Состав для проявления позитивных фоторезистов Советский патент 1990 года по МПК H05K3/06 G03C5/30 

Описание патента на изобретение SU1153806A1

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано на операциях фотолитографии в микроэлектронике, радиотехнике, полиграфии и других отраслях промышленности.

Для позитивных фоторезистов известен органический проявитель, включающий моноэтаноламин, триэтаноламин, гликоль и вояу в следующем соотношении ингредиентов, об.%:

Моноэтаноламин 15-18 Триэтаноламин 5-7 Гликоль32-40

ВодаОстальное

Однако органический проявитель имеет малую скорость проявления 0,020,028 мкм/с и недостаточную чистоту

СУ проявленного поля (75-80%).

о;

В проявителе нельзя увеличить скоарость проявления, так как при увелис а чении концентрации проявляющих реагентов моноэтаноламина и триэтаноламина увеличивается скорость разрушения необлученных участков фоторезиста и уменьшается разрещающая способ- ность фотолитографии.

Кррме того, органический проявитель содержит большое количество ток-; сичных органических веществ (более 52%), экологически вреден имеет большую вязкость, плохо смьшается с пластин и не может применяться на современных автоматизированных лини фотолитографии. Эти недостатки затрудняют исполь зование органического проявителя в технологии изготовления БИС с размерами элементов менее 3 мкм, и он фактически не используется в про мышленном производстве. Наиболее близким к изобретению является состав для проявления позитивных фоторезистов, содержащий неорганическую щелочь, соль щелочного металла и воду. По описанной методике расчета в щелочной проявитель вводят соль щелочного металла с целью увеличения скррости проявления за счет увеличения ионной силы раствора. Проявитель с такими ингредиентами имеет недостаточную скорость проявле ния 0,04-0,05 мкм/с и при проявлении оставляет на поверхности проявленных структур частички фоторезиста (загрязнение 20-30% проявленных структур), имеет повышенную концентрацию щелочи 0,6-0,9%, При увеличении скорости проявле|ния за счет увеличения концентрации щелочи или соли щелочного металла увеличивается скорость разрушения необлученных участков фоторезиста. Это приводит к уменьшению коэффициента контрастности проявления, избирательности проявителя, уменьшению разрешающей способности фотолитографии, зшеличению пористости маскирующей пленки фоторезиста, а также к ухудшению чистоты проявленного поля за счет увеличения количества частиц фоторезиста в объеме проявителя. Изза приведенных выше недостатков проявитель не находит широкого применения в отечественной технологии фотолитографии. Цель изобретения - увеличение ско рости проявления и улучшение чистоты проявленного изображения. Цель достигается тем, что состав для проявления позитивных фоторезистов, содержащий неорганическую щелоч соль, щелочного металла и воду, допол нительно содержит органи«еский растворитель и поверхностно-активное вещество при следующем содержании компонентов, мас,%:. Неорганическая щелочь .0,08-0,6 Соль щелочного металла0,2-2,0 Органический раств оритель J,О-10 ПАВ0,01-0,05 ВодаОстальное, а в качестве органического растворителя использован этиловый или изопропиловый.спирт. Данный состав имеет по сравнению с известным меньшую концентрацию щелочи, что приводит к увеличению скорости проявления за счет введенного растворителя, при введении которого меняется механизм проявления. Введение в проявитель растворителя пленкообразующего компонента оптимальной концентрации приводит к увеличению скорости проявления без увеличения концентрации щелочи. С добавлением органического растворителя в проявителе можно уменьшить концентрацию щелочи, что значительно уменьшает скорость разрушения необлученных участков фоторезиста без уменьшения скорости проявления. Таким образом, повьш1ается избирательность данного состава - его коэффициент контрастности. При этом повьш1аются устойчивость размера проявляемого изображения, разрешающая способность фотолитографии, уменьшаются пористость пленки фоторезиста, коррозия алюминиевой разводки интегральных схем. Точность воспроизведения темного элемента фотокопии в данном составе высококонтрастного проявителя 0-(+0,3) мкм практически устраняет влияние дифракционных .явлений на разрешающую способность фотолитогра- Фии, При проявлении пленки фоторезиста в ограниченном объеме проявителя появляется множество взвешенных частичек фоторезиста, которые за счет электростатических сил и механического налипания закрепляются на проявленном поле и не удаляются при последующей промывке в воде, Наличие в составе проявителя поверхностно-активного вещества (ПАВ) с органическим растворителем уменьшает силы сцепления частиц с поверхностью подложки, которые затем полностью удаляются с проявленного поля при промывке в воде. Наличие растворителя усиливает действие ПАВ в растворе (сенергетический эффект)./

кой прочности пленки фотс резиста, уменьшения его налипания на фотошаблон при контактной фотолитографии, позволяет исключить операцию дубления фоторезиста при травлении большинства материалов как плазмохимическим, так и химическим методом. Слабая растворимость необлученного фоторезиста в данном составе практически устраняет пористость пленки, приобретаемую во время операции проявления. Введение растворителя позволяет значительно снизить (в 2-3 раза) содержание щелочи в проявителе, что в несколько десятков раз снижает скорость коррозии алюминиевой разводки интегральных схем в проявителе, повышает надежность изделий. В случае необходимости проявителю можно придать ингибирующие свойства к материалу подложки путем добавления соответствующего ПАВ, например, для алюминия - эстанола. В зависимости от соотношения компонентов в проявителе коэффициент контрастности проявления может быть доведен до 500 ед. и более. Рекомендуется в производстве интегральных схем применять для приготовления проявителя химические реактивы: КОН, КС1, как наиболее дешевые и хорошо смываемые с поверхности подложки после проявления, в качестве растворителя нетоксичные .органические растворители, например этиловый или изопропиловьтй спирт.

