Способ изготовления магнитных интегральных схем Советский патент 1984 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в производстве магнитных интегральных схем на цилиндрических магнитных доменах () . Известен способ изготовления магнитных интегральных схем, основан ный на формировании элементов управления ЩЦ и коммутационной разводки методом фотолитографии с химическим Хкислотным) травлением металлического немагнитного слоя .1. Недостатком этого способа является трудность получения рисунка интегральной схемы по металлическому немагнитному слою (например из А1, Al-Cu) с размерами элементов-зазоров между ними меньше 3 мкм, заключающаяся в TOMj что при х1-1мическом травлении фронт растворения металлического слоя имеет как нормальную так и горизонтальную составляющие не зависимо от профиля края защитной маски. В результате, получаются элементы со значительным уменьшение геометрического размера металлического слоя относительно размеров защитной маски С другой стороны узкие зазоры меж,п;у элементами ( ,2 мкм) рообще не протравливаются в резульгате плохого цосгупа к ним травятеПЯ. Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления магНитньк интегральных схем, основан ный на наиесгник ка диэлектрическую гранатовую подложку пленки доменосодержащего материала, нанесении пер вого защитного диэлектрического слоя первого металлического немагнитного слоя и защитной маски, формировании элементов управления ЦМД и коммута1щонной разводки плазмо-химическим травлением металлического немагнитного слоя, причем в качестве металлического слоя используют А1, удалении защитной маски, нанесении второго разделительного диэлектрического слоя J нанесении магнитного метал.лйческого слоя,, формировании элеменуов п|:)одвижения и детектирования ЩД ионно-лу тевым травлением магни ного металлического слоя, нанесении третьего защитного диэлектрш-теского слоя, формировании плазмо-химическШ тразлением третьего защитного и вто рого разделительного диэлектрических слоев и вскрытии окон токовых контактов, нанесении второго металли252ческого немагнитного слоя, (Ьормировании контактных площадок методом фотолитографии с плазмо-химическим травлением в.торого металлического немагнитного слоя .2, Недостатком данного способа является узкая область работоспособности схемы из-за ухудшения свойств элементов продвижения и детектирования ЩЦ за счет отвесного края боковой стенки элементов токовой разводки и частичного подтравления нижележащего диэлектрического слоя в силу слабой селективности плазмо-химического и ионно-лучевого травления, Цель изобретения - повьш1ение надежности изготовления магнитных интегральных схем. Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления магнитных интегральных схем, основанному на нанесении на диэлектр)-гческую гранатовую подложку пленки доменосодержащего материала, первого защитного диэлектрического и металлического немагнитного слоев и защитной маски5формировании элементов управления ЩД и коммутационной разводки, нанесении второго диэлектрического и магнитного металлического слоев, форьшровании элементов продвижения и детектирования НМД ионно-лучевым травлением магнитного металлического слоя, нанесении третьего защитного диэлектрического слоя и вскрытии окон токовых контактов магнитных интегральных схем химичес;кнм или плазмохнмическим тразлением, нанесении второго металлического в:емагнитного слоя и формировании контактных площадок химическим или плаа МО-химическим травлением, формирование элементов управления ЩЩ и коммутационной разводки осутцествлягст комбинированньм травлением металлического немагнитного слоя путем нонно-лучевого травления к последующего хшчического травления. При этом ионно-лучевое травление металлического, немагнитного слоя осуществляют на глубину 1/2-2/3 его толщины и. устанавливают угол падения ионного пучка, при котором наклон боковых стенок элементов управления ЦМД после химического травления составляет 45 -60 , На фигЛ-4 показана последовательность технологических операи ий гЕри

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, основаниьй на нанесении на диэлектрическую гранатовую подложку пленки доменосодержащего материала, первого защитного диэлектрического и металлического немагнитного слоев и защитной маски, формировании элементов управления цилиндрическими магнитными доменами и коммутационной разводки, нанесении второго диэлектрического и магнитного металлического слоев, формировании элементов продвижения и детектирования цилиндрических магнитных доменов ионно-лучевым травлением магнитного металлического слоя, нанесения третьего защитного диэлектрического слоя и вскрытии окон токовык контактов магнитных интегральных схем химическим или плазмо-химическим травлением, нанесении второго меm5i 5&i i } mm % si fi sm таллического немагнитного слоя и: формировании контактных площадок химическим или плазмо-химическим травлением, отличающийся тем, что,с целью повышения надежности изготовления магнитных интегральных схем, формирование элементов управления цилиндрическими магнитными доменами и коммутационной разводки осуществляют комбинированным травлением металлического немагнитного Слоя путем ионно-лучевого травления и последующего химического травления. 2.Спо соб по п.1,отличаю i щ и и с я тем,что при формировании элементов управления цилиндрическими (Л магнитными доменами и коммутационной разводки ионно-лучевое травление металлического немагнитного слоя осуществляют на глубину /2-2/3 его толщины. 3. Способ по пп.1 и 2, о т л и о ;О чающийся тем, что при ионнолучевом травлении металлического немагнитного слоя устанавливают угол o ю ел падения ионного пучка, при котором наклон боковых стенок элементов управ:г1ения цилиндрическими магнитными доменами после химического травления составляет 45-60 . г I/XyV/Vyii 4 -J -2 -; фaг.J