Интегральная схема Советский патент 1988 года по МПК H01L23/12 

(Л

с

50

э

00

:л

X) /. Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов. Известна интегральная схема, содержащая полупроводниковый кристалл закрепленньй на кристаллодержателе выводной рамки, выполненной из метал лической ленты, плакированной золотом. Золото позволяет осуществить надежный низкоомный контакт полупровод никового кристалла с кристаллодержателем. Недостатком данной конструкции яв ляется необходимость использования драгоценного металла золота. Известна также конструкция интегральной .схемы, содержащая полупроводниковый кристалл, закрепленный на кристаллодержателе выводной рамки, выполненной из металлической лен ты, плакированной полосой алюминия, в которой выполнено углубление. Полупроводниковый кристалл в данной конструкции электрически соединен ко ммутационными. проводниками с внутренними концами выгодной рамки, контактная поверхность которых покры та алюминием. Покрытие алюминием обеспечивает высокую надежность контакта коммутационного проводника с внутренним концом выводной рамки. Однако следуе отметить, что, т.к. монтажная область кристаллодержателя также покры та алюминием, возникают затруднения в обеспечении надежного низкоомного контакта с полупроводниковым кристал лом . Это объясняется тем, что пайка к алюминию обычно осуществляется спе циальными припоями с использованием агрессивных флюсов. Применение же ультразвуковых методов пайки вызывает значительные механические воздействия, на полупроводниковый кристалл что приводит к его разрушению. Кроме того, соединения кристалла с алюминием не обеспечивают надежный низкоомный контакт. Целью изобретения является повышение технологической и эксплуатационной надежности интегральной схемы. Указанная цель достигается тем, что в интегральной схеме, содержащей полупроводниковый кристалл, соединенный с кристаллодержателем выводной рамки, выполненной из металлической ленты, плакированной полосой aJпoминия, в кристаллодержателе выполнено окно для размещения полупроводникового кристалла, основание которого соединено с основанием кристаллодержателя. На чертеже изображен общий вид интегральной схемы. Интегральная схема имеет полупроводниковый кристалл 1, размещенный внутри окна, выполненного в кристаллодержателе 2 выводной раМки 3, изготовленной из металлической ленты,плакированной алюминием, благодаря чему контактные площадки внутренних концов выводной рамки 3 и кристаллодержатель 2 покрыты слоем 4 алюминия. Полупроводниковый кристалл 1 электрически соединен коммутационными проводниками 5 с контактными площадками внутренних концов выводной рамки 3. Полупроводниковый кристалл 1 соединен при помощи армированного припоя 6 с основанием кристаллодержателя 2, которое не покрыто алюминием, вследствие чего достигается надежный низкоомный контакт и упрощается технология сборки интегральной схемы. Полупроводниковый кристалл 1 в сборе с выводной рамкой 3 заключен в пластмассовый кОр-пус 7. Использование данного изобретения позволит повысить надежность схемы и снизить себестоимость ее йзготов-, ления.

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая полупроводниковый кристалл, соединеннь1й с кристаллодержателем выводной рамки, выполненной из металлической ленты, плакированной полосой алюминия, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с-целью повышения технологической и эксцлуатационной надежности, в кристаллодержателе выполнено окно для размещения полупроводниково-. го кристалла, основание которого соединено с основанием кристаллодержателя.