Способ определения чистоты поверхности подложки для тонкопленочных резисторов Советский патент 1984 года по МПК C23C13/00 

Описание патента на изобретение SU1101475A1

Изобретение относится к производству элементов радиоэлектронной аппа ратуры, в частности к технологии изготовления тонкопленочных резисторов. Известен способ визуального контроля чистоты поверхности подложек с помощью оптической микроскопии. Чистота поверхности согласно этому способу определяется по количеству светящихся точек (остатки загрязнений, видимые в темном поле микроскопа) при рассмотрении образца в микроскоп l . Однако этот способ имеет ограниченную область применения: он может быть использован только при контроле чистоты подложек с высоким классом обработки поверхности (кл.12-14) Поэтому он не применим для контроля подложек, используемых в произведетве цилиндрических тонкопленочных резисторов, где подложки имеют значительно более развитый рельеф поверхности (кл. 7-8). Креме того, этому способу присущи высокая трудоемкость и малая объективность оценки полученных результатов. Наиболее близким к изобретению является способ определения чистоты поверхности подложек для тонкопленоч ных резисторов, включающий нанесение на анализируемую поверхность материала, выявляющего место загрязнения подложки, и проведение последующего визуального контроля. При этом в качестве материала, выявляющего место загрязнения подложки, используется дистиллированная вода, а контроль заключается в определении смачиваемости поверхности подложки 2 Недостатком известного способа является сложность объективной оценки результата визуального контроля, в связи с чем достоверность получаемых результатов мала. Кроме того, способ неприменим к гидрофобным поверхностям. Целью изобретения является повыше ние достоверности определения чистоты поверхности подложки. Указанная цель достигается тем. что согласно способу определения чистоты поверхности подложки для тонко пленочных резисторов, включающему нанесение на анализируемую поверхность материала, выявляющего места загрязнения подложки, и проведение последующего визуального контроля, нанесение материала проводят путем термического испарения в вакууме, в качестве материала, выявляющего места загрязнения подложки, используют окись кадмия или материал, содержащий окись кадмия, а визуальный контроль осуществляют по различиям цветовой окраски чистых и загрязненных участков поверхности. Фиг. 1-4 иллюстрируют достоверность определения чистоты поверхности контрольных подложек согласно предлагаемому способу. Пример. Определение чистоты поверхности проводилось на подложках из керамического материала М-4, применяемых в производстве основных типов тонкопленочных цилиндрических резисторов: МЛТ, ОМЛТ, С2-13, С2-14, С2-29В, С2-36, С2-50 и др. Керамические подложки специально загрязнялись различными способами для возможности оценки объективности предлагаемого способа. Анализируемые цилиндрические подложки резисторов нанизывались на металлические спицы (по 50 шт. на каждую) . Для напыления были опробованы три материала, включающие окись кадмия: CdO (100%); Cr-CdO (50%); Cr-Al-Fe-SiO2-Al2O3-Cdo (10%). Каждый из указанных материалов наносили на вольфрамовый испаритель (длина 55 см), который устанавливался вертикально в центре одной из шести кассет камеры напыления установки УВН-61П-2М. Вокруг испарителя размещались контролируемые подложки на спицах, которые при напылении приводятся во вращательное движение вокруг своей оси и одновременно вокруг испарителя. При использовании анализировались подложки, имеющие следующие загрязнения: следы масла, которое используется для насосов установки вакуумного напыления: касание пальцами рук поверхности подло1жек; натиры от металлических спиц, на которые загружаются цилиндрические подложки; следы поливинилбутираля (10 г). Поливинилбутираль наносился на анализируемую поверхность в виде спиртового раствора слабой концентрации (0,002%). Как видно из фиг. 1-4, наблюдается четкое цветовое отличие участков загрязнения и чистых участков поверхности подложки. В случае загрязнения маслом и пальцами рук (фиг. 1.2) чистая поверхность подложки имеет темный, почти черный цвет, а места загрязнений - белый, как сама подложка. От натиров неметаллических спиц легко обнаруживаются полосы серого цвета, отличающиеся по цвету от чистых участков поверхности, имеющих более темную окраску (фиг. З) . Такое же отличие наблюдается между подложкой, загрязненной поливинилбутиралем, и чистой (фиг. 4). На всех загрязненных подложках, четко проявились места локальных загрязнений, которые имели цвета. отличные от цветов чистых участков подложки. Таким образом, только подложки, имеющие равномерную цветовую окраску со всей поверхности, являются достаточно чистыми для использования их при изготовлении тонкопленочных резисторов. Достигаемая согласно предлагаемому способу контрастность цветов чистых и загрязненных участков подложки обеспечивает и экспрессность способа, т.е. позволяет устранить недостатки известного способа, где визуальный контроль проводится по степени смачиваемости загрязненных и чистых участков подложки, что, помимо малой объективности, требует еще и достаточного времени для рассмотрени каждой анализируемой подложки. Экспрессность предлагаемого спосо ба выражается в том, что в одну кассету камеры напыления можно одновременно загрузить от 30 до 60 спиц с керамическими подложками (в зависимости от тлк габаритных размеров) , т.е. сделать одновременно выборочный контроль 30 партий керамических подложек по чистоте их поверхности. Те партии подложек, выборочный контроль чистоты поверхности которых по предлагаемому способу показал наличие загрязнений, необходимо повторно подвергнуть очистке. Аналогично можно проводить контроль чистоты поверхности плоских подложек, используемых для изготовления плоских тонкопленочных резисторов и интегральных микросхем. Использование изобретения в производстве многих типов тонкопленочных резисторов позволит повысить их надежность и качество.