Наличие в составе проявителя ПАВ и растворителя обеспечивает устранение прилипания к поверхности проявленных структур механических частиц, взвешенных в проявителе, а также частиц фоторезиста, образующихся цри проявлении, способствует полному удалению их с поверхности подложки при промывке в воде. Это обеспечивает улучшение чистоты изображения проявленных структур в 1,5-2 раза.

Таким образом, испытания предложенного состава проявителя обеспечив ают:

высокую скорость проявления при малых концентрациях щелочи;

уменьшение количества дефектов на проявленном изображении в А-5 раз;

полную работоспособность и пригодность его к внедрению в широких масштабах;

вы.сокую эффективность при внедрении его в производство БИС;

повьшенив разрешающей способности фотолитографии;

уменьшение пористости маскирующей пленки фоторезиста.

Кроме того, состав для проявления обладает низкой стоимостью; нетоксичностью; хорошо смьшается водой; повышает удобства в работе, а также обеспечивает автоматизацию процесса проявления.

Похожие патенты SU1153806A1

название год авторы номер документа
БЕЗМЕТАЛЬНЫЙ ПРОЯВИТЕЛЬ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА 2012
  • Беклемышев Вячеслав Иванович
  • Махонин Игорь Иванович
  • Афанасьев Михаил Мефодъевич
  • Мешкова Ирина Михайловна
  • Серушкин Константин Ильич
RU2484512C1
ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ 1985
  • Котлова Л.Ф.
  • Суржин В.Н.
  • Карапетян Н.Г.
  • Григорьева Н.Н.
  • Постолов В.С.
  • Динабург В.А.
  • Яковлев Б.З.
SU1364051A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТНОЙ МАСКИ ПОЗИТИВНОГО ТИПА (ВАРИАНТЫ) 2014
  • Котомина Валентина Евгеньевна
  • Лебедев Вадим Игоревич
  • Леонов Евгений Сергеевич
  • Зеленцов Сергей Васильевич
RU2552461C1
СОСТАВ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА 1990
  • Пимкина З.А.
  • Гунина Н.М.
  • Мандрыкина Г.А.
  • Поярков Н.И.
SU1734487A1
НЕГАТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ ДЛЯ "ВЗРЫВНОЙ" ФОТОЛИТОГРАФИИ 2017
  • Кузнецова Нина Александровна
  • Чальцева Татьяна Владимировна
  • Норкина Раиса Николаевна
  • Эрлих Роальд Давидович
  • Соловьев Виктор Васильевич
  • Родная Анна Игоревна
  • Афанасьев Михаил Мефодьевич
  • Королева Наталья Александровна
RU2648048C1
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СУХОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ В ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ 2013
  • Гудымович Елена Никифоровна
RU2524344C1
СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ 1996
  • Смолин В.К.
  • Донина М.М.
RU2096935C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА 2010
  • Афанасьев Михаил Мефодъевич
  • Эрлих Роальд Давидович
  • Беклемышев Вячеслав Иванович
  • Махонин Игорь Иванович
  • Филиппов Константин Витальевич
RU2427016C1
ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ И СПОСОБ ЕГО ОБРАБОТКИ 1991
  • Фролов Владимир Михайлович
  • Селиванов Геннадий Константинович
  • Фирсов Рудольф Григорьевич
RU2012918C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНДИЕВЫХ СТОЛБИКОВ 2010
  • Шелоболин Игорь Александрович
  • Лисейкин Виктор Петрович
  • Климанов Евгений Алексеевич
  • Седнев Михаил Васильевич
  • Микертумянц Артем Рубенович
RU2419178C1

Реферат патента 1990 года Состав для проявления позитивных фоторезистов

Формула изобретения SU 1 153 806 A1

0,7 0,8

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1990 года SU1153806A1

Органический проявитель для позитивных фоторезистов на основе нафтохинондиазидов 1974
  • Бобков Владимир Акимович
  • Абрамович Виля Шойлевич
  • Тупахин Вячеслав Михайлович
  • Семячко Геннадий Валерьевич
SU691799A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
I Парамонов А.И., 41рохоцкий Ю.М
Малин Б.В
Исследование процесса j;проявления фоторезистов
Научная и .
;прикладная фотография и кинематография, 1975, т
Прибор для промывания газов 1922
  • Блаженнов И.В.
SU20A1
Замкнутая радиосеть с несколькими контурами и с одной неподвижной точкой опоры 1918
  • Баженов В.И.
  • Плебанский И.Ф.
SU353A1

SU 1 153 806 A1

Авторы

Суржин В.Н.

Даты

1990-10-23Публикация

1983-12-16Подача