Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминаюшзнх устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).
Целью-изобретения является упрощение установки доменосодержащего кристалла в запоминающем модуле на ЦМД.
На фиг. 1-4 показаны последовательные этапы установки доменосодержащего кристалла в запоминающем модуле на ЦМД.
В соответствии с предлагаемым способом установка доменосодержащего кристалла 1 в кристаллодержатель 2 с впрессованными в него электродами 3 (фиг. 1 и 2) осуществляется следующим образом.
Соединяют гальванически ленту 4 из проводящего диамагнитного материала 4 с одной стороной кристалло- держателя 2 (фиг. 3), фиксируют доме- носодержащий кристалл 1 в отверстии
кристаллодержателя 2 путем его крепле-25 путем его крепления на ленте из про- ния, например приклеиванием на лен- водящего диамагнитного материала
те 4, соединяют выводы доменосодержащего кристалла 1 с электродами кристаллодержателя 3 золотой и алюминиевой микропроволокой 5, а установку экрана на кристаллодержатель 2 осу- .ществляют путем гальванического сое- ринения ленты 4 с другой стороной кристаллодержателя 2 (фиг. 4).
Для осуществления гальванического соединения ленты 4 с поверхностями кристаллодержателя 2 на них вжигани- ем наносят предварительный слой серебра 6 о Вместо серебра можно использовать и другие припои, имеющие хорошее сцепление с керамикой и лентой 4 из проводящего материала.
Формула изобретения
Способ установки доменосодержащего кристалла в запоминающем модуле на цилиндрических магнитных доменах, основанный на фиксации доменосодержащего кристалла в отверстии кристаллодержателя и установке экрана.на кристаллодержатель, отличающийся тем, что, с целью упрощения установки доменосодержащего крис- 0 талла, соединяют гальванически ленту из проводящего диамагнитного материала с одной стороной кристаллодержателя, доменосодержащий кристалл фиксируют в отверстии кристаллодержателя
в отверстии кристаллодержателя, соединяют выводы доменосодержащего кристалла с электродом кристаллодержате- 30. ля ,а экран устанавливают на кристаллодержатель путем гальванического соединения ленты из проводящего диамагнитного материала с другой стороной кристаллодержателя.
/ /
Фиг. 7
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Запоминающий модуль | 1988 |
|
SU1624522A1 |
Запоминающий модуль | 1988 |
|
SU1587583A1 |
Запоминающее устройство на магнитных доменах | 1976 |
|
SU640367A1 |
Накопитель информации | 1983 |
|
SU1119079A1 |
Запоминающий модуль | 1988 |
|
SU1608748A1 |
Способ изготовления модуля доменной памяти | 1987 |
|
SU1522286A1 |
Накопитель для запоминающегоуСТРОйСТВА | 1978 |
|
SU824306A1 |
Устройство для продвижения цилиндрических магнитных доменов | 1976 |
|
SU684614A1 |
Способ считывания цилиндрических магнитных доменов | 1981 |
|
SU955193A1 |
Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах | 1990 |
|
SU1714680A1 |
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлений запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является упрощение установки домено- содержащего кристалла в запоминакнцем модуле на ЦМД. Соединяют гальваническую ленту из проводящего диамагнитного материала с одной стороной кристалл одержат ел я . Фиксируют доменосо- держащий кристалл в отверстии кристалл одержат ел я путем его крепления на ленте. Соединяют выводы домено- содержащего кристалла с электродами кристаллодержателя. Экран устанавливают на кристаллодержатель путем гальванического соединения ленты с другой стороной кристаллодержателя. ,4 ил. N9 4 00 О со СЛ
hf
:/
Фиг. 2
Патент США № 4192011, кл | |||
Станок для нарезания зубьев на гребнях | 1921 |
|
SU365A1 |
Способ получения фтористых солей | 1914 |
|
SU1980A1 |
Патент США № 4110838, кл | |||
Станок для нарезания зубьев на гребнях | 1921 |
|
SU365A1 |
Чугунный экономайзер с вертикально-расположенными трубами с поперечными ребрами | 1911 |
|
SU1978A1 |
Авторы
Даты
1986-07-07—Публикация
1984-12-04—Подача