ее стабильность. В качестве испаряемого материала для термочувствительной пленки подобран состав полупроводниковых окисей марганца, кобальта и .меди в следующих весовых соотношениях:

от 62-70%

МпаОз от 18-30% СОаОз от 8-12%, СпО

а в качестве материала подслоя, не снижающего термочувствительность пленки, предложена окись марганца МпзОз.

В качестве электродов и контактов терморезистора с элементами микросхемы используют пленки алюминия или золота, осаждаемые методом вакуумного термического напыления через .маски.

Предлагаемый способ опробован в лабораторных условиях на предприятии заявителя и позволил достичь высокой степени надежности терморезистора. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) имеет отрицательный знак, величина его 3-5% на градус Цельсия при температуре 20°С. Сопротивление полученных терморезисторов составляет от 500 ом до 1 мом. 34

Предмет изобретенияратурного коэффициента сопротивления и стаСпособ изготовления тонкопленочных термо- окислой методом термического испарения в варезисторов путем нанесения на подложку оме- кууме наносят на предварительно осажденный си окислов марганца, кобальта и меди, отли- 5 тем же методом на подложку слой окиси марчающийся тем, что, с целью повышения темпе- ганца.

Э6И71

бйльйоетй терморезисторов, указанную смесь