Устройство для остеосинтеза Советский патент 1984 года по МПК A61N1/00 A61B17/18 

ГО

ьо

со ю

00 1 Изобретение относится к медицинской технике а именно к устройствам обеспечивающим остеосинтез. Известна пластина с перфорацией для остеосинтеза, обеспечивающая фик сацию костных отломков fl . Однако данная пластина выаолняет пассивную роль в процессе остеосинтеза, без учета электрофизиологической активности организма. Цель изобретения - сокращение сро коэ 1 егёнерацни костной ткани. Цель достигается тем, что в устройстве для остеосинтеза, вьтолнеином в виде перфорированной пластины поверхность пластины покрыта диэлект рике в электретном состоянии с распределением потенциала по поверхности с градиентом 0,1-3,0 B/№i. Конструктивно предлагаемое устройство выполняют, например, из вентильного меташла или с покрытием из последнего. При этом электретньй потенциал вдоль пластины длиной 60280 мм-распределен функционально с градиентом 0,1-3,0 В/мм. Устройство фиксируют на отломках кости с помощью винтов. 28 Детальному обследованию было поД вергнуто 32 пациента со сроком наблюдения до полутора лет. При этом проводились измерения статических электропоте.нцналов кости (СЭПК), рентгеноденситометрия, измерение механических характеристик. По результатам исследований вьивлено, что применение предлагаемого устройства обеспечило: восстановление СЭПК; однородную структуру костной ткани в области перелома, сокращение срока формирования костной мозоли, допускающей физиологическую нагрузку в 1,5 раза (1,52 мес. против 2,5-3 мес в контроле); сокращение срока сращения в 1,52 раза (2-3 мес. против. 3-4 мес«в контроле)i сокращение срока перестройки костной мозоли в 1,5-2 раза (3-4 мес. против 5-6 в контроле). Кроме того, установлено достоверное сокращение в 1,4-1,7 раза число случаев атрофии костной ткани под пластинкой.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСТЕОСИНТЕЗА, выполненное в виде перфорированной пластины, отличаю.щ ее с я тем, что, с цепью сокращения сроков регенеращ1и костной ткани, поверхность пластины покрыта диэлектриком в электретном состоянии с распределением потенциала по поверхности с градиентом 0,1-3,0 В/мм.