Похожие патенты SU1101475A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1988
  • Ряхин В.Ф.
  • Гуль Т.И.
RU1565064C
СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ МИКРОЗАГРЯЗНЕНИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ КЕРАМИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК БЕЛОГО ЦВЕТА ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1989
  • Ряхин В.Ф.
RU1671057C
СПОСОБ ДИАГНОСТИКИ ПРИСУТСТВИЯ ПАРОВ МАСЛА В ОБЪЕМЕ ВАКУУМНОЙ КАМЕРЫ 2015
  • Гужов Василий Юрьевич
RU2605884C1
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ НА ЕГО БАЗЕ 2006
  • Уткин Валерий Николаевич
  • Кортунова Людмила Яковлевна
  • Семенова Алевтина Юрьевна
RU2323497C1
ЗАЩИТНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 1983
  • Ряхин В.Ф.
SU1186013A1
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ С ПРОФИЛИРОВАННОЙ ПОДЛОЖКОЙ 2009
  • Коран Франсуа Андре
  • Нортон Стефен
  • Тран Кханх
RU2514163C2
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 2007
  • Якунин Владимир Александрович
  • Уваров Дмитрий Иванович
RU2340971C1
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 2007
  • Котов Валерий Николаевич
  • Уваров Дмитрий Иванович
RU2338283C1
СПОСОБ МНОГОЦВЕТНОГО ОКРАШИВАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ИЗ АЛЮМИНИЯ И ЕГО СПЛАВОВ 1990
  • Мелиоранская С.В.
RU2061106C1
СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 2023
  • Камардин Алексей Иванович
RU2825537C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 101 475 A1

Реферат патента 1984 года Способ определения чистоты поверхности подложки для тонкопленочных резисторов

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий нанесение на анализируемую поверхность материала, ввделяющего места загрязнения подложки, и проведение последующего визуального контроля, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности определения чистоты поверхности подложки, нанесение материала проводят путем термического испарения в вакууме, в качестве материала, выявляющего места загрязнения подложки, используют окись кадмия или материал, содержащий окись кадмия, а визуальный контроль осуществляют по различиям цветовой окраски чистых и загрязнен(Л ных участков поверхности.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1984 года SU1101475A1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Вестфалз О.Л
и др
Методы, и средства контроля чистоты и качества поверхности полупроводников
Обзоры поэлектронной технике, сер.6, Материалы, вып
Разборный с внутренней печью кипятильник 1922
  • Петухов Г.Г.
SU9A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Луфт Б.Д
и др
Методы контроля технологических процессов очистки поверхности деталей электронных приборов
- Электронная техника, сер
Приспособление для точного наложения листов бумаги при снятии оттисков 1922
  • Асафов Н.И.
SU6A1
Очаг для массовой варки пищи, выпечки хлеба и кипячения воды 1921
  • Богач Б.И.
SU4A1
Устройство для использования энергии морских волн 1926
  • Мальцев Ф.И.
SU5964A1

SU 1 101 475 A1

Авторы

Ряхин Владимир Федорович

Даты

1984-07-07Публикация

1983-01-11Подача