Накопитель информации Советский патент 1984 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин. Известен накопитель информации, содержащий основание в виде пластины с доменосодержащим кристаллом, две обмотки с взаимноортогональными витками, выводные электроды, магниты и корпус 1. Недостатком устройства является низкая надежность, обусловленная низкой теплопередачей конструкции от кристалла к корпусу. Наиболее близким по технической сущности к изобретению ярляется накопитель информации, содержащий основание с доменосодержащим кристаллом, две обмотки с взаимноортогональными-витками в области их перекрытия, выводные электроды, магниты, корпус и теплоотводящий наполнитель 2. Недостатком известного устройства является также низкая надежность из-за высокой температуры нагрева кристалла за счет низкой теплопроводности материалов и зазоров между эле.ментами конструкции. Цель изобретения - повышение надежноСти накопителя информации. Поставленная цель достигается тем, что в накопителе информации, содержащем основание с выводами, доменосодержащий кри сталл, источник вращающегося магнитного поля управления, источник постоянного магнитного поля смещения и корпус, основание выполнено из поликристаллического диэлектрика в форме прямоугольной пластины со скосами по краям, с углублением и продольным отверстием в центральной области, доменосодержащий кристалл зафиксирован в углублении основания до совпадения его контактных площадок с продольным отверстием, выводы основания нанесены на пластину и контактные площадки доменосодержащего кристалла, источник вращающегося. магнитного поля управления выполнен в виде двух групп ортогональных параллельных полос проводящего материала, нанесенных изолированно на обе стороны пластины, источник постоянного магнитного поля смещения выполнен в виде двух слоев магнитотвердого проводящего материала, нанесенных изолированно на прямоугольную пластину и полосы проводящего материала, а корпус выполнен в виде слоя магнитомягкого материала, изолированно нанесенного на слои магнитотвердого проводящего материала и пластину основания. На чертеже показан накопитель информации. Устройство содержит основание 1, доменосодержащий кристалл 2, полосы 3 проводящего материала, слои магнитотвердого проводящего материала 4, корпус 5 и выводы 6. Основание 1 выполняют из поликристаллического диэлектрического материала, например, ситалла, с углублением для установки кристалла 2 и отверстием для коммутации выводов с контактными площадками кристалла 2, с углублением и скосами по краям для последовательного соединения полос 3. Кристалл 2 установлен в углублении основания так, что его контактные площадки совпадают с отверстием, через которое осуществляют соединение выводов с контактными площадками. Функцию источника постоянного .магнитного поля смещения пвыполняют слои 4 магнитотвердого проводящего материала. Корпус 5 образован путем двухстороннего вакуумного напыления .магнитомягкого материала, например пермаллоя, со всех сторон конструкции. Таким образом, узлы накопителя изгогавливают, применяя в основном вакуумное напыление и фотолитографию, в результате чего узлы конструкции соединены друг с другом без зазоров. Устройство работает следующим образом. При подаче напряжения генерации и передвижения ЦМД на соответствующие выводы происходит зарождение ЦМД и передвижение их по информационному регистру так же, как и в известном устройстве. Вследствие отсутствия зазоров между узлами устройства тепловое сопротивление конструкции значительно уменьщается, обеспечивается герметичность конструкции, в результате чего существенно повышается надежность устройства.

НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержащий основание с выводами, доменосодержащий кристалл источник вращающегося магнитного поля управления, источник постоянного магнитного поля смещения и корпус, отличающийся тем, что, с целью поБыщения надежности накопителя, основание выполнено из поликристаллического диэлектрика в форме прямоугольной пластины со скосами по краям, с углублением и продольным отверстием в центральной области, доменосодержащий кристалл зафиксирован в углублении основания до совпадения его контактных площадок с продольным отверстием, выводы основания нанесены на пластину и контактные площадки доменосодержащего кристалла, источник вращающегося магнитного поля управления выполнен в виде двух групп ортогональных параллельных полос проводящего материала, нанесенных изолированно на обе стороны пластины, источник постоянного магнитного поля смещения выполнен в виде двух слоев магнитотвердого проводящего материала, нанесенных изолированно на прямоугольную пластину и полосы проводящего материала, I а корпус выполнен в виде слоя магнито(Л мягкого материала, изолированно нанесенного на слои магнитотвердого проводящего материала и пластину основания. со о со