Запоминающий модуль Советский патент 1991 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Цель изобретения - повышение надежности запоминающего модуля.

На фиг. 1 и 2 - показаны варианты конструктивного исполнения предложенного запоминающего модуля.

Запоминающий модуль содержит корпус 1 из магнитомягкого материала, в котором расположены доменосодержащий кристалл 2. магнитосвязанный с источником магнитного поля управления в виде сердечника 3 прямоугольной формы, на котором расположены две взаимоортогональные катушки индуктивности, источником магнитного поля смещения в виде двух постоянных магнитов 5. Кристалл 2 вместе с сердечником 3 и катушками 4 окружен проводящим

экраном б, на котором расположены параллельно кристаллу 2 постоянные магниты 5. причем в корпусе из магнитомягкого материала напротив постоянных магнитов выполнены пазы наклонной формы так, что они образуют переменные по высоте воздушные зазоры с корпусом, равномерно изменяющиеся с постоянным градиентом вдоль длины постоянных магнитов, за счет чего вдоль длины постоянных магнитов возникает неравномерная плотность магнитных зарядов Вследствие этого результирующий вектор напряженности магнитного поля смещения направлен неперпендикулярно поверхности микросхемы памяти и постоянных магнитов смещения, а под углом к ним. В результате создается постоянная составляющая этого вектора в плоскости микросхемы памяти, обеспечивающая сохранность информации при отклюOs

ГО

ел ю

N)

чении питания. На фиг. 2 изображено другое конструктивное исполнение предложен- ного запоминающего модуля. Доменосодержащий кристалл 2 вместе с сердечником 3 и катушками 4 окружен проводящим экраном 6, на котором расположены параллельно кристаллу 2 постоянные магниты 5, причем проводящий экран 6 закреплен на корпусе 1 из магнитомягкого материала так, что внешняя поверхность постоянных магнитов 5 образует угол определенной величины с внутренней поверхностью корпуса 1. Это достигается закреплением, например методом сварки или приклеивания проводящего экрана 6 на поперечных гранях корпуса 1. Величина расстояний определяется в соответствии с величиной угла наклона корпуса 1 по отношению к проводящему экрану и постоянным магнитам, который определяется согласно элементарным законам тригонометрии.

Кроме того, за счет плоскопараллельного расположения кристалла 2 и постоянных магнитов путем ликвидации зазора необходимого для конструктивной реализации наклона кристалла 2 относительно постоянных магнитов в прототипе, значительно улучшается однородность за счет плоскопараллельного сближения постоянных магнитов, что повышает надежность запоминающего модуля, в том числе при выполнении принципа сохранности информации при отключении питания.

Экспериментально подобрано значение этого угла, составляющее величину

а 1 - 2,5° , зависит от величины результирующего вектора напряженности магнитного поля смещения.

Запоминающий модуль работает следующим образом.

При подаче переменного тока на катушки 4 создается вращающееся магнитное поле, которое обеспечивает запись, продвижение, считывание и деление информации.

При этом сохранность записанной информации при отключении катушек 4 может быть обеспечена только за счет постоянных магнитов 5. Причем в данном случае постоянную составляющую магнитного поля смещения в плоскости кристалла 2 создает

неравномерное распределение плотности магнитного потока вдоль плоскости постоянных магнитов 5, а наличие постоянного градиента способствует стабильности сохранности информации при отключении питания. Наличие угла наклона корпуса 1 из магнитомягкого материала по отношению к постоянным магнитам 5 и кристаллом 2 обуславливает неравномерную плотность

магнитного потока вдоль плоскости этих постоянных магнитов, а постоянный градиент изменения зазора между корпусом 1 и постоянными магнитами 5 создает необходимый градиент изменения плотности

магнитного потока вдоль плоскости постоянных магнитов 5.

Кроме того, путем ликвидации зазора, необходимого для конструктивной реализации наклона кристалла относительно постоянных магнитов в прототипе и локализации магнитного поля смещения в ограниченном пространстве между плоскопараллельно расположенными постоянными магнитами 5 за счет их сближения между собой и с1

кристаллом 2, значительно улучшается однородность магнитного поля смещения, что повышает надежность запоминающего модуля, в том числе при выполнении принципа сохранности информации при отключении

питания.

Формула изобретения Запоминающий модуль, содержащий корпус из магнитомягкого материала, в котором расположены доменосодержащий

кристалл, размещенный внутри проводящего экрана и магнитосвязанный с источником магнитного поля управления в виде двух взаимоортогональных катушек индуктивности и источником магнитного поля смещения в виде двух постоянных магнитов, расположенных с обеих сторон доменосо- держащего кристалла,о тличающийся тем,что,с целью упрощения и повышения надежности запоминающего модуля, постоянные магниты расположены параллельно доменосодержащему кристаллу на внешних поверхностях проводящего экрана, а между внутренней поверхностью корпуса и постоянными магнитами выполнены переменные

0 по высоте воздушные зазоры с постоянным градиентом магнитного поля смещения.

KyV x УЧХХХ-

V///////////;

/

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретение является повышение надежности запоминающего модуля. Модуль содержит корпус из магнитомягкого материала, в котором расположены доменосодержащий кристалл, магнитосвязанный с источником магнитного поля управления в виде сердечника прямоугольной формы, на котором расположены две взаимоортогональные катушки индуктивности, и источником магнитного поля смещения в виде двух постоянных магнитов. Кристалл вместе с сердечником и катушками окружен проводящим экраном, на котором расположены параллельно кристаллу постоянные магниты. При этом о корпусе напротив постоянных магнитов выполнены пазы наклонной формы таким образом, что они образуют переменные по высоте воздушные зазоры с корпусом, равномерно изменяющиеся с постоянным градиентом вдоль линии постоянных магнитов За счет этого вдоль длины постоянных машитов возникает неравномерная плотность магнитных зарядов 2 ил. СО с

/

5 Фиг.1

Фиг. 2