Способ регулирования поля коллапса цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1982 года по МПК G11C11/14 

( СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ПОЛЯ КОЛЛАПСА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

1

Изобретение относится к вычислительной технике, и может быть ис пользовано ори Построении устройств хранения ипереработки дискретной информации на цилиндрических маг: нитных доменах ( ЦМД ).

Поле коллапса ЦМД является одним из наиболее важных статических параметров, величину которого необходимо регулировать при изготовлении эпитакс.иальных пленок ф§рритов-гранатов, применяемых в устройствах на ЦМД. В запоминающем устройстве много .различных эпитаксиальных структур, устанавливаются в одном узле со смещающим магнитом, и наилучшим расположением всех структур является идентичное. Однако, как показывает опыт, поле коллапса изменяется от одной пленки к другой, иногда в существенных пределах, даже если условия выращивания пленок номинально идентичны.

Известен способ регулирования поля коллапса ЦМД путем химического травления, обеспечивающий плавную регулировку величины поля коллапса EllОднако химическое травление грпнаг товой пленки является мокрым технологическим процессом, применение которого затруднено в случае локального воздействия на управляемый параметр. Причиной этого является подтравлива10ние, которое имеет место у краев, маски, защищающей не подвергающиеся травлению oблactи гранатовой пленки. При малых размерах областей метод химического травления становится непри15менимым.

Наиболе близким техническим решением к изобретению является способ регулирования поля коллапса ЦМД, основанный на ионной имплантации домег20носодержащей пленки. Степень управления полем коллапса зависит от плотности дефектов, индуцированных ионной имплантацией. Изменение плотности дефектов, а вследствие этого и регулирование поля коллапса НМД осуществляется варьированием дозы внедренных ионов 2 . Однако Применение данного способа становится затруднительным, когда необходимо легировать эпитаксиальную гранатовую пленку определенной ( фиксированной} дозой ионов. Цель изобретения - упрощение регулирования поля коллапса ЦМД. Поставленная цель достигается тем что согласно способу регулирования поля коллапса ЦМД, основанному на : ионной импланта1«ии доменосодержащей пленки, ионную имплантацию доменосодержащей пленки проводят путем изменения плотности, ионного тока в пределах 0,01-t мкА/см при постоянной дозе имплантированных ионов Имплантацию проводят при фиксированной дозе внедряемых ионов, а изме нение поля коллапса осуществляют варьированием плотности ионного тока. Согласно существующим теоретическим представлениям изменение плотности иойного тока существенно влияет на кинетику возникновения и коническую плотность дефектов в облучаемом кристаллическом материале. Тип ионов выбирают в соответствии с целью имплантационного легирования данного гранатового материала. Энергию имплантируемых ионов определяют в соответствии с требуемой толщиной легированного материала. Требуемую дозу определяют экспериментальным путем. Плотность ионного тока не рекомендуется выбирать более 5 мкЛ/с так как при более высоких значениях имеет место повышение температуры образца. На чертеже изображена эксперимен тально полученная зависимость разнос ного значения поля коллапса .,(.,. от плотности Ионного тока j. Пример. Исследованию подве гается эпитаксиальная гранатовая структура, состоящая из эпитаксиаль ной. пленки состава (VSmCa) (РеПе)0;| и немагнитной подложки типа GdifiagOj. Исходные параметры пленки: толщина h мкм, период РО - мкм, поле коллапса ЦМД. 1КОл 95,2 3. С целью проведения имплантации с различными плотностями ионного тока ий этой структуры вырезают образцы размерами .10X10 мм Имплантация осуществляется на установке ионного внедрения Везувий-1, Имплантируют ионы Ne с фиксированной энергией, равной 100 кэВ, и доЗОЙ ZflO) ионов/см . Плотность ионного тока варьируется в пределах 0,01-4 мкЛ/см, Измерения проводятся с использованием магнитооптического эффекта Фарадея. ЦМД генерируются воздействием на локальную область пленки короткими импульсами ( Т 0,1 MKG) магнит- Horq поля, направление которого перпендикулярно поверхности исследуемого образца. Измеряют значения полей коллапс ЦМД в имплантированной и неимплантированной пленках с последующим определением разностного значения .Приведенная на чертеже зависимость указывает на то, что в данном случае регулировку поля коллапса осуществляют в пределах 0,72,6 Э. . Предлагаемый способ дает положительный эффект: регулирование поля коллапса ЦМД осуществляют при постоянном значении одного из основных параметров ионного внедрения дозе. Это позволяет при регулировке величины поля коллапса с заведомо заданной дозой модифицировать химический состав имплантированного слоя, В процессе регулирования поля коллапса измеритель дозы не нуждается в перестройке режима работы, что упрощает регулирование поля коллапса ЦМД. Формула изобретения Способ регулирования поля коллапса цилиндрических магнитных доменов, основанный на ионной имплантации доменосодержащей пленки, отличающийся тем, что, с целью упрощения регулирования поля коллапса цилиндрических магнитных доменов, ионную имплантацию доменосодержащей пленки проводят путем изменения плотности ионного тока в пределах 0,01k мкА/см - при постоянной дозе имплантированных ионов. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе, 1.Electronic Materials, 1975, v.i, N k, p.757. 2.IEEE Trans. Magf,, 197S, MAG-11, ff 5, p. 1082 (прототип).

5 fr 2 It 6 Iff t It

2 jfHKA/cM

. I