Тонкопленочный подстраиваемый резистор Советский патент 1984 года по МПК H01C7/00 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использован в технологии изготовлейия тонкопленочных подстраиваемых резисторов, используемых, например, в датчиках для настройки термокомпенсирующих цепей Известен тонкопленочный подстраиваемый р€ зистор, содержащий расположенные на диэлектрической подложке резистивный элемент и контакт1ше imo щадки С 1j . Недостаток известного тонкопленочного подстраиваемого резистора состоит в нестабильности номинала резистора вследствие погрешности, возникающей при саморазогреве резистивного элемента Наиболее близким к изобретению техническим решением является тонкопленочный подстраиваемый резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней резистивным эле ментом и контактными пло,чадками 2. Недостаток известного тонкопленочного подстраиваемого резистора за ключается в нестабильности номинала резистора, так как невозможна подстройка после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации. Цель изобретения повышение стабильности номинала резистора путем обеспечения возможности его подстрой ки после изготовления резистора и в процессе его эксплуатахщио Поставленная цель достигается тем 4VO тонкопленочный подстраиваемый резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней подстр иваемым резистивным элементом и контактными площадками, снабжен электро искровым планарным электродом, разме щенным на диэлектрической подложке и выполненным с острием, ориентированным на подстраиваемый резистивный элемент На чертеже схематично изображен тонкопленочный подстраиваемый резистор. Тонкопленочный подстраиваемый резистор содержит диэлектрическую подложку 1 с размещенными на ней резистивным элементом 2, контактными площадками 3 и выводами 4 На расстоя НИИ нескольких микрон от резистивного элемента 2 на диэлектрической подложке расположен планарный электроискровой электрод 5 с выводом 6. Подстройка номинала резистора осуществляется следующим образом. Прикладывают достаточно высокое напряжение к электроду 5 и к контактной площадке 3, например, от заряженного конденсатора. В результате возникает электрический пробой среды между контактной площадкой 3 и резнстивным элементом 2, при этом происходит эррозия материала резистивного элемента 2 и изменение его сопротивления„ При увеличении плотности тока в канале разряда может быть получен дуговой разряд, при этом в резистивном элементе 2 интенсивно образуется кратер дуги и изменение сопротивления резистора. Так как воздействие разряда локальное, а время этого воздействия небольшое, то существе} ного перегрева резистивного элемента не возникает. Следовательно сопротивление резистора может контролироваться непрерывно в течение всей операции подстройки. Изобретение позволяет упростить операцию подстройки тонкрпленочных резисторов, повысить ее производительность и точность на всех этапах изготовления и эксплуатации тонкопленочных резисторов.

ТОНК01ШЕНОЧНЫЙ ПОДСТРАИВАЕМЫЙ РЕЗИСТОР, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней подстраиваемым резистивным элементом и контактными площадками, отличающийся тем, что, с целью повьшеиия стабильности номинала резистора путем обеспечения возможности его подстройки после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации, он снабжен электроискровым планарным электродом, размешенным на да1электрической подложке и выполненным с острием, ориентированным на подстраиваемый резистивный элемент,.