Запоминающий модуль Советский патент 1982 года по МПК G11C5/00 G11C11/14 

(54) ЗАПОМИНАЮЩИЙ МОДУЛЬ

I

Изобретение относится к конструированию устройств на цилиндрических до- , менах (ЦМД), в частности к конструированию логических и запоминающих yci ройств на ЦМД с управлением при помощи вращающегося магнитного пбпя и может быть использовано в ЦВМ, в телефонии, в автоматических станциях сбора и передачи информации, в бытовой воспроизводящей аппаратуре, а также в других ТИП1Х логических я запоминающих устройств с длительным хранением информации при отключенном питании.

По основному авт. ев, № 763960 известен запоминающий модуль, в котором на коммутационную плиту с вывоа ными рамками установлены доменосодержащие кристаллы, внутренняя и юеитяя взаимно ортогональные катущки, магниты постоянного смещения и корпус, а вьюрдные рамки расположены между внутренней и внешней взаимно opTorcw нальными катушками f 11 .

Целью изобретения является ynpel щение и повышение технопогвчноств за- поминающего модуля.

Поставленная цель достигается тем, что коммутационная плита с выводными рамками выполнена в виде монолитной конструкции из диэлектрического элаотичного материала.

На фиг, 1-7 предсгавлены основные элемен1ы конструкции запсмдннающего

10 модуля.

Запоминающий модуль содержит ком мутационную плету 1 с выводными рамками 2 и контактными площадками 3, 4, 5 и 6, доменосодержащий кристалл 7

15 со структурами управления 8 доменами, внутреннюю 9 и внешнюю 10 катушки, магниты постоянного смешення. 11 и кор-i пус 12.

К(м шутац|1онная плате 1 имеет

образную форму и выполнена аластичной из полиамидаой пленки. Вьюодвыа рамки 2 и контактные олощадкв 3, 4, 5 и в выполнены методом вакуумного напыления и фотолитографии. На плиттр установлен доменосодержащйй кристалл 7, выводы приварены к контактным площадкам. Дс еносодержащий кристалл представляет собой подложку из галлийгадолинневого граната с выращенной магнитя Ы1 эпцтаксиальнсй пленкой, на которую на1несены управляющие структуры 8. На ПЛН1У из доменосодерисащего кристалла сшета внутренняя катушка 9, вьшоды котсфой разварены к контактным площаокам 4. Катушка расположена симметрично относительно доменосодержащего кристалла таким образом, чтобы оставались открытыми контактные площадки 4 и 5. После разварки выводов внутренней катушки производится загибка свобошсых ксжцов платы. На плату с доменосодержашим кристаллом 7, внутренней катушкой 9 и загнутыми выводными рамками одевают внешнюю катушку 10, выводы которой разваривают к контактным площадкам 5. Оси катушек составляют между собой угол 9О и лежат в плоскости кристалла. Катушки и доменосодержащий кристалл изолированы друг от друга полиамидной пленкой (не показано). Плата с катушками помещена в поле постоянных магнитов Ш-образной формы, выполненных изферрита бария. Весь запоминающий мооуль помещен в корпус 12 и залит компаундом.

Таким образом, расположение выводов

между внутренней и внешней катушками и выполнение коммутационной платы гибкой и монолитной кшструкции позволяет повысить надежность предлагаемого запоминающего модуля, снизить габариты,

а также реализовать информационную плотность до Ю бит/см , при диаметре домена 5 мкм, на уровне устройства.

ормула изобретения

Запоминающий модуль по авт. св. № 76396О, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повыше ния технологичности запоминающего мо дуля, коммутационная плата с выводными рамками выполнена в виде монолитной конструкции из диэлектрического эластичного материала. Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе

10 Фи1.1