Способ регулирования магнитных параметров эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки Советский патент 1984 года по МПК G11C11/14 

05

СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ МАГНИТНЫХ ПАРАМЕТРОВ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ФЕРРИТ-ГРАНАТОВОЙ ПЛЕНКИ, основанный на воздействии на эпитаксиальную феррит-гранатовую пленку сжимающих напряжений , отличающийся тем, что, с целью упрощения регулирования магнитных параметров эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки, сжимающие напряжения создают всесторонним радиальным давлением в плоскости пленки величиной 0,1-5 кбао.

Изобретение относится к вычислительной технике и может найти применение при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Информационная плотность носителей информации в эпитаксиальных феррит-гранатовых пленках определяется параметрами магнитной доменной структуры, т.е. размерами (диаметром) ЦМД и периодом решетки ЦМД (минимальным расстоянием между центрами смежных . ЦМД) или шириной полосового -домена.

Известен способ регулирования магнитных параметров эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки, основанный i на нагреве пленки вместе с подложкой до 1100-1300°С и ее выдержке при данной температуре в течение 3-10 чСи,

Этот способ обладает недостатками изменение магнитных параметров пленки необратимо; решетка ЦМД становится неустойчивой, особенно при приложении магнитных полей в плоскости пленки, и самопроизвольно переходит в полосовую страйп-структуру; многократные отжиги могут вызывать разрушение пленки.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ регулирования магнитных параметров эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки, основанный на создании в плоскости пленки сжимающих напряжений либо с помощью двух сил, приложенных к противоположным граням образца квадратной формы, либэ с помощью множества ребер из эпоксидной смолы, сформированных на поверхности пленки и вызывающих изгиб пленки за счет разных коэффициентов термического расширения материала подложки и наносимого полимерного материала С2.

Недостатком известного способа является трудоемкость создания ребер на поверхности пленки. Кроме того, способ не позволяет увеличить плотность доменной структуры и при воздействии одноосных напряжений определенной величины на магнитную пленку ЦВД и решетка ЦМД переходят в систему полосовых доменов.

Целью изобретения является упрощение регулирования магнитных параметров эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки.

Поставленная цель достигается тем что согласно способу регулирования магнитных параметров эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки, основанному на воздействии на эпитаксиальную феррит-гранатовую пленку сжимающих напряжений, последние создают всесторонним радиальным давлением в плоскости пленки величиной 0,1-5 кбар.

При таком режиме создания сжимающих усилий происходит изменение параметра кристаллической решетки подложки и пленки и, вследствие отличия от нуля константы магнитострикции пленки (эффекта магнитострикции происходит изменение целого ря.,а ее е магнитных параметров. одноосной анизотропии, характеристической длины, намагниченности насыщения, ширины страйпа, диаметра одиночного ЦМД, плотности решетки ЦМД и т.д.

Нижний предел 0,1 кбар выбран из условия начала влияния давления н магнитные параметры, а верхний 5 кба определяется прочностью эпитаксиальной пленки.

На чертеже приведены зависимости магнитных параметров эпитаксиальной пленки от внешнего давления.

В соответствии с предложенным способом регулирование магнитных параметров эпитаксиальной феррит-гранатовой пленки может осуществляться в тр этапа.

этап заключается в подготовке; образцов пленок -на подложке. Образцы, как правило, вырезаются в виде круглого диска нужного диаметра и торцы их притираются. Всесторонние радиальные сжимающие напряжения в плоскости пленки создают, помещая образец в обжимающие устройства различных конструкций или специальные обоймы из немагнитного материала: бериллиевой бронзы, дюралюминия и т.д. Давление передается от внутреннего торца цилиндрической поверхности обойм на торцовую цилиндрическую поверхность образца.

Второй этап сводится к измерению полученных давлений и осуществляется с помощью рентгеновского метода следующим образом.

На рентгеновском.дифрактометре Дрон-2 излучанйё Су k j измеряется параметр кристаллической решетки пленки (по положению линии 888/ для исходного и находящихся под внешним давлением образцов. По данным рентге- неструктурных исследований рассчитываются напряжения в пленке

. f-f

2-

- модуль Юнга граната/

где Е коэффициент Пуассона)

S

gl. Ла-- .«оа,, параметр кристаллической

решетки пленки при внешне , давлении p-U, ло - разность между параметра ми решеток пленки при р. 0

и .

Третий этап состоит в измерении магнитных характеристик исходных пленок, который обычно проводится заранее, и измерении магнитных характеристик тех же пленок, но нахо